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一种用于在线监测核反应堆堆芯中子通量分布的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本发明涉及核反应堆堆芯功率监测领域，公开了一种用于在线监测核反应堆堆芯中子通量分布的方法。该方法基于在反应堆布置M1个堆内中子探测器和M2个堆外中子探测器，先根据更新反应堆的参考堆芯模型MΦ＝(1/k)FΦ，求解其高阶谐波，然后结合堆内、堆外中子探测器的读数，在线重构出真实的反应堆堆芯内中子通量分布。
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基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。
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一种用于放射性物质监测的中子探测器
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
该项目研制的用于放射性物质监测的中子探测器，涉及对放射性物质监测的技术领域。该装置包括安装在支架中的慢化体、正比计数管、电气盒和填充料，正比计数管置于慢化体之中，在它们的一端装有电气盒，慢化体和支架的内壁间装有填充料，其结构特点是，所述正比计数管的位置偏离慢化体的中心。同现有技术相比，该实用新型的正比计数管在慢化体中的位置采用了偏心的结构，中子从不同端面入射时可对应有不同的慢化体的慢化层厚度，在不改变中子探测器结构的情况下，提高对不同中子源的适应范围。
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4H-SiC基中子探测器用6LiF/ BC4复合中子转换薄膜制备工艺方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/BC4复合中子转换膜制备方法，采用射频磁控溅射技术，主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiF/BC4复合转换膜等步骤。镀前处理为采用丙酮、乙醇超声波清洗；反溅射和预溅射清洗去除4H-SiC基体及靶材杂质。采用本发明获得的6LiF/BC4转换膜层耐辐照损伤、耐高温、厚度能精确可控、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明制备的6LiF/BC4复合转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。
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一种诊断反应堆中子探测器失效的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
一种诊断反应堆中子探测器失效的方法，通过对探测器测量值的直接比较法、测量值间比较法、测量值与响应重构值比较法分三个阶段对探测器测量值进行失效诊断；三种判断方式的结合使用使得本发明所描述的探测器失效诊断方法不仅可以对探测器完全失效进行有效诊断，同时可以对探测器测量值偏离正常值的失效做出准确诊断，并具备区分探测器失效及局部功率振荡的能力；通过去除失效探测器测量值，保证堆芯功率分布在线监测系统不使用故障探测器测量值，为在线监测系统提供可靠输入参数；本发明中探测器失效诊断方法不受探测器类型、在线监测方法、探测器失效类型的限制，失效诊断用时短、诊断迅速、诊断结果准确可靠。
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基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法，在Si衬底上采用射频磁控溅射法制备一层高质量的ZnO薄膜，在此基础上采用光刻工艺制备ZnO薄膜晶体管紫外光探测器，再在其上采用磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而制备了硼镓共掺ZnO闪烁体薄膜‑ZnO薄膜晶体管紫外光探测器‑Si衬底结构的中子探测器。本发明采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜晶体管紫外光探测器对紫外光进行探测，从而实现对中子的探测，检测精度高，可靠性高。
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一种肖特基型中子探测器及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明一种肖特基型中子探测器及其制作方法，涉及中子辐射的测量，是氮化镓中子探测器，自下至上包括欧姆接触、n+掺杂氮化镓层、氮化镓厚膜基底、肖特基接触、保护环和6LiF中子转换层，其中，n+掺杂氮化镓层形成在氮化镓厚膜基底的氮极性面，欧姆接触被制作在n+掺杂氮化镓层上面，肖特基接触被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上的中间部分，保护环被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上肖特基接触四周的环形部分，6LiF中子转换层被制作在肖特基接触的上面，位于肖特基接触的中央部位。本发明克服了现有技术的中子探测器不能用于核反应堆、高能物理实验和外太空的高温、高压和强辐射极端环境中的缺陷。
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一种用于在线监测核反应堆堆芯中子通量分布的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本发明涉及核反应堆堆芯功率监测领域，公开了一种用于在线监测核反应堆堆芯中子通量分布的方法。该方法基于在反应堆布置M1个堆内中子探测器和M2个堆外中子探测器，先根据更新反应堆的参考堆芯模型MΦ＝(1/k)FΦ，求解其高阶谐波，然后结合堆内、堆外中子探测器的读数，在线重构出真实的反应堆堆芯内中子通量分布。
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基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。
