找到18项技术成果数据。
找技术>-
微波毫米波新型基片集成类导波结构及器件
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
微波毫米波传输结构及其衍生的各种高性能器件是微波毫米波技术的基础，也是无线通信、雷达和射电天文等无线系统的关键与核心。在国家自然科学基金委创新群体基金和国家973、863等项目的资助下，2001年以来，该项目组围绕新型微波毫米波基片集成类导波结构及其衍生的新型高性能器件进行了系统深入地研究。作为国际上这一领域的主要贡献者之一，该项目组提出了半模基片集成波导等多种新型平面导波结构，提出了一系列基片集成类无源器件新结构，并对这类结构及器件的传输特性、谐振特性、损耗机理、模式和极化转换机理等基础科学问题进行了深入研究，发展了相应的设计方法，发明了一系列新型高性能微波毫米波器件，并且部分器件已得到实际应用。鉴于基片集成类导波结构的突出优点，2011年国际核心期刊Microwave Journal将之列为“改变未来无源和控制器件的十大发明”之首（Microwave Journal, Nov. 2011,“Divine innovations: 10 Technologies Changing the Future of Passive and Control Components”)。该项目主要发现点和科学价值如下：在国际上最早提出并发展了适合于周期性基片集成类导波结构的频域有限差分和直线法全波分析模型，揭示了其传输机理，并在该基础上构建了一组闭式设计公式。这组公式已被国内外学者广泛地用于基片集成类导波结构元器件的设计。提出并命名了半模基片集成波导、折叠半模基片集成波导等新型导波结构，系统地研究了其导波特性、损耗机理和模式转换机理等，构建了设计公式，并在该基础上发展了一系列新型微波毫米波高性能器件。提出了多种基片集成波导无源新结构，深入研究了其谐振特性、耦合特性和损耗机理，并在该基础上发展了一系列高性能新型器件及单基片集成系统。阐明了基片集成波导天线的辐射机理，并在该基础上突破了经典Elliott设计公式的局限，建立了相应的分析模型和设计方法，提出并实现了一系列新颖独特的高性能基片集成类天线及阵列。十几年来,该项目组在IEEE等系列国际核心期刊上发表SCI论文147篇(包括微波及天线领域国际最高学术期刊IEEET-MTT和IEEE T-AP论文67篇）。其中八篇代表性论文正面他引1039次（SCI他引324次)，二十篇主要论文正面他引1790次（SCI他引628次)，应邀在美、英、德、日等11国召开的国际会议上作大会报告和特邀报告20余次。参与该项目研究的学生中，2人获全国百篇优博学位论文奖，1人获全国优博学位论文提名奖。此外，还获得2007 CST University Publication Award (首篇大中华区获奖论文）和ISAP2010最佳论文奖等。这方面的研究成果已获54项授权国家发明专利，其中部分专利已进行技术转让并应用于企业产品中。该项目第一申请人由于在这方面的突出贡献于2012年当选IEEE Fellow。
-
一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明属于太赫兹探测及成像领域,提供一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,应用于太赫兹探测系统中,位于太赫兹源与红外探测器之间;该结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金属反射层和吸收层;所述吸收层由若干个“十”字型吸收单元周期性排列构成,每个吸收单元由相互交替设置的介质层和金属图形层构成,吸收单元顶层为金属图形层、与金属反射层之间为介质层。本发明的提供太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,能够在设计的THz频点达到太赫兹波吸收率90%（带宽1THz）,同时实现将太赫兹辐射转换为红外辐射,供红外探测器工作,从而实现太赫兹探测,利用成熟的红外探测技术实现高分辨率和高灵敏度的太赫兹探测。
-
薄膜沉积装备
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
