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专利基本信息
专利名称 一种拓扑场效应晶体管及其实现方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN110085660B
专利申请日期 2019-04-15 专利类型 发明专利
申请公布号 201910299136X 申请公布日 2019-04-15
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 廖志敏;王硕;林本川;俞大鹏
专利权人 北京大学
专利摘要 本发明公开了一种拓扑场效应晶体管及其实现方法。本发明利用拓扑半金属表面态电子的自旋‑动量锁定特性,在源极与漏极之间施加直流偏置电流,产生表面态的自旋极化,通过改变偏置电流方向的方式,或者调控栅极电压诱发拓扑相变的方式,实现0和1的转换;相比传统晶体管及自旋场效应晶体管,此拓扑场效应晶体管由于自身的拓扑保护特性,其中电子的传输不受背散射影响,从而能***减少热量的产生,极大降低功耗;同时打破了自旋场效应晶体管中最小沟道长度的限制,并实现了自旋信号开关比达300。
专利价值评估分析
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