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一种用于放射性物质监测的中子探测器
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
该项目研制的用于放射性物质监测的中子探测器，涉及对放射性物质监测的技术领域。该装置包括安装在支架中的慢化体、正比计数管、电气盒和填充料，正比计数管置于慢化体之中，在它们的一端装有电气盒，慢化体和支架的内壁间装有填充料，其结构特点是，所述正比计数管的位置偏离慢化体的中心。同现有技术相比，该实用新型的正比计数管在慢化体中的位置采用了偏心的结构，中子从不同端面入射时可对应有不同的慢化体的慢化层厚度，在不改变中子探测器结构的情况下，提高对不同中子源的适应范围。
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4H-SiC基中子探测器用6LiF/ BC4复合中子转换薄膜制备工艺方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/BC4复合中子转换膜制备方法，采用射频磁控溅射技术，主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiF/BC4复合转换膜等步骤。镀前处理为采用丙酮、乙醇超声波清洗；反溅射和预溅射清洗去除4H-SiC基体及靶材杂质。采用本发明获得的6LiF/BC4转换膜层耐辐照损伤、耐高温、厚度能精确可控、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明制备的6LiF/BC4复合转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。
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一种诊断反应堆中子探测器失效的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
一种诊断反应堆中子探测器失效的方法，通过对探测器测量值的直接比较法、测量值间比较法、测量值与响应重构值比较法分三个阶段对探测器测量值进行失效诊断；三种判断方式的结合使用使得本发明所描述的探测器失效诊断方法不仅可以对探测器完全失效进行有效诊断，同时可以对探测器测量值偏离正常值的失效做出准确诊断，并具备区分探测器失效及局部功率振荡的能力；通过去除失效探测器测量值，保证堆芯功率分布在线监测系统不使用故障探测器测量值，为在线监测系统提供可靠输入参数；本发明中探测器失效诊断方法不受探测器类型、在线监测方法、探测器失效类型的限制，失效诊断用时短、诊断迅速、诊断结果准确可靠。
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基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法，在Si衬底上采用射频磁控溅射法制备一层高质量的ZnO薄膜，在此基础上采用光刻工艺制备ZnO薄膜晶体管紫外光探测器，再在其上采用磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而制备了硼镓共掺ZnO闪烁体薄膜‑ZnO薄膜晶体管紫外光探测器‑Si衬底结构的中子探测器。本发明采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜晶体管紫外光探测器对紫外光进行探测，从而实现对中子的探测，检测精度高，可靠性高。
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一种肖特基型中子探测器及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明一种肖特基型中子探测器及其制作方法，涉及中子辐射的测量，是氮化镓中子探测器，自下至上包括欧姆接触、n+掺杂氮化镓层、氮化镓厚膜基底、肖特基接触、保护环和6LiF中子转换层，其中，n+掺杂氮化镓层形成在氮化镓厚膜基底的氮极性面，欧姆接触被制作在n+掺杂氮化镓层上面，肖特基接触被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上的中间部分，保护环被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上肖特基接触四周的环形部分，6LiF中子转换层被制作在肖特基接触的上面，位于肖特基接触的中央部位。本发明克服了现有技术的中子探测器不能用于核反应堆、高能物理实验和外太空的高温、高压和强辐射极端环境中的缺陷。
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一种用于在线监测核反应堆堆芯中子通量分布的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本发明涉及核反应堆堆芯功率监测领域，公开了一种用于在线监测核反应堆堆芯中子通量分布的方法。该方法基于在反应堆布置M1个堆内中子探测器和M2个堆外中子探测器，先根据更新反应堆的参考堆芯模型MΦ＝(1/k)FΦ，求解其高阶谐波，然后结合堆内、堆外中子探测器的读数，在线重构出真实的反应堆堆芯内中子通量分布。
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基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。
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一种用于放射性物质监测的中子探测器
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
该项目研制的用于放射性物质监测的中子探测器，涉及对放射性物质监测的技术领域。该装置包括安装在支架中的慢化体、正比计数管、电气盒和填充料，正比计数管置于慢化体之中，在它们的一端装有电气盒，慢化体和支架的内壁间装有填充料，其结构特点是，所述正比计数管的位置偏离慢化体的中心。同现有技术相比，该实用新型的正比计数管在慢化体中的位置采用了偏心的结构，中子从不同端面入射时可对应有不同的慢化体的慢化层厚度，在不改变中子探测器结构的情况下，提高对不同中子源的适应范围。
