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专利基本信息
专利名称 一种低温氧等离子体超净水清洗硅片系统
专利状态 - 专利号(申请号) CN105185730B
专利申请日期 2015-08-16 专利类型 发明专利
申请公布号 2015105008625 申请公布日 2015-08-16
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 白敏菂;冷白羽
专利权人 大连海事大学
专利摘要 本发明公开了一种低温氧等离子体超净水清洗硅片系统与方法,其特征在于该系统主要包括等离子体源、高频高压电源、气液溶解器、气液混合器、气液分离器、剩余低温氧等离子体气体消除器、低温氧等离子体水溶液浓度检测仪、硅片清洗槽、硅片清洗支架、阀体、过滤器、离心泵、止回阀、流量计等。清洗方法是把制取浓度为20mg/L~50mg/L的低温氧等离子体超净水注入硅片清洗槽中,在水温为5℃~40℃时,清洗硅片时间为2s~1min,去除硅片表面有机污染物、金属沾污物、颗粒物和自然氧化膜,去除率高于O3/HF、SPM(H2SO4/H2O2)和HPM(HCl/H2O2)等传统方法。
专利价值评估分析
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