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专利基本信息
专利名称 磷化铟包覆硫化铟的核壳结构半导体纳米片材料及其制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN107747107B
专利申请日期 2017-10-13 专利类型 发明专利
申请公布号 2017109536107 申请公布日 2017-10-13
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 田洋;高艺轩
专利权人 首都师范大学
专利摘要 本发明涉及一种磷化铟包覆硫化铟的核壳结构半导体纳米片材料及其制备方法,其中采用简单的一步水热法先在导电玻璃基片上合成出纳米片状的硫化铟,然后利用磷化的方法在纳米片状的硫化铟表面形成磷化铟包覆层,所述制备方法简单、新颖、可控性强。合成的磷化铟包覆硫化铟的核壳结构半导体纳米片材料有助于光生载流子分离,增强光电转换效率,可以促进光电分解水的效率,符合最新的清洁能源及其可持续能源方面的研究。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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