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4H-SiC基中子探测器用6LiF/ BC4复合中子转换薄膜制备工艺方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/BC4复合中子转换膜制备方法，采用射频磁控溅射技术，主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiF/BC4复合转换膜等步骤。镀前处理为采用丙酮、乙醇超声波清洗；反溅射和预溅射清洗去除4H-SiC基体及靶材杂质。采用本发明获得的6LiF/BC4转换膜层耐辐照损伤、耐高温、厚度能精确可控、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明制备的6LiF/BC4复合转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。
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一种诊断反应堆中子探测器失效的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
一种诊断反应堆中子探测器失效的方法，通过对探测器测量值的直接比较法、测量值间比较法、测量值与响应重构值比较法分三个阶段对探测器测量值进行失效诊断；三种判断方式的结合使用使得本发明所描述的探测器失效诊断方法不仅可以对探测器完全失效进行有效诊断，同时可以对探测器测量值偏离正常值的失效做出准确诊断，并具备区分探测器失效及局部功率振荡的能力；通过去除失效探测器测量值，保证堆芯功率分布在线监测系统不使用故障探测器测量值，为在线监测系统提供可靠输入参数；本发明中探测器失效诊断方法不受探测器类型、在线监测方法、探测器失效类型的限制，失效诊断用时短、诊断迅速、诊断结果准确可靠。
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基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法，在Si衬底上采用射频磁控溅射法制备一层高质量的ZnO薄膜，在此基础上采用光刻工艺制备ZnO薄膜晶体管紫外光探测器，再在其上采用磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而制备了硼镓共掺ZnO闪烁体薄膜‑ZnO薄膜晶体管紫外光探测器‑Si衬底结构的中子探测器。本发明采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜晶体管紫外光探测器对紫外光进行探测，从而实现对中子的探测，检测精度高，可靠性高。
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一种肖特基型中子探测器及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明一种肖特基型中子探测器及其制作方法，涉及中子辐射的测量，是氮化镓中子探测器，自下至上包括欧姆接触、n+掺杂氮化镓层、氮化镓厚膜基底、肖特基接触、保护环和6LiF中子转换层，其中，n+掺杂氮化镓层形成在氮化镓厚膜基底的氮极性面，欧姆接触被制作在n+掺杂氮化镓层上面，肖特基接触被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上的中间部分，保护环被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上肖特基接触四周的环形部分，6LiF中子转换层被制作在肖特基接触的上面，位于肖特基接触的中央部位。本发明克服了现有技术的中子探测器不能用于核反应堆、高能物理实验和外太空的高温、高压和强辐射极端环境中的缺陷。
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一种用于在线监测核反应堆堆芯中子通量分布的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本发明涉及核反应堆堆芯功率监测领域，公开了一种用于在线监测核反应堆堆芯中子通量分布的方法。该方法基于在反应堆布置M1个堆内中子探测器和M2个堆外中子探测器，先根据更新反应堆的参考堆芯模型MΦ＝(1/k)FΦ，求解其高阶谐波，然后结合堆内、堆外中子探测器的读数，在线重构出真实的反应堆堆芯内中子通量分布。
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基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。
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一种用于放射性物质监测的中子探测器
成熟度：-
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应用行业：制造业
技术简介
该项目研制的用于放射性物质监测的中子探测器，涉及对放射性物质监测的技术领域。该装置包括安装在支架中的慢化体、正比计数管、电气盒和填充料，正比计数管置于慢化体之中，在它们的一端装有电气盒，慢化体和支架的内壁间装有填充料，其结构特点是，所述正比计数管的位置偏离慢化体的中心。同现有技术相比，该实用新型的正比计数管在慢化体中的位置采用了偏心的结构，中子从不同端面入射时可对应有不同的慢化体的慢化层厚度，在不改变中子探测器结构的情况下，提高对不同中子源的适应范围。
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4H-SiC基中子探测器用6LiF/ BC4复合中子转换薄膜制备工艺方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/BC4复合中子转换膜制备方法，采用射频磁控溅射技术，主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiF/BC4复合转换膜等步骤。镀前处理为采用丙酮、乙醇超声波清洗；反溅射和预溅射清洗去除4H-SiC基体及靶材杂质。采用本发明获得的6LiF/BC4转换膜层耐辐照损伤、耐高温、厚度能精确可控、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明制备的6LiF/BC4复合转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。
