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专利基本信息
专利名称 一种评估半导体器件10年寿命对应的工作电压的方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN104122493B
专利申请日期 2014-07-25 专利类型 发明专利
申请公布号 2014103574120 申请公布日 2014-07-25
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 黄如;任鹏鹏;王润声;罗牧龙;蒋晓波
专利权人 北京大学
专利摘要 一种评估半导体器件寿命的工作电压的方法,包括:求出某半导体器件在某工作电压VG下的失效几率;求出该半导体器件失效几率随VG的变化关系;根据同类的多个半导体器件失效几率随VG的变化关系,求出特征失效几率随VG的变化关系;取大于等于0且小于1的特征失效几率的工作电压VG即为满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD;根据目标要求的特征失效几率求出实际的满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD值的大小。本发明同时考虑了NBTI引入的动态涨落DDV和CCV的影响,而且不同VDD对半导体器件可靠性的影响程度也很好地评估出来。因此本发明提供了纳米尺度半导体器件几率性VDD有效的评估方法。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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