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专利基本信息
专利名称 一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN108598256B
专利申请日期 2015-04-27 专利类型 发明专利
申请公布号 2018102572592 申请公布日 2015-04-27
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 胡益丰;朱小芹;吴世臣;邹华;袁丽;吴卫华;张建豪;眭永兴;沈大华
专利权人 江苏理工学院
专利摘要 本发明公开了一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法,Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构,由Ge层和Sb层交替沉积复合而成,将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期,后一个交替周期的Ge层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料利用类超晶格结构中多层界面的夹持效应,减小晶粒尺寸,从而缩短结晶时间、抑制晶化,在提高材料热稳定性的同时加快相变速度。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲下的Ge2Sb2Te5薄膜的RESET电压低30%以上,说明本发明的GeSb类超晶格相变薄膜材料具有更低的功耗。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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