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一种诊断反应堆中子探测器失效的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
一种诊断反应堆中子探测器失效的方法，通过对探测器测量值的直接比较法、测量值间比较法、测量值与响应重构值比较法分三个阶段对探测器测量值进行失效诊断；三种判断方式的结合使用使得本发明所描述的探测器失效诊断方法不仅可以对探测器完全失效进行有效诊断，同时可以对探测器测量值偏离正常值的失效做出准确诊断，并具备区分探测器失效及局部功率振荡的能力；通过去除失效探测器测量值，保证堆芯功率分布在线监测系统不使用故障探测器测量值，为在线监测系统提供可靠输入参数；本发明中探测器失效诊断方法不受探测器类型、在线监测方法、探测器失效类型的限制，失效诊断用时短、诊断迅速、诊断结果准确可靠。
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基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法，在Si衬底上采用射频磁控溅射法制备一层高质量的ZnO薄膜，在此基础上采用光刻工艺制备ZnO薄膜晶体管紫外光探测器，再在其上采用磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而制备了硼镓共掺ZnO闪烁体薄膜‑ZnO薄膜晶体管紫外光探测器‑Si衬底结构的中子探测器。本发明采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜晶体管紫外光探测器对紫外光进行探测，从而实现对中子的探测，检测精度高，可靠性高。
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一种肖特基型中子探测器及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明一种肖特基型中子探测器及其制作方法，涉及中子辐射的测量，是氮化镓中子探测器，自下至上包括欧姆接触、n+掺杂氮化镓层、氮化镓厚膜基底、肖特基接触、保护环和6LiF中子转换层，其中，n+掺杂氮化镓层形成在氮化镓厚膜基底的氮极性面，欧姆接触被制作在n+掺杂氮化镓层上面，肖特基接触被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上的中间部分，保护环被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上肖特基接触四周的环形部分，6LiF中子转换层被制作在肖特基接触的上面，位于肖特基接触的中央部位。本发明克服了现有技术的中子探测器不能用于核反应堆、高能物理实验和外太空的高温、高压和强辐射极端环境中的缺陷。
找到7项技术成果数据。
找技术>-
一种用于在线监测核反应堆堆芯中子通量分布的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本发明涉及核反应堆堆芯功率监测领域，公开了一种用于在线监测核反应堆堆芯中子通量分布的方法。该方法基于在反应堆布置M1个堆内中子探测器和M2个堆外中子探测器，先根据更新反应堆的参考堆芯模型MΦ＝(1/k)FΦ，求解其高阶谐波，然后结合堆内、堆外中子探测器的读数，在线重构出真实的反应堆堆芯内中子通量分布。
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基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。
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一种用于放射性物质监测的中子探测器
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应用行业：制造业
技术简介
该项目研制的用于放射性物质监测的中子探测器，涉及对放射性物质监测的技术领域。该装置包括安装在支架中的慢化体、正比计数管、电气盒和填充料，正比计数管置于慢化体之中，在它们的一端装有电气盒，慢化体和支架的内壁间装有填充料，其结构特点是，所述正比计数管的位置偏离慢化体的中心。同现有技术相比，该实用新型的正比计数管在慢化体中的位置采用了偏心的结构，中子从不同端面入射时可对应有不同的慢化体的慢化层厚度，在不改变中子探测器结构的情况下，提高对不同中子源的适应范围。
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4H-SiC基中子探测器用6LiF/ BC4复合中子转换薄膜制备工艺方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/BC4复合中子转换膜制备方法，采用射频磁控溅射技术，主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiF/BC4复合转换膜等步骤。镀前处理为采用丙酮、乙醇超声波清洗；反溅射和预溅射清洗去除4H-SiC基体及靶材杂质。采用本发明获得的6LiF/BC4转换膜层耐辐照损伤、耐高温、厚度能精确可控、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明制备的6LiF/BC4复合转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。
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一种诊断反应堆中子探测器失效的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
一种诊断反应堆中子探测器失效的方法，通过对探测器测量值的直接比较法、测量值间比较法、测量值与响应重构值比较法分三个阶段对探测器测量值进行失效诊断；三种判断方式的结合使用使得本发明所描述的探测器失效诊断方法不仅可以对探测器完全失效进行有效诊断，同时可以对探测器测量值偏离正常值的失效做出准确诊断，并具备区分探测器失效及局部功率振荡的能力；通过去除失效探测器测量值，保证堆芯功率分布在线监测系统不使用故障探测器测量值，为在线监测系统提供可靠输入参数；本发明中探测器失效诊断方法不受探测器类型、在线监测方法、探测器失效类型的限制，失效诊断用时短、诊断迅速、诊断结果准确可靠。
