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专利基本信息
专利名称 一种自组装多维量子阱CsPbX3钙钛矿纳米晶电致发光二极管
专利状态 - 专利号（申请号） CN110943178B
专利申请日期 2019-11-25 专利类型 发明专利
申请公布号 2019111679184 申请公布日 2019-11-25
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 田建军;毕成浩;姚志伟
专利权人 北京科技大学
专利摘要 一种自组装多维量子阱CsPbX3钙钛矿纳米晶电致发光二极管,属于纳米科技和发光显示领域。本发明二极管是由透明导电氧化物阳极TOC、空穴传输层材料HTL、多维量子阱结构CsPbX3纳米晶发光层EL、电子传输层材料ETL和金属阴极CL组成。本发明首先采用化学合成法制备自组装多维量子阱CsPbX3纳米晶溶液,再采用旋涂技术在TOC上依次旋涂空穴传输层材料HTL、CsPbX3自组装多维量子阱纳米晶溶液、电子传输层材料ETL,最后通过真空蒸发技术在ETL上沉积金属阴极CL。本发明可以通过调控自组装多维量子阱CsPbX3纳米晶的维度和成分就可以实现400~700纳米可见光发光范围内任意发光谱;而且多维量子阱结构CsPbX3纳米晶的荧光量子产率高、缺陷少;电致发光二极管发光效率和外量子效率高、稳定性好、寿命长。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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