薄膜沉积技术是微纳制造、光学器件、半导体芯片等领域的核心工艺，其通过原子或分子级别的材料堆积，赋予基底表面特定功能特性（如光学增透、导电、耐腐蚀等）。 随着集成电路向 2nm 以下节点迈进、光学系统向高精度与极端环境适应性升级，以及新能源、航空航天等领域对功能性涂层的迫切需求，薄膜沉积设备正面临更高性能、更广适应性和更低成本的挑战。。 针对精密光学领域对高均匀性、高硬度及低损耗薄膜的需求，新一代磁控溅射沉积 设备通过多项技术创新实现突破。采用低温等离子体反应溅射技术，优化靶材与反应气体的协同作用，解决了传统陶瓷靶溅射速率低、靶中毒等问题，沉积速率提升 30%以上，膜层纯度达光学级要求。多层膜设计与工艺调控，反射率低于 0.2%。兼容复杂曲面镀膜，满足激光器件、低辐射玻璃等高端光学元件的定制需求。 团队进一步拓展了薄膜技术在多场景的应用，研制了公斤级粉末材料镀膜设备，实现 NCM、碳化硅、金刚石复杂材料的纳米级包覆。针对军事、航空航天等领域管线防腐与功能化需求，研制了管线镀膜装备，在管道、沟槽等复杂结构内壁均匀沉积氧化物、 氮化物防护膜，厚度偏差5%，耐腐蚀性提升 10 倍以上。
-
一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开了一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置，包括快轴准直微透镜，所述快轴准直微透镜前面设置有分光板，所述分光板的两侧分别设置有巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和巴条空间光谱分布测试模块，所述巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和所述巴条空间光谱分布测试模块都和计算机连接。采用本实用新型技术方案，操作简单，测试效率非常高；可以对半导体激光器巴条的散热性能和封装引入的应力进行全面分析；不仅对半导体激光巴条的性能分析和封装技术的改进有着非常重要的意义，而且其功能集成度高和测试效率高的优点适用于大规模的生产。
-
集成电路及器件故障诊断方法的研究
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
该课题针对半导体器件和集成电路中一种常见的、危害很大的一种噪声的检测问题展开的。课题组根据爆裂噪声的时域特点，提出在时域内对爆裂噪声进行分析及识别的方法，分析论述了爆裂噪声发生的机理及特点，然后，从爆裂噪声和背景高斯噪声的奇异性分析入手，证明了用小波变换方法检测突变信号的奇异性是有理论基础的，并通过计算机仿真实验，详细地分析了高斯噪声、爆裂噪声及受扰爆裂噪声的多分辨分析的特点，而且通过大量的实验和统计获得最优的确定小波变换参数的方法，这将为电子器件的严格筛选、电子电路的故障诊断及电子电路的可靠性研究提供新的理论依据和具有实际意义的方法，预示着广阔的应用前景。最新文献检索表明：用噪声测量技术和小波分析方法检测集成电路及器件的潜在故障或缺陷属于创新性研究课题，不论在国内还是在国外均无相近的研究报道，该课题的研究填补了这一空白。国内集成芯片平均淘汰率在10%左右。由频域法检测产生的误差约±5%，即约有5～10个百分点的欠─过淘汰率。因此，采用时域法将为集成芯片生产厂家从不精确的淘汰过程中挽回5～10%的损失，这是一个不小的经济指标。此项技术无疑将推动信息产业乃至经济的发展。此外，这一课题的研究将使信号检测理论及方法拓宽到一个新的空间，为进一步抑制电子电路的噪声和在噪声中提取信号探索一条新路。在很多应用场合中，如国防、通信、航天和医疗仪器等，电子元器件的可靠性已经被放在至关重要的地位，而由于制作工艺的限制，爆裂噪声是很难消除的，所以此项研究无论对电子器件的生产厂家还是用户，都具有广阔的应用前景。由于经费和时间的限制，该项目研究仅限于基础理论的突破，与一个针对用户的应用系统或产品相比，还有差距。今后要做的工作是如何把这个基础理论性研究项目转化为一个用户可以直接受益的产业化项目。
-
一种新型量子点发光 二极管器件及其制备 方法
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
