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专利基本信息
专利名称 一种制备高性能忆阻器的方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN111463347A
专利申请日期 2020-04-08 专利类型 发明专利
申请公布号 202010282595X 申请公布日 2020-04-08
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 王军;刘贤超;崔官豪;周泓希;苟君
专利权人 电子科技大学
专利摘要 本发明公开了一种制备高性能忆阻器的方法,包括以下步骤:在低阻硅上形成带有通孔阵列的掩膜层;在掩膜层上生长具有一定导电性的薄膜,于生长过程中在掩膜层的通孔内形成锥状柱;去除掩膜层和薄膜,得到带有锥状柱阵列的低阻硅样片;在样片上制备绝缘层,并在绝缘层上制备金属层;从底层低阻硅层和顶层金属层分别引出电极。在本发明中,采用精密抛光的低阻硅作为下电极,在制备与低阻硅直接相连的导电三维锥形柱时,该导电材料仅直接覆盖孔掩模的孔对应的低阻硅表面区域,解决了大面积忆阻器阵列容易因绝缘层缺陷导致的漏电问题。
专利价值评估分析
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