找到7项技术成果数据。
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一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器，包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底；微透镜阵列设置于半导体材料基底上；金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的两边缘上使得微透镜中间球面部分作为光照区域，边缘部分被金属电极覆盖。本发明通过集成微透镜及其阵列可以提高感光区面积，同时可以在半导体内部将入射光汇聚而提高单位体积内的光强，增加光生载流子密度以及光增益系数。这种非平面紫外光电探测器的电极结构相比于传统平面电极，具有更强的载流子捕获能力。此外，本发明的紫外光电探测器的结构简单，易实现大规模生产。
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金属/半导体/金属结构TiO2紫外光探测器的制备方法
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
半导体紫外光电探测器具有抗干扰能力强和适于在恶劣环境下工作等优良的特性，具有极高的军事和民用价值。体积小、效率高、成本低、易于集成、适于在恶劣环境下工作的新型宽禁带半导体紫外探测器及大尺寸紫外成像器件的研究成为国际上光电探测领域的研究热点。由于宽禁带半导体ＴiO2材料价格低廉，本身具有非常好的耐候性、物理和化学稳定性、适宜的光电特性，而且在材料制备方面有众多成熟的手段，以满足不同应用的需要，因此在紫外探测方面显示出独特的应用前景。
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SiC紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，探测器采用TO46金属管平面光窗封装。本项目已完成全部工艺研究，并有样管提供给相关的使用单位试用，项目的技术成熟可靠。可应用于导弹预警、跟踪、紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析等多领域。
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SiCPIN紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，T46金属管平面光窗封装。二、技术成熟程度我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。三、应用范围可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。四、投产条件与预期经济效益SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。五、合作方式面议
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金刚石膜紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目简介本产品是在金刚石薄膜上采用平面半导体工艺，研制具有金属－半导体－金属(MSM)结构的紫外光电探测器，用于100～400nm紫外波段光信号的探测。二、技术特点金刚石具有禁带宽度宽（5.3ev）、响应波段短、耐高温、抗腐蚀等优点，是同类宽带材料（GaN基材料、SiC、BN等）中光响应波段最短的材料，光响应峰值约为200nm,400～800nm的可见光区范围均为盲区，大大有利于紫外光的探测。金刚石薄膜的生长技术在中国已经逐渐成熟，成本大大下降。所以采用金刚石薄膜紫外探测器，将比用GaN基材料、SiC等材料制备的紫外探测器价格更加便宜、性能也将更优越。MSM结构是有两个背靠背的肖特基二极管构成，不必形成PN结和欧姆接触。所以，MSM结构比光电导、PN结、PIN等结构的工艺简单，特别适合于金刚石等宽禁带探测器的制造。三、应用范围和市场前景紫外探测器主要用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测，固体燃料成分分析、环境污染监测、水下通信、细胞癌变分析、DNA测试、准分子激光器检测等领域。随着紫外线的广泛应用，紫外探测器也必将在环保、医学、军事等领域广泛应用，并有着广阔的市场。四、对合作者要求有从事金刚石薄膜生长的能力，合作开发金刚石薄膜紫外探测器及其应用。
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金刚石膜紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目简介 本 产品 是 在 金刚石薄膜上采用平面半导体工艺，研制具有金属－半导体－金属(MSM) 结构的紫外光电探测器，用于100～400nm 紫外波段光信号的探测。 二、技术特点 金刚石具有禁带宽度宽（5.3ev）、响应波段短、耐高温、抗腐蚀等优点，是同类宽带材料（GaN基材料、SiC、BN等）中光响应波段最短的材料，光响应峰值约为200nm , 400～800nm 的可见光区范围均为盲区，大大有利于紫外光的探测。金刚石薄膜的生长技术在中国已经逐渐成熟，成本大大下降。所以采用金刚石薄膜紫外探测器，将比用GaN基材料、SiC等材料制备的紫外探测器价格更加便宜、性能也将更优越。MSM结构是有两个背靠背的肖特基二极管构成，不必形成PN结和欧姆接触。所以，MSM结构比光电导、PN结、PIN等结构的工艺简单，特别适合于金刚石等宽禁带探测器的制造。 三、应用范围和市场前景 紫外探测器主要用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测，固体燃料成分分析、环境污染监测、水下通信、细胞癌变分析、DNA测试、准分子激光器检测等领域。随着紫外线的广泛应用，紫外探测器也必将在环保、医学、军事等领域广泛应用，并有着广阔的市场。 四、对合作者要求 有从事金刚石薄膜生长的能力，合作开发金刚石薄膜紫外探测器及其应用。
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SiC PIN紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，TO46金属管平面光窗封装。 二、技术成熟程度 我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。 三、应用范围 可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。 四、投产条件与预期经济效益 SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。 五、合作方式 面议
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一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
