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专利基本信息
专利名称 一种二维原子材料的微纳结构及图形化制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN105399049B
专利申请日期 2015-12-03 专利类型 发明专利
申请公布号 2015108770150 申请公布日 2015-12-03
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 佘峻聪;李莎莎;邓少芝;许宁生;陈军
专利权人 中山大学
专利摘要 本发明属于微纳结构制备与加工技术领域,公开了一种二维原子材料的微纳结构及图形化制备方法,内容如下:将二维原子材料置于衬底上,在一定真空度下用电子束辐照二维原子材料表面,然后利用等离子体刻蚀二维原子材料实现图形化;所述电子束能量和剂量范围分别为100eV~30keV和102~108μC/cm2,所述真空度为1×10‑7~5×10‑3Pa。该方法无需经历湿法过程,制备的图形尺寸小,可以对平铺在衬底或悬空或覆盖在衬底表面凸起或下凹的微纳结构上的二维原子材料进行加工。
专利价值评估分析
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