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专利基本信息
专利名称 一种以酞菁钕为光敏层的平面异质结光敏有机场效应管
专利状态 - 专利号(申请号) CN203617347U
专利申请日期 2013-10-23 专利类型 实用新型专利
申请公布号 2013206568692 申请公布日 2013-10-23
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 彭应全;汤瑜;李尧
专利权人 兰州大学
专利摘要 光敏有机场效应管中平面异质结通常由p-型(n-型)光敏层和n-型(p-型)有机沟道层组成。本实用新型公开了一种以酞菁钕为光敏层的平面异质结光敏有机场效应管的设计与制备方法。依据本实用新型的平面异质结光敏有机场效应管包括衬底、栅极、栅介质、n-型有机沟道层、酞菁钕光敏层、源极和漏极。酞菁钕有机光敏层在可见光区域具有很高的光吸收系数,能够有效地吸收可见光,从而可以提高光生载流子产生效率。同时,n-型有机沟道层具有高的载流子迁移率,从而可以有效地提高光电流。因此本实用新型能有效地提高光敏场效应管的光响应度和光电流-暗电流比。
专利价值评估分析
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