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本发明公开了一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器，包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底；微透镜阵列设置于半导体材料基底上；金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的两边缘上使得微透镜中间球面部分作为光照区域，边缘部分被金属电极覆盖。本发明通过集成微透镜及其阵列可以提高感光区面积，同时可以在半导体内部将入射光汇聚而提高单位体积内的光强，增加光生载流子密度以及光增益系数。这种非平面紫外光电探测器的电极结构相比于传统平面电极，具有更强的载流子捕获能力。此外，本发明的紫外光电探测器的结构简单，易实现大规模生产。
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金属/半导体/金属结构TiO2紫外光探测器的制备方法
成熟度：通过中试
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应用行业：制造业
技术简介
半导体紫外光电探测器具有抗干扰能力强和适于在恶劣环境下工作等优良的特性，具有极高的军事和民用价值。体积小、效率高、成本低、易于集成、适于在恶劣环境下工作的新型宽禁带半导体紫外探测器及大尺寸紫外成像器件的研究成为国际上光电探测领域的研究热点。由于宽禁带半导体ＴiO2材料价格低廉，本身具有非常好的耐候性、物理和化学稳定性、适宜的光电特性，而且在材料制备方面有众多成熟的手段，以满足不同应用的需要，因此在紫外探测方面显示出独特的应用前景。
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SiC紫外光电探测器
成熟度：正在研发
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应用行业：制造业
技术简介
采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，探测器采用TO46金属管平面光窗封装。本项目已完成全部工艺研究，并有样管提供给相关的使用单位试用，项目的技术成熟可靠。可应用于导弹预警、跟踪、紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析等多领域。
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SiCPIN紫外光电探测器
成熟度：正在研发
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技术简介
一、项目特点和技术指标紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，T46金属管平面光窗封装。二、技术成熟程度我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。三、应用范围可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。四、投产条件与预期经济效益SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。五、合作方式面议
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金刚石膜紫外光电探测器
成熟度：正在研发
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技术简介
一、项目简介本产品是在金刚石薄膜上采用平面半导体工艺，研制具有金属－半导体－金属(MSM)结构的紫外光电探测器，用于100～400nm紫外波段光信号的探测。二、技术特点金刚石具有禁带宽度宽（5.3ev）、响应波段短、耐高温、抗腐蚀等优点，是同类宽带材料（GaN基材料、SiC、BN等）中光响应波段最短的材料，光响应峰值约为200nm,400～800nm的可见光区范围均为盲区，大大有利于紫外光的探测。金刚石薄膜的生长技术在中国已经逐渐成熟，成本大大下降。所以采用金刚石薄膜紫外探测器，将比用GaN基材料、SiC等材料制备的紫外探测器价格更加便宜、性能也将更优越。MSM结构是有两个背靠背的肖特基二极管构成，不必形成PN结和欧姆接触。所以，MSM结构比光电导、PN结、PIN等结构的工艺简单，特别适合于金刚石等宽禁带探测器的制造。三、应用范围和市场前景紫外探测器主要用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测，固体燃料成分分析、环境污染监测、水下通信、细胞癌变分析、DNA测试、准分子激光器检测等领域。随着紫外线的广泛应用，紫外探测器也必将在环保、医学、军事等领域广泛应用，并有着广阔的市场。四、对合作者要求有从事金刚石薄膜生长的能力，合作开发金刚石薄膜紫外探测器及其应用。
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金刚石膜紫外光电探测器
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技术简介
一、项目简介 本 产品 是 在 金刚石薄膜上采用平面半导体工艺，研制具有金属－半导体－金属(MSM) 结构的紫外光电探测器，用于100～400nm 紫外波段光信号的探测。 二、技术特点 金刚石具有禁带宽度宽（5.3ev）、响应波段短、耐高温、抗腐蚀等优点，是同类宽带材料（GaN基材料、SiC、BN等）中光响应波段最短的材料，光响应峰值约为200nm , 400～800nm 的可见光区范围均为盲区，大大有利于紫外光的探测。金刚石薄膜的生长技术在中国已经逐渐成熟，成本大大下降。所以采用金刚石薄膜紫外探测器，将比用GaN基材料、SiC等材料制备的紫外探测器价格更加便宜、性能也将更优越。MSM结构是有两个背靠背的肖特基二极管构成，不必形成PN结和欧姆接触。所以，MSM结构比光电导、PN结、PIN等结构的工艺简单，特别适合于金刚石等宽禁带探测器的制造。 三、应用范围和市场前景 紫外探测器主要用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测，固体燃料成分分析、环境污染监测、水下通信、细胞癌变分析、DNA测试、准分子激光器检测等领域。随着紫外线的广泛应用，紫外探测器也必将在环保、医学、军事等领域广泛应用，并有着广阔的市场。 四、对合作者要求 有从事金刚石薄膜生长的能力，合作开发金刚石薄膜紫外探测器及其应用。
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SiC PIN紫外光电探测器
成熟度：正在研发
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技术简介
