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专利基本信息
专利名称 一种Cs掺杂ZnO为电子传输层的杂化太阳能电池
专利状态 - 专利号（申请号） CN201310443618.0
专利申请日期 2013-09-26 专利类型 发明专利
申请公布号 CN103456888A 申请公布日 2013-12-18
授权公告号 CN103456888B 授权公告日 2015-09-30
发明人 杨利营,印寿根,秦文静,唐彤,左红文,郑克宁,于景景,张颖,刘巍嵩,李海林,邹亚伟
专利权人 天津理工大学
专利摘要 一种以Cs掺杂ZnO为电子传输层的杂化太阳能电池，由透明导电玻璃衬底、Cs掺杂ZnO纳米棒电子传输层、层状类钙钛矿杂化材料CH3NH3PbX3（式中X为Cl、Br或I）、2,2',7,7'-四[N,N-二（4-甲氧基苯基）氨基]-9,9'-螺二芴空穴传输层和Au金属背电极层组成并依次构成叠层结构。本发明的优点和积极效果是：在杂化太阳能电池中采用Cs掺杂ZnO为电子传输层与氧化锌相比，电子传输能力提高2-3个数量级，电子-空穴的复合得到了有效的抑制，光电转换效率较高；其制备方法工艺简单、反应温度低、效率高、原材料丰富、成本低且绿色无污染，适于工业化大规模生产。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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