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基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
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应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法，在Si衬底上采用射频磁控溅射法制备一层高质量的ZnO薄膜，在此基础上采用光刻工艺制备ZnO薄膜晶体管紫外光探测器，再在其上采用磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而制备了硼镓共掺ZnO闪烁体薄膜‑ZnO薄膜晶体管紫外光探测器‑Si衬底结构的中子探测器。本发明采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜晶体管紫外光探测器对紫外光进行探测，从而实现对中子的探测，检测精度高，可靠性高。
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一种肖特基型中子探测器及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明一种肖特基型中子探测器及其制作方法，涉及中子辐射的测量，是氮化镓中子探测器，自下至上包括欧姆接触、n+掺杂氮化镓层、氮化镓厚膜基底、肖特基接触、保护环和6LiF中子转换层，其中，n+掺杂氮化镓层形成在氮化镓厚膜基底的氮极性面，欧姆接触被制作在n+掺杂氮化镓层上面，肖特基接触被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上的中间部分，保护环被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上肖特基接触四周的环形部分，6LiF中子转换层被制作在肖特基接触的上面，位于肖特基接触的中央部位。本发明克服了现有技术的中子探测器不能用于核反应堆、高能物理实验和外太空的高温、高压和强辐射极端环境中的缺陷。
找到7项技术成果数据。
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一种用于在线监测核反应堆堆芯中子通量分布的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本发明涉及核反应堆堆芯功率监测领域，公开了一种用于在线监测核反应堆堆芯中子通量分布的方法。该方法基于在反应堆布置M1个堆内中子探测器和M2个堆外中子探测器，先根据更新反应堆的参考堆芯模型MΦ＝(1/k)FΦ，求解其高阶谐波，然后结合堆内、堆外中子探测器的读数，在线重构出真实的反应堆堆芯内中子通量分布。
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基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。
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一种用于放射性物质监测的中子探测器
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
该项目研制的用于放射性物质监测的中子探测器，涉及对放射性物质监测的技术领域。该装置包括安装在支架中的慢化体、正比计数管、电气盒和填充料，正比计数管置于慢化体之中，在它们的一端装有电气盒，慢化体和支架的内壁间装有填充料，其结构特点是，所述正比计数管的位置偏离慢化体的中心。同现有技术相比，该实用新型的正比计数管在慢化体中的位置采用了偏心的结构，中子从不同端面入射时可对应有不同的慢化体的慢化层厚度，在不改变中子探测器结构的情况下，提高对不同中子源的适应范围。
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4H-SiC基中子探测器用6LiF/ BC4复合中子转换薄膜制备工艺方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/BC4复合中子转换膜制备方法，采用射频磁控溅射技术，主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiF/BC4复合转换膜等步骤。镀前处理为采用丙酮、乙醇超声波清洗；反溅射和预溅射清洗去除4H-SiC基体及靶材杂质。采用本发明获得的6LiF/BC4转换膜层耐辐照损伤、耐高温、厚度能精确可控、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明制备的6LiF/BC4复合转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。
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一种诊断反应堆中子探测器失效的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
一种诊断反应堆中子探测器失效的方法，通过对探测器测量值的直接比较法、测量值间比较法、测量值与响应重构值比较法分三个阶段对探测器测量值进行失效诊断；三种判断方式的结合使用使得本发明所描述的探测器失效诊断方法不仅可以对探测器完全失效进行有效诊断，同时可以对探测器测量值偏离正常值的失效做出准确诊断，并具备区分探测器失效及局部功率振荡的能力；通过去除失效探测器测量值，保证堆芯功率分布在线监测系统不使用故障探测器测量值，为在线监测系统提供可靠输入参数；本发明中探测器失效诊断方法不受探测器类型、在线监测方法、探测器失效类型的限制，失效诊断用时短、诊断迅速、诊断结果准确可靠。