一、项目特点和技术指标 紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，TO46金属管平面光窗封装。 二、技术成熟程度 我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。 三、应用范围 可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。 四、投产条件与预期经济效益 SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。 五、合作方式 面议
找到7项技术成果数据。
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一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器，包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底；微透镜阵列设置于半导体材料基底上；金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的两边缘上使得微透镜中间球面部分作为光照区域，边缘部分被金属电极覆盖。本发明通过集成微透镜及其阵列可以提高感光区面积，同时可以在半导体内部将入射光汇聚而提高单位体积内的光强，增加光生载流子密度以及光增益系数。这种非平面紫外光电探测器的电极结构相比于传统平面电极，具有更强的载流子捕获能力。此外，本发明的紫外光电探测器的结构简单，易实现大规模生产。
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金属/半导体/金属结构TiO2紫外光探测器的制备方法
成熟度：通过中试
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技术简介
半导体紫外光电探测器具有抗干扰能力强和适于在恶劣环境下工作等优良的特性，具有极高的军事和民用价值。体积小、效率高、成本低、易于集成、适于在恶劣环境下工作的新型宽禁带半导体紫外探测器及大尺寸紫外成像器件的研究成为国际上光电探测领域的研究热点。由于宽禁带半导体ＴiO2材料价格低廉，本身具有非常好的耐候性、物理和化学稳定性、适宜的光电特性，而且在材料制备方面有众多成熟的手段，以满足不同应用的需要，因此在紫外探测方面显示出独特的应用前景。
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SiC紫外光电探测器
成熟度：正在研发
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采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，探测器采用TO46金属管平面光窗封装。本项目已完成全部工艺研究，并有样管提供给相关的使用单位试用，项目的技术成熟可靠。可应用于导弹预警、跟踪、紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析等多领域。
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SiCPIN紫外光电探测器
成熟度：正在研发
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一、项目特点和技术指标紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，T46金属管平面光窗封装。二、技术成熟程度我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。三、应用范围可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。四、投产条件与预期经济效益SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。五、合作方式面议
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金刚石膜紫外光电探测器
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一、项目简介本产品是在金刚石薄膜上采用平面半导体工艺，研制具有金属－半导体－金属(MSM)结构的紫外光电探测器，用于100～400nm紫外波段光信号的探测。二、技术特点金刚石具有禁带宽度宽（5.3ev）、响应波段短、耐高温、抗腐蚀等优点，是同类宽带材料（GaN基材料、SiC、BN等）中光响应波段最短的材料，光响应峰值约为200nm,400～800nm的可见光区范围均为盲区，大大有利于紫外光的探测。金刚石薄膜的生长技术在中国已经逐渐成熟，成本大大下降。所以采用金刚石薄膜紫外探测器，将比用GaN基材料、SiC等材料制备的紫外探测器价格更加便宜、性能也将更优越。MSM结构是有两个背靠背的肖特基二极管构成，不必形成PN结和欧姆接触。所以，MSM结构比光电导、PN结、PIN等结构的工艺简单，特别适合于金刚石等宽禁带探测器的制造。三、应用范围和市场前景紫外探测器主要用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测，固体燃料成分分析、环境污染监测、水下通信、细胞癌变分析、DNA测试、准分子激光器检测等领域。随着紫外线的广泛应用，紫外探测器也必将在环保、医学、军事等领域广泛应用，并有着广阔的市场。四、对合作者要求有从事金刚石薄膜生长的能力，合作开发金刚石薄膜紫外探测器及其应用。
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金刚石膜紫外光电探测器
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一、项目简介 本 产品 是 在 金刚石薄膜上采用平面半导体工艺，研制具有金属－半导体－金属(MSM) 结构的紫外光电探测器，用于100～400nm 紫外波段光信号的探测。 二、技术特点 金刚石具有禁带宽度宽（5.3ev）、响应波段短、耐高温、抗腐蚀等优点，是同类宽带材料（GaN基材料、SiC、BN等）中光响应波段最短的材料，光响应峰值约为200nm , 400～800nm 的可见光区范围均为盲区，大大有利于紫外光的探测。金刚石薄膜的生长技术在中国已经逐渐成熟，成本大大下降。所以采用金刚石薄膜紫外探测器，将比用GaN基材料、SiC等材料制备的紫外探测器价格更加便宜、性能也将更优越。MSM结构是有两个背靠背的肖特基二极管构成，不必形成PN结和欧姆接触。所以，MSM结构比光电导、PN结、PIN等结构的工艺简单，特别适合于金刚石等宽禁带探测器的制造。 三、应用范围和市场前景 紫外探测器主要用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测，固体燃料成分分析、环境污染监测、水下通信、细胞癌变分析、DNA测试、准分子激光器检测等领域。随着紫外线的广泛应用，紫外探测器也必将在环保、医学、军事等领域广泛应用，并有着广阔的市场。 四、对合作者要求 有从事金刚石薄膜生长的能力，合作开发金刚石薄膜紫外探测器及其应用。
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SiC PIN紫外光电探测器
成熟度：正在研发
