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一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途，所述电极由下而上依次包括AlGaN/GaN基底、帽层金属层和TixAly合金层，其中，x＞0，y＞0。所述方法采用光刻技术在AlGaN层上定义漏极和/或源极图形，然后在AlGaN表面依次沉积TixAly合金和帽层金属层，去除光刻胶，进行剥离处理，再对剥离后的样品进行热处理，得到所述的AlGaN/GaN欧姆接触电极。本发明同时还提供一种降低AlGaN/GaN基底与电极之间欧姆接触的方法，通过AlGaN/GaN基底表面沉积TixAly合金层作为电极而实现。本发明提供的欧姆接触电极，达到射频器件的制备标准，同时提高器件的稳定性和可靠性。
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碳化硅嵌入式电极异面型光导开关及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上致密绝缘氧化层(2)、下致密绝缘氧化层(3)、上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)，该上致密绝缘氧化层(2)和下致密绝缘氧化层(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，掺钒碳化硅衬底的正面及其表面的上致密绝缘氧化层(2)所对应位置处开有上凹槽(6)，掺钒碳化硅衬底背面及其表面的下致密绝缘氧化层(3)所对应位置处开有下凹槽(7)，上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)分别嵌入到上凹槽(6)中和下凹槽(7)中。本发明具有导通电阻小，导通效率和载流子收集率高，边缘击穿少的优点，可用于高速脉冲系统。
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具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
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一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途
成熟度：通过小试
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本发明涉及一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途，所述电极由下而上依次包括AlGaN/GaN基底、帽层金属层和TixAly合金层，其中，x＞0，y＞0。所述方法采用光刻技术在AlGaN层上定义漏极和/或源极图形，然后在AlGaN表面依次沉积TixAly合金和帽层金属层，去除光刻胶，进行剥离处理，再对剥离后的样品进行热处理，得到所述的AlGaN/GaN欧姆接触电极。本发明同时还提供一种降低AlGaN/GaN基底与电极之间欧姆接触的方法，通过AlGaN/GaN基底表面沉积TixAly合金层作为电极而实现。本发明提供的欧姆接触电极，达到射频器件的制备标准，同时提高器件的稳定性和可靠性。
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碳化硅嵌入式电极异面型光导开关及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上致密绝缘氧化层(2)、下致密绝缘氧化层(3)、上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)，该上致密绝缘氧化层(2)和下致密绝缘氧化层(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，掺钒碳化硅衬底的正面及其表面的上致密绝缘氧化层(2)所对应位置处开有上凹槽(6)，掺钒碳化硅衬底背面及其表面的下致密绝缘氧化层(3)所对应位置处开有下凹槽(7)，上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)分别嵌入到上凹槽(6)中和下凹槽(7)中。本发明具有导通电阻小，导通效率和载流子收集率高，边缘击穿少的优点，可用于高速脉冲系统。
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具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
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一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途
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本发明涉及一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途，所述电极由下而上依次包括AlGaN/GaN基底、帽层金属层和TixAly合金层，其中，x＞0，y＞0。所述方法采用光刻技术在AlGaN层上定义漏极和/或源极图形，然后在AlGaN表面依次沉积TixAly合金和帽层金属层，去除光刻胶，进行剥离处理，再对剥离后的样品进行热处理，得到所述的AlGaN/GaN欧姆接触电极。本发明同时还提供一种降低AlGaN/GaN基底与电极之间欧姆接触的方法，通过AlGaN/GaN基底表面沉积TixAly合金层作为电极而实现。本发明提供的欧姆接触电极，达到射频器件的制备标准，同时提高器件的稳定性和可靠性。
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碳化硅嵌入式电极异面型光导开关及其制作方法
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本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上致密绝缘氧化层(2)、下致密绝缘氧化层(3)、上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)，该上致密绝缘氧化层(2)和下致密绝缘氧化层(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，掺钒碳化硅衬底的正面及其表面的上致密绝缘氧化层(2)所对应位置处开有上凹槽(6)，掺钒碳化硅衬底背面及其表面的下致密绝缘氧化层(3)所对应位置处开有下凹槽(7)，上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)分别嵌入到上凹槽(6)中和下凹槽(7)中。本发明具有导通电阻小，导通效率和载流子收集率高，边缘击穿少的优点，可用于高速脉冲系统。
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具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法
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本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
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本发明涉及一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途，所述电极由下而上依次包括AlGaN/GaN基底、帽层金属层和TixAly合金层，其中，x＞0，y＞0。所述方法采用光刻技术在AlGaN层上定义漏极和/或源极图形，然后在AlGaN表面依次沉积TixAly合金和帽层金属层，去除光刻胶，进行剥离处理，再对剥离后的样品进行热处理，得到所述的AlGaN/GaN欧姆接触电极。本发明同时还提供一种降低AlGaN/GaN基底与电极之间欧姆接触的方法，通过AlGaN/GaN基底表面沉积TixAly合金层作为电极而实现。本发明提供的欧姆接触电极，达到射频器件的制备标准，同时提高器件的稳定性和可靠性。
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碳化硅嵌入式电极异面型光导开关及其制作方法
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本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上致密绝缘氧化层(2)、下致密绝缘氧化层(3)、上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)，该上致密绝缘氧化层(2)和下致密绝缘氧化层(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，掺钒碳化硅衬底的正面及其表面的上致密绝缘氧化层(2)所对应位置处开有上凹槽(6)，掺钒碳化硅衬底背面及其表面的下致密绝缘氧化层(3)所对应位置处开有下凹槽(7)，上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)分别嵌入到上凹槽(6)中和下凹槽(7)中。本发明具有导通电阻小，导通效率和载流子收集率高，边缘击穿少的优点，可用于高速脉冲系统。