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基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法，在Si衬底上采用射频磁控溅射法制备一层高质量的ZnO薄膜，在此基础上采用光刻工艺制备ZnO薄膜晶体管紫外光探测器，再在其上采用磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而制备了硼镓共掺ZnO闪烁体薄膜‑ZnO薄膜晶体管紫外光探测器‑Si衬底结构的中子探测器。本发明采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜晶体管紫外光探测器对紫外光进行探测，从而实现对中子的探测，检测精度高，可靠性高。
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一种肖特基型中子探测器及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明一种肖特基型中子探测器及其制作方法，涉及中子辐射的测量，是氮化镓中子探测器，自下至上包括欧姆接触、n+掺杂氮化镓层、氮化镓厚膜基底、肖特基接触、保护环和6LiF中子转换层，其中，n+掺杂氮化镓层形成在氮化镓厚膜基底的氮极性面，欧姆接触被制作在n+掺杂氮化镓层上面，肖特基接触被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上的中间部分，保护环被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上肖特基接触四周的环形部分，6LiF中子转换层被制作在肖特基接触的上面，位于肖特基接触的中央部位。本发明克服了现有技术的中子探测器不能用于核反应堆、高能物理实验和外太空的高温、高压和强辐射极端环境中的缺陷。
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一种用于在线监测核反应堆堆芯中子通量分布的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本发明涉及核反应堆堆芯功率监测领域，公开了一种用于在线监测核反应堆堆芯中子通量分布的方法。该方法基于在反应堆布置M1个堆内中子探测器和M2个堆外中子探测器，先根据更新反应堆的参考堆芯模型MΦ＝(1/k)FΦ，求解其高阶谐波，然后结合堆内、堆外中子探测器的读数，在线重构出真实的反应堆堆芯内中子通量分布。
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基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。
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一种用于放射性物质监测的中子探测器
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
该项目研制的用于放射性物质监测的中子探测器，涉及对放射性物质监测的技术领域。该装置包括安装在支架中的慢化体、正比计数管、电气盒和填充料，正比计数管置于慢化体之中，在它们的一端装有电气盒，慢化体和支架的内壁间装有填充料，其结构特点是，所述正比计数管的位置偏离慢化体的中心。同现有技术相比，该实用新型的正比计数管在慢化体中的位置采用了偏心的结构，中子从不同端面入射时可对应有不同的慢化体的慢化层厚度，在不改变中子探测器结构的情况下，提高对不同中子源的适应范围。
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4H-SiC基中子探测器用6LiF/ BC4复合中子转换薄膜制备工艺方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/BC4复合中子转换膜制备方法，采用射频磁控溅射技术，主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiF/BC4复合转换膜等步骤。镀前处理为采用丙酮、乙醇超声波清洗；反溅射和预溅射清洗去除4H-SiC基体及靶材杂质。采用本发明获得的6LiF/BC4转换膜层耐辐照损伤、耐高温、厚度能精确可控、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明制备的6LiF/BC4复合转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。
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一种诊断反应堆中子探测器失效的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
一种诊断反应堆中子探测器失效的方法，通过对探测器测量值的直接比较法、测量值间比较法、测量值与响应重构值比较法分三个阶段对探测器测量值进行失效诊断；三种判断方式的结合使用使得本发明所描述的探测器失效诊断方法不仅可以对探测器完全失效进行有效诊断，同时可以对探测器测量值偏离正常值的失效做出准确诊断，并具备区分探测器失效及局部功率振荡的能力；通过去除失效探测器测量值，保证堆芯功率分布在线监测系统不使用故障探测器测量值，为在线监测系统提供可靠输入参数；本发明中探测器失效诊断方法不受探测器类型、在线监测方法、探测器失效类型的限制，失效诊断用时短、诊断迅速、诊断结果准确可靠。
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基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法，在Si衬底上采用射频磁控溅射法制备一层高质量的ZnO薄膜，在此基础上采用光刻工艺制备ZnO薄膜晶体管紫外光探测器，再在其上采用磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而制备了硼镓共掺ZnO闪烁体薄膜‑ZnO薄膜晶体管紫外光探测器‑Si衬底结构的中子探测器。本发明采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜晶体管紫外光探测器对紫外光进行探测，从而实现对中子的探测，检测精度高，可靠性高。