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应用行业：制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，TO46金属管平面光窗封装。 二、技术成熟程度 我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。 三、应用范围 可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。 四、投产条件与预期经济效益 SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。 五、合作方式 面议
找到7项技术成果数据。
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一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器，包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底；微透镜阵列设置于半导体材料基底上；金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的两边缘上使得微透镜中间球面部分作为光照区域，边缘部分被金属电极覆盖。本发明通过集成微透镜及其阵列可以提高感光区面积，同时可以在半导体内部将入射光汇聚而提高单位体积内的光强，增加光生载流子密度以及光增益系数。这种非平面紫外光电探测器的电极结构相比于传统平面电极，具有更强的载流子捕获能力。此外，本发明的紫外光电探测器的结构简单，易实现大规模生产。
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金属/半导体/金属结构TiO2紫外光探测器的制备方法
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
半导体紫外光电探测器具有抗干扰能力强和适于在恶劣环境下工作等优良的特性，具有极高的军事和民用价值。体积小、效率高、成本低、易于集成、适于在恶劣环境下工作的新型宽禁带半导体紫外探测器及大尺寸紫外成像器件的研究成为国际上光电探测领域的研究热点。由于宽禁带半导体ＴiO2材料价格低廉，本身具有非常好的耐候性、物理和化学稳定性、适宜的光电特性，而且在材料制备方面有众多成熟的手段，以满足不同应用的需要，因此在紫外探测方面显示出独特的应用前景。
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SiC紫外光电探测器
成熟度：正在研发
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应用行业：制造业
技术简介
采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，探测器采用TO46金属管平面光窗封装。本项目已完成全部工艺研究，并有样管提供给相关的使用单位试用，项目的技术成熟可靠。可应用于导弹预警、跟踪、紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析等多领域。
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SiCPIN紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，T46金属管平面光窗封装。二、技术成熟程度我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。三、应用范围可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。四、投产条件与预期经济效益SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。五、合作方式面议
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金刚石膜紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目简介本产品是在金刚石薄膜上采用平面半导体工艺，研制具有金属－半导体－金属(MSM)结构的紫外光电探测器，用于100～400nm紫外波段光信号的探测。二、技术特点金刚石具有禁带宽度宽（5.3ev）、响应波段短、耐高温、抗腐蚀等优点，是同类宽带材料（GaN基材料、SiC、BN等）中光响应波段最短的材料，光响应峰值约为200nm,400～800nm的可见光区范围均为盲区，大大有利于紫外光的探测。金刚石薄膜的生长技术在中国已经逐渐成熟，成本大大下降。所以采用金刚石薄膜紫外探测器，将比用GaN基材料、SiC等材料制备的紫外探测器价格更加便宜、性能也将更优越。MSM结构是有两个背靠背的肖特基二极管构成，不必形成PN结和欧姆接触。所以，MSM结构比光电导、PN结、PIN等结构的工艺简单，特别适合于金刚石等宽禁带探测器的制造。三、应用范围和市场前景紫外探测器主要用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测，固体燃料成分分析、环境污染监测、水下通信、细胞癌变分析、DNA测试、准分子激光器检测等领域。随着紫外线的广泛应用，紫外探测器也必将在环保、医学、军事等领域广泛应用，并有着广阔的市场。四、对合作者要求有从事金刚石薄膜生长的能力，合作开发金刚石薄膜紫外探测器及其应用。
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金刚石膜紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目简介 本 产品 是 在 金刚石薄膜上采用平面半导体工艺，研制具有金属－半导体－金属(MSM) 结构的紫外光电探测器，用于100～400nm 紫外波段光信号的探测。 二、技术特点 金刚石具有禁带宽度宽（5.3ev）、响应波段短、耐高温、抗腐蚀等优点，是同类宽带材料（GaN基材料、SiC、BN等）中光响应波段最短的材料，光响应峰值约为200nm , 400～800nm 的可见光区范围均为盲区，大大有利于紫外光的探测。金刚石薄膜的生长技术在中国已经逐渐成熟，成本大大下降。所以采用金刚石薄膜紫外探测器，将比用GaN基材料、SiC等材料制备的紫外探测器价格更加便宜、性能也将更优越。MSM结构是有两个背靠背的肖特基二极管构成，不必形成PN结和欧姆接触。所以，MSM结构比光电导、PN结、PIN等结构的工艺简单，特别适合于金刚石等宽禁带探测器的制造。 三、应用范围和市场前景 紫外探测器主要用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测，固体燃料成分分析、环境污染监测、水下通信、细胞癌变分析、DNA测试、准分子激光器检测等领域。随着紫外线的广泛应用，紫外探测器也必将在环保、医学、军事等领域广泛应用，并有着广阔的市场。 四、对合作者要求 有从事金刚石薄膜生长的能力，合作开发金刚石薄膜紫外探测器及其应用。
