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专利基本信息
专利名称 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN107342200B
专利申请日期 2017-06-28 专利类型 发明专利
申请公布号 2017105046202 申请公布日 2017-06-28
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 张忻;刘洪亮;肖怡新;冯琦;张久兴
专利权人 北京工业大学
专利摘要 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法属于阴极场发射技术领域。目前,稀土六硼化物场发射阵列的制备极其困难,限制了其在场发射领域的大规模应用。本发明采用激光微纳加工技术在稀土六硼化物表面加工出均匀的尖锥场发射阵列,所述尖锥场发射阵列的形貌具有很高的一致性。通过激光微纳加工工艺参数的调整,能够加工出曲率半径纳米到微米级别的尖锥场发射阵列,尖锥高度、间隔和密度可控,适合大规模应用。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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