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专利基本信息
专利名称 一种纳米级三态阻变存储器及其制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN103996790B
专利申请日期 2014-05-28 专利类型 发明专利
申请公布号 201410230154X 申请公布日 2014-05-28
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 闫小兵;陈英方;郝华;娄建忠
专利权人 河北大学
专利摘要 本发明公开了一种纳米级三态阻变存储器,其是在Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜层上依次沉积有nc‑Si:H膜和Ag电极膜。本发明同时公开了其制备方法,具体是采用PECVD方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底生长一层nc‑Si:H膜,然后采用磁控溅射的方法在nc‑Si:H膜上生长Ag电极。本发明的三态阻变存储器具有长的保持时间和良好的开关性能,呈现出较为稳定三阻态的保持,其保持时间长达2.3×105s;并且高阻态电阻与中间阻态电阻的开关阻值比大于102,中间阻态电阻与低阻态电阻的开关阻值比大于105,拥有显著的开关效应。
专利价值评估分析
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