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本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
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本发明涉及一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途，所述电极由下而上依次包括AlGaN/GaN基底、帽层金属层和TixAly合金层，其中，x＞0，y＞0。所述方法采用光刻技术在AlGaN层上定义漏极和/或源极图形，然后在AlGaN表面依次沉积TixAly合金和帽层金属层，去除光刻胶，进行剥离处理，再对剥离后的样品进行热处理，得到所述的AlGaN/GaN欧姆接触电极。本发明同时还提供一种降低AlGaN/GaN基底与电极之间欧姆接触的方法，通过AlGaN/GaN基底表面沉积TixAly合金层作为电极而实现。本发明提供的欧姆接触电极，达到射频器件的制备标准，同时提高器件的稳定性和可靠性。
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本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上致密绝缘氧化层(2)、下致密绝缘氧化层(3)、上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)，该上致密绝缘氧化层(2)和下致密绝缘氧化层(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，掺钒碳化硅衬底的正面及其表面的上致密绝缘氧化层(2)所对应位置处开有上凹槽(6)，掺钒碳化硅衬底背面及其表面的下致密绝缘氧化层(3)所对应位置处开有下凹槽(7)，上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)分别嵌入到上凹槽(6)中和下凹槽(7)中。本发明具有导通电阻小，导通效率和载流子收集率高，边缘击穿少的优点，可用于高速脉冲系统。
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本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
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本发明涉及一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途，所述电极由下而上依次包括AlGaN/GaN基底、帽层金属层和TixAly合金层，其中，x＞0，y＞0。所述方法采用光刻技术在AlGaN层上定义漏极和/或源极图形，然后在AlGaN表面依次沉积TixAly合金和帽层金属层，去除光刻胶，进行剥离处理，再对剥离后的样品进行热处理，得到所述的AlGaN/GaN欧姆接触电极。本发明同时还提供一种降低AlGaN/GaN基底与电极之间欧姆接触的方法，通过AlGaN/GaN基底表面沉积TixAly合金层作为电极而实现。本发明提供的欧姆接触电极，达到射频器件的制备标准，同时提高器件的稳定性和可靠性。
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本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上致密绝缘氧化层(2)、下致密绝缘氧化层(3)、上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)，该上致密绝缘氧化层(2)和下致密绝缘氧化层(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，掺钒碳化硅衬底的正面及其表面的上致密绝缘氧化层(2)所对应位置处开有上凹槽(6)，掺钒碳化硅衬底背面及其表面的下致密绝缘氧化层(3)所对应位置处开有下凹槽(7)，上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)分别嵌入到上凹槽(6)中和下凹槽(7)中。本发明具有导通电阻小，导通效率和载流子收集率高，边缘击穿少的优点，可用于高速脉冲系统。
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本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
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本发明涉及一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途，所述电极由下而上依次包括AlGaN/GaN基底、帽层金属层和TixAly合金层，其中，x＞0，y＞0。所述方法采用光刻技术在AlGaN层上定义漏极和/或源极图形，然后在AlGaN表面依次沉积TixAly合金和帽层金属层，去除光刻胶，进行剥离处理，再对剥离后的样品进行热处理，得到所述的AlGaN/GaN欧姆接触电极。本发明同时还提供一种降低AlGaN/GaN基底与电极之间欧姆接触的方法，通过AlGaN/GaN基底表面沉积TixAly合金层作为电极而实现。本发明提供的欧姆接触电极，达到射频器件的制备标准，同时提高器件的稳定性和可靠性。
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本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上致密绝缘氧化层(2)、下致密绝缘氧化层(3)、上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)，该上致密绝缘氧化层(2)和下致密绝缘氧化层(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，掺钒碳化硅衬底的正面及其表面的上致密绝缘氧化层(2)所对应位置处开有上凹槽(6)，掺钒碳化硅衬底背面及其表面的下致密绝缘氧化层(3)所对应位置处开有下凹槽(7)，上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)分别嵌入到上凹槽(6)中和下凹槽(7)中。本发明具有导通电阻小，导通效率和载流子收集率高，边缘击穿少的优点，可用于高速脉冲系统。
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本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
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本发明涉及一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途，所述电极由下而上依次包括AlGaN/GaN基底、帽层金属层和TixAly合金层，其中，x＞0，y＞0。所述方法采用光刻技术在AlGaN层上定义漏极和/或源极图形，然后在AlGaN表面依次沉积TixAly合金和帽层金属层，去除光刻胶，进行剥离处理，再对剥离后的样品进行热处理，得到所述的AlGaN/GaN欧姆接触电极。本发明同时还提供一种降低AlGaN/GaN基底与电极之间欧姆接触的方法，通过AlGaN/GaN基底表面沉积TixAly合金层作为电极而实现。本发明提供的欧姆接触电极，达到射频器件的制备标准，同时提高器件的稳定性和可靠性。
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本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上致密绝缘氧化层(2)、下致密绝缘氧化层(3)、上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)，该上致密绝缘氧化层(2)和下致密绝缘氧化层(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，掺钒碳化硅衬底的正面及其表面的上致密绝缘氧化层(2)所对应位置处开有上凹槽(6)，掺钒碳化硅衬底背面及其表面的下致密绝缘氧化层(3)所对应位置处开有下凹槽(7)，上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)分别嵌入到上凹槽(6)中和下凹槽(7)中。本发明具有导通电阻小，导通效率和载流子收集率高，边缘击穿少的优点，可用于高速脉冲系统。
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本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。