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SiC PIN紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，TO46金属管平面光窗封装。 二、技术成熟程度 我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。 三、应用范围 可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。 四、投产条件与预期经济效益 SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。 五、合作方式 面议
找到7项技术成果数据。
找技术>-
一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器，包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底；微透镜阵列设置于半导体材料基底上；金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的两边缘上使得微透镜中间球面部分作为光照区域，边缘部分被金属电极覆盖。本发明通过集成微透镜及其阵列可以提高感光区面积，同时可以在半导体内部将入射光汇聚而提高单位体积内的光强，增加光生载流子密度以及光增益系数。这种非平面紫外光电探测器的电极结构相比于传统平面电极，具有更强的载流子捕获能力。此外，本发明的紫外光电探测器的结构简单，易实现大规模生产。
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金属/半导体/金属结构TiO2紫外光探测器的制备方法
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
半导体紫外光电探测器具有抗干扰能力强和适于在恶劣环境下工作等优良的特性，具有极高的军事和民用价值。体积小、效率高、成本低、易于集成、适于在恶劣环境下工作的新型宽禁带半导体紫外探测器及大尺寸紫外成像器件的研究成为国际上光电探测领域的研究热点。由于宽禁带半导体ＴiO2材料价格低廉，本身具有非常好的耐候性、物理和化学稳定性、适宜的光电特性，而且在材料制备方面有众多成熟的手段，以满足不同应用的需要，因此在紫外探测方面显示出独特的应用前景。
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SiC紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，探测器采用TO46金属管平面光窗封装。本项目已完成全部工艺研究，并有样管提供给相关的使用单位试用，项目的技术成熟可靠。可应用于导弹预警、跟踪、紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析等多领域。
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SiCPIN紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，T46金属管平面光窗封装。二、技术成熟程度我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。三、应用范围可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。四、投产条件与预期经济效益SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。五、合作方式面议
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金刚石膜紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目简介本产品是在金刚石薄膜上采用平面半导体工艺，研制具有金属－半导体－金属(MSM)结构的紫外光电探测器，用于100～400nm紫外波段光信号的探测。二、技术特点金刚石具有禁带宽度宽（5.3ev）、响应波段短、耐高温、抗腐蚀等优点，是同类宽带材料（GaN基材料、SiC、BN等）中光响应波段最短的材料，光响应峰值约为200nm,400～800nm的可见光区范围均为盲区，大大有利于紫外光的探测。金刚石薄膜的生长技术在中国已经逐渐成熟，成本大大下降。所以采用金刚石薄膜紫外探测器，将比用GaN基材料、SiC等材料制备的紫外探测器价格更加便宜、性能也将更优越。MSM结构是有两个背靠背的肖特基二极管构成，不必形成PN结和欧姆接触。所以，MSM结构比光电导、PN结、PIN等结构的工艺简单，特别适合于金刚石等宽禁带探测器的制造。三、应用范围和市场前景紫外探测器主要用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测，固体燃料成分分析、环境污染监测、水下通信、细胞癌变分析、DNA测试、准分子激光器检测等领域。随着紫外线的广泛应用，紫外探测器也必将在环保、医学、军事等领域广泛应用，并有着广阔的市场。四、对合作者要求有从事金刚石薄膜生长的能力，合作开发金刚石薄膜紫外探测器及其应用。
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金刚石膜紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目简介 本 产品 是 在 金刚石薄膜上采用平面半导体工艺，研制具有金属－半导体－金属(MSM) 结构的紫外光电探测器，用于100～400nm 紫外波段光信号的探测。 二、技术特点 金刚石具有禁带宽度宽（5.3ev）、响应波段短、耐高温、抗腐蚀等优点，是同类宽带材料（GaN基材料、SiC、BN等）中光响应波段最短的材料，光响应峰值约为200nm , 400～800nm 的可见光区范围均为盲区，大大有利于紫外光的探测。金刚石薄膜的生长技术在中国已经逐渐成熟，成本大大下降。所以采用金刚石薄膜紫外探测器，将比用GaN基材料、SiC等材料制备的紫外探测器价格更加便宜、性能也将更优越。MSM结构是有两个背靠背的肖特基二极管构成，不必形成PN结和欧姆接触。所以，MSM结构比光电导、PN结、PIN等结构的工艺简单，特别适合于金刚石等宽禁带探测器的制造。 三、应用范围和市场前景 紫外探测器主要用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测，固体燃料成分分析、环境污染监测、水下通信、细胞癌变分析、DNA测试、准分子激光器检测等领域。随着紫外线的广泛应用，紫外探测器也必将在环保、医学、军事等领域广泛应用，并有着广阔的市场。 四、对合作者要求 有从事金刚石薄膜生长的能力，合作开发金刚石薄膜紫外探测器及其应用。
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SiC PIN紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，TO46金属管平面光窗封装。 二、技术成熟程度 我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。 三、应用范围 可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。 四、投产条件与预期经济效益 SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。 五、合作方式 面议
