您所在的位置: 首页 > 专利技术 > 正文
专利基本信息
专利名称 具有高阻区的椭圆环形腔微腔激光器
专利状态 - 专利号(申请号) CN104377546B
专利申请日期 2014-12-08 专利类型 发明专利
申请公布号 2014107452368 申请公布日 2014-12-08
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 晏长岭;史建伟;冯源;郝永芹;李鹏
专利权人 长春理工大学
专利摘要 具有高阻区的椭圆环形腔微腔激光器属于半导体激光器技术领域。现有带切口的椭圆盘型腔微腔激光器激射阈值高,电光转换效率低,温升高,光输出功率低;现有椭圆环形腔半导体激光器成品率低,且难以实现高光功率输出。本发明之具有高阻区的椭圆环形腔微腔激光器其组成部分自上而下依次为上电极、上波导层、有源增益层、下波导层、衬底、下电极,下电极焊接到铜热沉上,上电极、上波导层、有源增益层、下波导层为椭圆盘型,在有源增益层的外边界椭圆短轴一端有一个半椭圆切口;其特征在于,上波导层的中心区域为高阻区,所述高阻区系在上波导层上制作上电极之前,采用光刻掩膜、质子注入方法形成。
专利价值评估分析
相关推荐
Baidu
map