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专利基本信息
专利名称 一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器
专利状态 - 专利号(申请号) CN109244177B
专利申请日期 2018-08-19 专利类型 发明专利
申请公布号 2018109447894 申请公布日 2018-08-19
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 毛陆虹;李佳奇;谢生
专利权人 天津大学
专利摘要 一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器,包括有铟砷化镓基底层,铟砷化镓基底层上端面的一端设置有金金属漏极,另一端设置有金金属源极,在金属漏极和金属源极之间且位于铟砷化镓基底层上端面由下至上依次设置有作为沟道的砷化镓层、作为第一层势垒的铝化砷层、作为半导体量子阱的铟砷化镓层、作为第二层势垒的铝化砷层和作为吸光材料的N型铟砷化镓层,其中,铟砷化镓层、铝化砷层和N型铟砷化镓层两端与所对应的金属漏极和金属源极之间分别形成有氧化绝缘层,N型铟砷化镓层的上端面上设置有作为顶栅结构的金属铁电极层。本发明结构简单、对光波长敏感、制备工艺简单的太赫兹半导体量子阱振荡器件,能够满足改变光波长来控制输出振荡频率的需要。
专利价值评估分析
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