找到7项技术成果数据。
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一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器，包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底；微透镜阵列设置于半导体材料基底上；金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的两边缘上使得微透镜中间球面部分作为光照区域，边缘部分被金属电极覆盖。本发明通过集成微透镜及其阵列可以提高感光区面积，同时可以在半导体内部将入射光汇聚而提高单位体积内的光强，增加光生载流子密度以及光增益系数。这种非平面紫外光电探测器的电极结构相比于传统平面电极，具有更强的载流子捕获能力。此外，本发明的紫外光电探测器的结构简单，易实现大规模生产。
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金属/半导体/金属结构TiO2紫外光探测器的制备方法
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
半导体紫外光电探测器具有抗干扰能力强和适于在恶劣环境下工作等优良的特性，具有极高的军事和民用价值。体积小、效率高、成本低、易于集成、适于在恶劣环境下工作的新型宽禁带半导体紫外探测器及大尺寸紫外成像器件的研究成为国际上光电探测领域的研究热点。由于宽禁带半导体ＴiO2材料价格低廉，本身具有非常好的耐候性、物理和化学稳定性、适宜的光电特性，而且在材料制备方面有众多成熟的手段，以满足不同应用的需要，因此在紫外探测方面显示出独特的应用前景。
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SiC紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，探测器采用TO46金属管平面光窗封装。本项目已完成全部工艺研究，并有样管提供给相关的使用单位试用，项目的技术成熟可靠。可应用于导弹预警、跟踪、紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析等多领域。
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SiCPIN紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，T46金属管平面光窗封装。二、技术成熟程度我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。三、应用范围可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。四、投产条件与预期经济效益SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。五、合作方式面议
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金刚石膜紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目简介本产品是在金刚石薄膜上采用平面半导体工艺，研制具有金属－半导体－金属(MSM)结构的紫外光电探测器，用于100～400nm紫外波段光信号的探测。二、技术特点金刚石具有禁带宽度宽（5.3ev）、响应波段短、耐高温、抗腐蚀等优点，是同类宽带材料（GaN基材料、SiC、BN等）中光响应波段最短的材料，光响应峰值约为200nm,400～800nm的可见光区范围均为盲区，大大有利于紫外光的探测。金刚石薄膜的生长技术在中国已经逐渐成熟，成本大大下降。所以采用金刚石薄膜紫外探测器，将比用GaN基材料、SiC等材料制备的紫外探测器价格更加便宜、性能也将更优越。MSM结构是有两个背靠背的肖特基二极管构成，不必形成PN结和欧姆接触。所以，MSM结构比光电导、PN结、PIN等结构的工艺简单，特别适合于金刚石等宽禁带探测器的制造。三、应用范围和市场前景紫外探测器主要用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测，固体燃料成分分析、环境污染监测、水下通信、细胞癌变分析、DNA测试、准分子激光器检测等领域。随着紫外线的广泛应用，紫外探测器也必将在环保、医学、军事等领域广泛应用，并有着广阔的市场。四、对合作者要求有从事金刚石薄膜生长的能力，合作开发金刚石薄膜紫外探测器及其应用。
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金刚石膜紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目简介 本 产品 是 在 金刚石薄膜上采用平面半导体工艺，研制具有金属－半导体－金属(MSM) 结构的紫外光电探测器，用于100～400nm 紫外波段光信号的探测。 二、技术特点 金刚石具有禁带宽度宽（5.3ev）、响应波段短、耐高温、抗腐蚀等优点，是同类宽带材料（GaN基材料、SiC、BN等）中光响应波段最短的材料，光响应峰值约为200nm , 400～800nm 的可见光区范围均为盲区，大大有利于紫外光的探测。金刚石薄膜的生长技术在中国已经逐渐成熟，成本大大下降。所以采用金刚石薄膜紫外探测器，将比用GaN基材料、SiC等材料制备的紫外探测器价格更加便宜、性能也将更优越。MSM结构是有两个背靠背的肖特基二极管构成，不必形成PN结和欧姆接触。所以，MSM结构比光电导、PN结、PIN等结构的工艺简单，特别适合于金刚石等宽禁带探测器的制造。 三、应用范围和市场前景 紫外探测器主要用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测，固体燃料成分分析、环境污染监测、水下通信、细胞癌变分析、DNA测试、准分子激光器检测等领域。随着紫外线的广泛应用，紫外探测器也必将在环保、医学、军事等领域广泛应用，并有着广阔的市场。 四、对合作者要求 有从事金刚石薄膜生长的能力，合作开发金刚石薄膜紫外探测器及其应用。
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SiC PIN紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，TO46金属管平面光窗封装。 二、技术成熟程度 我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。 三、应用范围 可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。 四、投产条件与预期经济效益 SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。 五、合作方式 面议
找到7项技术成果数据。
找技术>-
