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专利基本信息
专利名称 一种焦平面阵列非均匀性校正方法及校正电路
专利状态 - 专利号（申请号） CN111447382A
专利申请日期 2020-04-08 专利类型 发明专利
申请公布号 2020102688098 申请公布日 2020-04-08
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 谢光忠;李小飞;杨凯;鲁竟原;阙隆成
专利权人 电子科技大学
专利摘要 本发明公开了一种焦平面阵列非均匀性校正方法及校正电路,本发明通过在焦平面阵列读出电路中集成一非均匀性校正模块,非均匀性校正模块逐行逐列读出焦平面阵列中每个阵列像元的数字化输出信号,并将所述数字化输出信号与预先设定的像元输出目标值相比较,根据比较结果,调节第j列像元阵列偏置电路中的非均匀性调节电压的电压值,直至焦平面阵列探测器不再处于非均匀性校正调节模式,非均匀性校正模块停止工作,完成非均匀性校正。本发明非均匀性校正方法所采用的非均匀性校正模块结构简单,功耗及面积消耗低;使得焦平面阵列探测器本身能够实现非均匀性校正,不再需要外界输入非均匀性校正参数或对输出图像再次进行非均匀性处理。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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