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专利基本信息
专利名称 一种激光微凹坑阵列制造装置和方法
专利状态 开放许可的声明及撤回 专利号(申请号) CN201410421717.3
专利申请日期 2014-08-26 专利类型 发明专利
申请公布号 CN104175001A 申请公布日 2014-12-03
授权公告号 CN104175001B 授权公告日 2016-04-27
发明人 温德平,戴峰泽,张永康,丁玎
专利权人 江苏大学
专利摘要 本发明公开了一种激光微凹坑阵列制造装置和方法,涉及激光微凹坑制造领域。本发明首先在工件上表面向上依次覆盖柔性贴膜和喷涂有吸收层的平网,并一起装夹在工作台上,喷水装置向平网表面喷射水层。激光束透过水层,一部分激光穿过平网的网孔,烧蚀柔性贴膜和工件表面,形成微凹坑和大量飞溅的熔渣;另一部分激光束被吸收层阻挡和吸收,产生等离子体爆炸形成冲击波,冲击波使平网、柔性贴膜和工件表面三者紧贴一起,相互间不留缝隙,阻止熔渣进入非激光辐照区的工件表面。本发明可提高微凹坑表面质量,避免熔渣粘附在微凹坑周边,提高加工效率,保证微凹坑尺寸的重复性,同时可以在工件表面加工各种形状和分布的微凹坑阵列。
专利价值评估分析
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