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专利基本信息
专利名称 一种单晶硅片的退火制绒方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN103981575B
专利申请日期 2014-05-13 专利类型 发明专利
申请公布号 2014102010775 申请公布日 2014-05-13
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 高斐;郑逍遥;武怡;武慧君;李付贤;纪方旭;周松杰;王皓石;刘生忠
专利权人 陕西师范大学
专利摘要 本发明公开了一种单晶硅片的退火制绒方法,先将清洗后的单晶硅片在氢氟酸水溶液与乙醇水溶液的混合液中漂洗,然后将沾有制绒液的单晶硅片置于退火炉中退火,待退火完成后,再将硅片置于制绒液中制绒。本发明操作方便、工艺稳定、易于控制,制绒后的硅片表面金字塔均匀性好,绒面反射率低。
专利价值评估分析
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