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专利基本信息
专利名称 磁控溅射法制备二硼化钛/二氧化锆梯度纳米结构薄膜及其应用
专利状态 - 专利号（申请号） CN110029320B
专利申请日期 2019-05-14 专利类型 发明专利
申请公布号 2019103965540 申请公布日 2019-05-14
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 李德军;毛栋;董磊
专利权人 天津师范大学
专利摘要 本发明涉及一种TiB2/ZrO2梯度纳米结构薄膜及其应用。它是利用磁控溅射技术,制备得到的TiB2/ZrO2梯度纳米结构薄膜。TiB2/ZrO2梯度纳米结构薄膜由在单晶的硅Si(100)基片上交替沉积TiB2和ZrO2层,TiB2层厚度由上到下为30+n×3nm(10>n≥0,n为正整数),ZrO2层厚度不变,为30 nm,设定10个调制周期,然后在多层膜表面溅射一层100nm厚的TiB2作为多层膜的顶层,总层厚为1‑1.3μm。随后进行600℃有氧保温30 min的高温氧化实验,探究TiB2/ZrO2梯度纳米结构薄膜的抗氧化性变化。通过对薄膜机械性能测试得到具有高硬度、高膜基结合力、断裂韧性好、抗氧化性好的优良综合特性的TiB2/ZrO2梯度纳米结构薄膜,该薄膜在切割刀具、机械零部件和功能陶瓷技术领域中将有重要的应用前景。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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