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专利基本信息
专利名称 一种双异质结和复合钝化层的IMPATT二极管及其制作方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN109786484A
专利申请日期 2018-12-19 专利类型 发明专利
申请公布号 2018115580224 申请公布日 2018-12-19
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 杨林安;李秀圣;马晓华;郝跃
专利权人 西安电子科技大学
专利摘要 本发明涉及一种双异质结和复合钝化层的IMPATT二极管,包括:衬底层;外延层,位于衬底层上层;欧姆接触层,位于外延层中间的上层;第一漂移区,位于欧姆接触层中间的上层;第二漂移区,位于第一漂移区上层;雪崩区,位于第二漂移区上层;欧姆接触电极,位于欧姆接触层两侧和欧姆接触层两侧的上层;第一钝化层,位于欧姆接触层上层和欧姆接触电极上层,且位于第一漂移区两侧、第二漂移区两侧和雪崩区两侧;第二钝化层,位于第一钝化层上层;肖特基接触电极,位于雪崩区上层和第二钝化层上层。本发明提出的二极管,提高了雪崩区载流子电离率,雪崩效应被限制在雪崩区,减小了雪崩区宽度,改善了功率输出能力。
专利价值评估分析
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