一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器，包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底；微透镜阵列设置于半导体材料基底上；金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的两边缘上使得微透镜中间球面部分作为光照区域，边缘部分被金属电极覆盖。本发明通过集成微透镜及其阵列可以提高感光区面积，同时可以在半导体内部将入射光汇聚而提高单位体积内的光强，增加光生载流子密度以及光增益系数。这种非平面紫外光电探测器的电极结构相比于传统平面电极，具有更强的载流子捕获能力。此外，本发明的紫外光电探测器的结构简单，易实现大规模生产。
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金属/半导体/金属结构TiO2紫外光探测器的制备方法
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
半导体紫外光电探测器具有抗干扰能力强和适于在恶劣环境下工作等优良的特性，具有极高的军事和民用价值。体积小、效率高、成本低、易于集成、适于在恶劣环境下工作的新型宽禁带半导体紫外探测器及大尺寸紫外成像器件的研究成为国际上光电探测领域的研究热点。由于宽禁带半导体ＴiO2材料价格低廉，本身具有非常好的耐候性、物理和化学稳定性、适宜的光电特性，而且在材料制备方面有众多成熟的手段，以满足不同应用的需要，因此在紫外探测方面显示出独特的应用前景。
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SiC紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，探测器采用TO46金属管平面光窗封装。本项目已完成全部工艺研究，并有样管提供给相关的使用单位试用，项目的技术成熟可靠。可应用于导弹预警、跟踪、紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析等多领域。
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SiCPIN紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，T46金属管平面光窗封装。二、技术成熟程度我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。三、应用范围可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。四、投产条件与预期经济效益SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。五、合作方式面议
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金刚石膜紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目简介本产品是在金刚石薄膜上采用平面半导体工艺，研制具有金属－半导体－金属(MSM)结构的紫外光电探测器，用于100～400nm紫外波段光信号的探测。二、技术特点金刚石具有禁带宽度宽（5.3ev）、响应波段短、耐高温、抗腐蚀等优点，是同类宽带材料（GaN基材料、SiC、BN等）中光响应波段最短的材料，光响应峰值约为200nm,400～800nm的可见光区范围均为盲区，大大有利于紫外光的探测。金刚石薄膜的生长技术在中国已经逐渐成熟，成本大大下降。所以采用金刚石薄膜紫外探测器，将比用GaN基材料、SiC等材料制备的紫外探测器价格更加便宜、性能也将更优越。MSM结构是有两个背靠背的肖特基二极管构成，不必形成PN结和欧姆接触。所以，MSM结构比光电导、PN结、PIN等结构的工艺简单，特别适合于金刚石等宽禁带探测器的制造。三、应用范围和市场前景紫外探测器主要用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测，固体燃料成分分析、环境污染监测、水下通信、细胞癌变分析、DNA测试、准分子激光器检测等领域。随着紫外线的广泛应用，紫外探测器也必将在环保、医学、军事等领域广泛应用，并有着广阔的市场。四、对合作者要求有从事金刚石薄膜生长的能力，合作开发金刚石薄膜紫外探测器及其应用。
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金刚石膜紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目简介 本 产品 是 在 金刚石薄膜上采用平面半导体工艺，研制具有金属－半导体－金属(MSM) 结构的紫外光电探测器，用于100～400nm 紫外波段光信号的探测。 二、技术特点 金刚石具有禁带宽度宽（5.3ev）、响应波段短、耐高温、抗腐蚀等优点，是同类宽带材料（GaN基材料、SiC、BN等）中光响应波段最短的材料，光响应峰值约为200nm , 400～800nm 的可见光区范围均为盲区，大大有利于紫外光的探测。金刚石薄膜的生长技术在中国已经逐渐成熟，成本大大下降。所以采用金刚石薄膜紫外探测器，将比用GaN基材料、SiC等材料制备的紫外探测器价格更加便宜、性能也将更优越。MSM结构是有两个背靠背的肖特基二极管构成，不必形成PN结和欧姆接触。所以，MSM结构比光电导、PN结、PIN等结构的工艺简单，特别适合于金刚石等宽禁带探测器的制造。 三、应用范围和市场前景 紫外探测器主要用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测，固体燃料成分分析、环境污染监测、水下通信、细胞癌变分析、DNA测试、准分子激光器检测等领域。随着紫外线的广泛应用，紫外探测器也必将在环保、医学、军事等领域广泛应用，并有着广阔的市场。 四、对合作者要求 有从事金刚石薄膜生长的能力，合作开发金刚石薄膜紫外探测器及其应用。
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SiC PIN紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，TO46金属管平面光窗封装。 二、技术成熟程度 我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。 三、应用范围 可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。 四、投产条件与预期经济效益 SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。 五、合作方式 面议
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一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器，包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底；微透镜阵列设置于半导体材料基底上；金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的两边缘上使得微透镜中间球面部分作为光照区域，边缘部分被金属电极覆盖。本发明通过集成微透镜及其阵列可以提高感光区面积，同时可以在半导体内部将入射光汇聚而提高单位体积内的光强，增加光生载流子密度以及光增益系数。这种非平面紫外光电探测器的电极结构相比于传统平面电极，具有更强的载流子捕获能力。此外，本发明的紫外光电探测器的结构简单，易实现大规模生产。
