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专利基本信息
专利名称 一种低温烧结的莫来石原位增强碳化硅多孔陶瓷的制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN105541333B
专利申请日期 2015-12-10 专利类型 发明专利
申请公布号 201510907747X 申请公布日 2015-12-10
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 邓义群;沈针
专利权人 江西理工大学
专利摘要 本发明公开了一种低温烧结的莫来石原位增强碳化硅多孔陶瓷的制备方法,通过将Al2(SO4)3、Na2SO4和B2O3原料混合球磨后得到混合料A;再将混合料A与SiC粉料、造孔剂混合球磨后得到混合料B;混合料B经压制成型后进行干燥并煅烧,最后将煅烧后的样品通过超声波清洗后烘干即得。该方法一方面促进了碳化硅多孔陶瓷的低温烧结;另一方面,不仅克服了当高温粘结剂或助烧剂存在时材料在高温下使用的缺陷,而且还有助于进一步提高材料的孔隙率;更为重要的是,通过高温反应将碳化硅表面由于氧化而生成的SiO2转变为莫来石晶相,从而进一步改善了材料的高温力学性能和抗氧化性能。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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