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专利基本信息
专利名称 一种涂硼微孔中子成像探测器及其测量方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN109581473B
专利申请日期 2018-12-13 专利类型 发明专利
申请公布号 2018115246553 申请公布日 2018-12-13
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 邓超;庹先国;王琦标;李怀良;冷阳春;石睿;郑洪龙;成建峰;荣文钲;李金夫
专利权人 四川理工学院;中国工程物理研究院核物理与化学研究所;西南科技大学;成都理工大学
专利摘要 本发明公开一种涂硼微孔中子成像探测器及其测量方法,解决现有技术制作工艺复杂、穿丝工艺繁琐、工作可靠性受阳极丝稳定性影响较大,微孔表面涂硼工艺难度大及中子探测效率低的问题。本发明成像探测器包括场笼,阴极板,GEM膜,WSA阳极,石英玻璃片,探测器主体,石英玻璃片设狭缝和硼层。本发明测量方法为中子与硼发生核反应并生成带电粒子。带电粒子进入工作气体电离产生电子,在场笼电场的作用下电子漂移到GEM膜上进行电子信号倍增,并被WSA阳极获取,得到中子位置信息,进行信号探测。本发明制作过程工艺简便,采用玻璃作为涂硼中子探测器的基体材料,减少中子散射对中子测量造成的影响,使中子位置测量结果更加准确。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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