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金属/半导体/金属结构TiO2紫外光探测器的制备方法
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
半导体紫外光电探测器具有抗干扰能力强和适于在恶劣环境下工作等优良的特性，具有极高的军事和民用价值。体积小、效率高、成本低、易于集成、适于在恶劣环境下工作的新型宽禁带半导体紫外探测器及大尺寸紫外成像器件的研究成为国际上光电探测领域的研究热点。由于宽禁带半导体ＴiO2材料价格低廉，本身具有非常好的耐候性、物理和化学稳定性、适宜的光电特性，而且在材料制备方面有众多成熟的手段，以满足不同应用的需要，因此在紫外探测方面显示出独特的应用前景。
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SiC紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，探测器采用TO46金属管平面光窗封装。本项目已完成全部工艺研究，并有样管提供给相关的使用单位试用，项目的技术成熟可靠。可应用于导弹预警、跟踪、紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析等多领域。
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SiCPIN紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，T46金属管平面光窗封装。二、技术成熟程度我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。三、应用范围可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。四、投产条件与预期经济效益SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。五、合作方式面议
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金刚石膜紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目简介本产品是在金刚石薄膜上采用平面半导体工艺，研制具有金属－半导体－金属(MSM)结构的紫外光电探测器，用于100～400nm紫外波段光信号的探测。二、技术特点金刚石具有禁带宽度宽（5.3ev）、响应波段短、耐高温、抗腐蚀等优点，是同类宽带材料（GaN基材料、SiC、BN等）中光响应波段最短的材料，光响应峰值约为200nm,400～800nm的可见光区范围均为盲区，大大有利于紫外光的探测。金刚石薄膜的生长技术在中国已经逐渐成熟，成本大大下降。所以采用金刚石薄膜紫外探测器，将比用GaN基材料、SiC等材料制备的紫外探测器价格更加便宜、性能也将更优越。MSM结构是有两个背靠背的肖特基二极管构成，不必形成PN结和欧姆接触。所以，MSM结构比光电导、PN结、PIN等结构的工艺简单，特别适合于金刚石等宽禁带探测器的制造。三、应用范围和市场前景紫外探测器主要用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测，固体燃料成分分析、环境污染监测、水下通信、细胞癌变分析、DNA测试、准分子激光器检测等领域。随着紫外线的广泛应用，紫外探测器也必将在环保、医学、军事等领域广泛应用，并有着广阔的市场。四、对合作者要求有从事金刚石薄膜生长的能力，合作开发金刚石薄膜紫外探测器及其应用。
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金刚石膜紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目简介 本 产品 是 在 金刚石薄膜上采用平面半导体工艺，研制具有金属－半导体－金属(MSM) 结构的紫外光电探测器，用于100～400nm 紫外波段光信号的探测。 二、技术特点 金刚石具有禁带宽度宽（5.3ev）、响应波段短、耐高温、抗腐蚀等优点，是同类宽带材料（GaN基材料、SiC、BN等）中光响应波段最短的材料，光响应峰值约为200nm , 400～800nm 的可见光区范围均为盲区，大大有利于紫外光的探测。金刚石薄膜的生长技术在中国已经逐渐成熟，成本大大下降。所以采用金刚石薄膜紫外探测器，将比用GaN基材料、SiC等材料制备的紫外探测器价格更加便宜、性能也将更优越。MSM结构是有两个背靠背的肖特基二极管构成，不必形成PN结和欧姆接触。所以，MSM结构比光电导、PN结、PIN等结构的工艺简单，特别适合于金刚石等宽禁带探测器的制造。 三、应用范围和市场前景 紫外探测器主要用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测，固体燃料成分分析、环境污染监测、水下通信、细胞癌变分析、DNA测试、准分子激光器检测等领域。随着紫外线的广泛应用，紫外探测器也必将在环保、医学、军事等领域广泛应用，并有着广阔的市场。 四、对合作者要求 有从事金刚石薄膜生长的能力，合作开发金刚石薄膜紫外探测器及其应用。
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SiC PIN紫外光电探测器
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm，响应度约130mA/W，结电容约10fP，漏电流小于1pA，TO46金属管平面光窗封装。 二、技术成熟程度 我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究，掌握了SiC器件的制备关键工艺技术，研究了多种金属与SiC接触的性能，摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程，制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测，主要技术参数接近国际水平。 三、应用范围 可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。 四、投产条件与预期经济效益 SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成，如果全过程建设，所需的费用约500万元左右，如已有半导体工艺线，则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构，管芯面积约500X500um2计算，包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等，每个探测器成本约200元，市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。 五、合作方式 面议