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专利基本信息
专利名称 基于磁珠电化学发光基因传感器检测汞离子的方法及应用
专利状态 - 专利号（申请号） CN101892294B
专利申请日期 2010-01-22 专利类型 发明专利
申请公布号 2010101008248 申请公布日 2010-01-22
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 周小明;邢达
专利权人 华南师范大学
专利摘要 本发明公开了一种基于磁珠电化学发光基因传感器检测汞离子的方法及应用。该方法中设计两条探针,一条为捕捉探针,标记到磁珠表面,形成磁珠化探针;另一条与三联吡啶钌标记,形成电化学发光探针。由于两条探针的设计上存在T:T的错配结构,因此常温下两条探针在没有汞离子存在的情况下不会形成配对的双螺旋结构。当存在汞离子的情况下,由于错配的T:T与汞离子特异性的形成稳定的T-Hg2+-T配位复合物结构,因此汞离子能介导两条探针形成双螺旋的结构。这样磁珠化探针就能够在汞离子存在下捕捉电化学发光探针在其表面,接着通过磁珠分离、电化学发光检测就可以检测汞离子。本发明特异性和灵敏度均高,有利于定性和定量测量汞离子。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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