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专利基本信息
专利名称 一种基于非自支撑GaN对粘制备金刚石基GaN的方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN107204282B
专利申请日期 2017-06-26 专利类型 发明专利
申请公布号 2017104919451 申请公布日 2017-06-26
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 李成明;贾鑫;魏俊俊;陈良贤;安康;郑宇亭;黑立富;刘金龙
专利权人 北京科技大学
专利摘要 本发明是基于GaN原始衬底去除生长金刚石的一种方法,属于半导体工艺技术领域,通过非自支撑氮化镓对粘及粘结剂中加入低热膨胀系数、高热导率材料,以CVD法在氮化镓上沉积金刚石膜,实现金刚石基氮化镓晶片。其步骤如下:1)非自支撑的GaN晶片清洗;2)将两个GaN面旋涂高温粘结剂对粘,粘结剂添加填充材料;3)固化粘结剂;4)用湿法刻蚀和ICP选择性刻蚀GaN原衬底;5)在暴露的GaN表面沉积介电层,然后将晶片在金刚石乙醇悬浮液中超声处理;6)将处理后的晶片沉积金刚石膜;7)刻蚀另一面衬底并沉积介电层和金刚石薄膜;8)双面沉积金刚石的晶片去除粘结剂。与传统的键合方法相比,可以更高效快捷得到低界面热阻的金刚石基GaN复合晶片。
专利价值评估分析
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