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专利基本信息
专利名称 Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用
专利状态 - 专利号(申请号) CN108878645B
专利申请日期 2018-06-14 专利类型 发明专利
申请公布号 2018106149588 申请公布日 2018-06-14
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 胡益丰;尤海鹏;朱强华;臧千强;张锐;郭璇;朱小芹;邹华
专利权人 江苏理工学院
专利摘要 本发明涉及微电子、多层相变薄膜材料的利用技术领域,具体涉及了一种Cu/SnSe多层相变薄膜材料并进一步公开其制备方法,以及Cu/SnSe多层相变薄膜材料用于高速、低功耗相变存储器的应用。本发明所述多层薄膜材料通过磁控溅射交替沉积Cu和SnSe层,在纳米量级复合而成。通过磁控溅射交替沉积Cu和SnSe层制作的多层相变薄膜材料取得了较好的性能优势,从而得到一种在相变前后的电阻率较大,在SET和RESET过程中所需的能量较少,***降低PCM器件的功耗的Cu/SnSe纳米复合多层。
专利价值评估分析
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