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一种肖特基型中子探测器及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明一种肖特基型中子探测器及其制作方法，涉及中子辐射的测量，是氮化镓中子探测器，自下至上包括欧姆接触、n+掺杂氮化镓层、氮化镓厚膜基底、肖特基接触、保护环和6LiF中子转换层，其中，n+掺杂氮化镓层形成在氮化镓厚膜基底的氮极性面，欧姆接触被制作在n+掺杂氮化镓层上面，肖特基接触被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上的中间部分，保护环被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上肖特基接触四周的环形部分，6LiF中子转换层被制作在肖特基接触的上面，位于肖特基接触的中央部位。本发明克服了现有技术的中子探测器不能用于核反应堆、高能物理实验和外太空的高温、高压和强辐射极端环境中的缺陷。
找到7项技术成果数据。
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一种用于在线监测核反应堆堆芯中子通量分布的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本发明涉及核反应堆堆芯功率监测领域，公开了一种用于在线监测核反应堆堆芯中子通量分布的方法。该方法基于在反应堆布置M1个堆内中子探测器和M2个堆外中子探测器，先根据更新反应堆的参考堆芯模型MΦ＝(1/k)FΦ，求解其高阶谐波，然后结合堆内、堆外中子探测器的读数，在线重构出真实的反应堆堆芯内中子通量分布。
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基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。
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一种用于放射性物质监测的中子探测器
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
该项目研制的用于放射性物质监测的中子探测器，涉及对放射性物质监测的技术领域。该装置包括安装在支架中的慢化体、正比计数管、电气盒和填充料，正比计数管置于慢化体之中，在它们的一端装有电气盒，慢化体和支架的内壁间装有填充料，其结构特点是，所述正比计数管的位置偏离慢化体的中心。同现有技术相比，该实用新型的正比计数管在慢化体中的位置采用了偏心的结构，中子从不同端面入射时可对应有不同的慢化体的慢化层厚度，在不改变中子探测器结构的情况下，提高对不同中子源的适应范围。
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4H-SiC基中子探测器用6LiF/ BC4复合中子转换薄膜制备工艺方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/BC4复合中子转换膜制备方法，采用射频磁控溅射技术，主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiF/BC4复合转换膜等步骤。镀前处理为采用丙酮、乙醇超声波清洗；反溅射和预溅射清洗去除4H-SiC基体及靶材杂质。采用本发明获得的6LiF/BC4转换膜层耐辐照损伤、耐高温、厚度能精确可控、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明制备的6LiF/BC4复合转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。
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一种诊断反应堆中子探测器失效的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
一种诊断反应堆中子探测器失效的方法，通过对探测器测量值的直接比较法、测量值间比较法、测量值与响应重构值比较法分三个阶段对探测器测量值进行失效诊断；三种判断方式的结合使用使得本发明所描述的探测器失效诊断方法不仅可以对探测器完全失效进行有效诊断，同时可以对探测器测量值偏离正常值的失效做出准确诊断，并具备区分探测器失效及局部功率振荡的能力；通过去除失效探测器测量值，保证堆芯功率分布在线监测系统不使用故障探测器测量值，为在线监测系统提供可靠输入参数；本发明中探测器失效诊断方法不受探测器类型、在线监测方法、探测器失效类型的限制，失效诊断用时短、诊断迅速、诊断结果准确可靠。
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基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法，在Si衬底上采用射频磁控溅射法制备一层高质量的ZnO薄膜，在此基础上采用光刻工艺制备ZnO薄膜晶体管紫外光探测器，再在其上采用磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而制备了硼镓共掺ZnO闪烁体薄膜‑ZnO薄膜晶体管紫外光探测器‑Si衬底结构的中子探测器。本发明采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜晶体管紫外光探测器对紫外光进行探测，从而实现对中子的探测，检测精度高，可靠性高。
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一种肖特基型中子探测器及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明一种肖特基型中子探测器及其制作方法，涉及中子辐射的测量，是氮化镓中子探测器，自下至上包括欧姆接触、n+掺杂氮化镓层、氮化镓厚膜基底、肖特基接触、保护环和6LiF中子转换层，其中，n+掺杂氮化镓层形成在氮化镓厚膜基底的氮极性面，欧姆接触被制作在n+掺杂氮化镓层上面，肖特基接触被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上的中间部分，保护环被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上肖特基接触四周的环形部分，6LiF中子转换层被制作在肖特基接触的上面，位于肖特基接触的中央部位。本发明克服了现有技术的中子探测器不能用于核反应堆、高能物理实验和外太空的高温、高压和强辐射极端环境中的缺陷。