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专利基本信息
专利名称 一种优化平面布局和结构的大电流氮化镓高电子迁移率晶体管
专利状态 - 专利号（申请号） CN109103249A
专利申请日期 2018-04-04 专利类型 发明专利
申请公布号 2018103020166 申请公布日 2018-04-04
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 孙辉;王茂俊;陈建国;陈东敏
专利权人 北京大学
专利摘要 GaN高电子迁移率晶体管包含衬底、在衬底表面上形成的缓冲层,在缓冲层表面上形成的第一GaN层,在第一GaN沟道层表面上形成的AlGaN层、在AlGaN表面上沉积了栅介质层。二维电子气位于势垒层与沟道层的界面处的沟道层内。通过蚀刻方法、在源极和漏极开口的位置去除栅介质层和AlGaN层,在开口位置沉积金属后通过热处理过程使得沉积的金属和二维电子气形成欧姆接触。栅极形成在栅介质表面。通过蚀刻方法,去除隔离区区域的栅介质、AlGaN层、部分或者GaN沟道层,形成有源区。环形栅介质完全位于有源区范围内。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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