发明涉及一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法，所 述制备方法包括：准备衬底，所述衬底作为阳极电极层；在所 述衬底上旋涂空穴注入层；在所述空穴注入层上旋涂 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构；在所述 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构上旋涂 量子点发光层；在所述量子点发光层上旋涂电子传输层；在所 述电子传输层上制作阴极电极 。本发明引入新型叠层结构 TFB/Au NPs/TFB，利用 Au NPs 和量子点的等离子体相互作用， 加快了QDs 的辐射复合速率，增强了量子点的荧光发射，提升 了器件的外量子效率。
-
神经形态显示驱动和发光单元
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
将神经形态器件与显示技术相结合，研制出具有神经形态功能的显示驱动和发光基本单元。克服传统 CMOS 架构在集成度、处理速度以及功耗上的不足并赋予传感和显示器件学习和思考的能力。与传统系统相比，新系统具有高度的并行结构和并行实现能力，使得神经形态显示不仅可以与更多设备实现无延迟互联，多进程处理任务，存算一 体的架构，同时，还具有存储和学习的能力。在平板显示方面有着广阔的前景。
-
光电功能材料与器件国际科技合作基地
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本研究主要形成以下几方面的应用成果： （1）建立了新一代光电功能材料理论基础与材料化学结构设计原理。在化学结构与激发态特性的关系问题方面,通过建立激发态性质的化学结构调控方法,发展了通过超快技术研究激发态特性的表征技术;在三线态激子的形成与调控问题方面,涉及激子统计的理论与实验研究,主要从源头寻找突破激子统计制约的途径,提出了新一代材料设计新思路,激子利用率接近100%。这方面工作正在与广州新视界公司合作,进行中试验证。 更进一步,将技术转移到发光材料的生产厂家,进行批量生产,供应生产线。 （2）新型柔性与光电薄膜制备工艺。柔性器件关键技术问题包括：柔性基板技术、柔性电路制造技术、柔性薄膜封装技术、薄膜制备技术等。溶液加工关键技术包括：掌握溶剂和添加剂对电子墨水流变性、表面张力、挥发特性的影响;深入研究电子墨水打印动力学过程,实现打印墨滴的连续、稳定输出,实现大面积薄膜的印刷成型;在高质量薄膜制备方面,半导体真空技术与印刷制备薄膜技术相结合,制备多层功能薄膜。这方面工作正在广州新视界公司进行工程化验证,正在突破喷墨打印技术制备发光显示屏的技术瓶颈,争取掌握生产技术。 （3）稀土掺杂氧化物薄膜晶体管（TFT）阵列技术 建设完成了 AMOLED 材料和技术研发平台,采用华南理工大学自主研发的AMOLED 技术,将基础研究成果积极向产业转移,为国内显示龙头企业提供了AMOLED 关键材料、TFT 基板关键技术等方面的支持;研发了新型金属氧化物半导体材料稀土钕掺杂氧化物（Ln-IZO）,具有自主知识产权,实现了AMOLED的高性能化,打破了国外技术壁垒。与日韩公司发明的 IGZO 材料同学相比,Ln-IZO 半导体材料具有迁移率高,阈值电压低、稳定性好等特点,极具产业应用的前景。该研究成果与国内龙头企业京东方集团、华星光电等签订了合作协议,目前正在进行工程化验证,向生产线应用方向推进。
-
级联式体全息光栅密集波分复用器件制作方法及其系统
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
级联式体全息光栅密集波分复用器件制作方法及其系统，属于光通信技术领域。它把全息记录介质分成不同的空间子区域，每个子区域记录一个至四个体全息光栅，所有的体光栅的光栅矢量方向均与端面成45度角，而光栅矢量的大小各不相同。同时短波长记录光栅时，是在介质的顶面和侧面（垂直于输入和输出端面）进行，即写入光束所在的平面与输入－输出光束组成的平面互相垂直。保证了输入通道与输出通道夹角为90度，所有波长的输出通道均相互平行，可提供最高的衍射效率。
-
多物理场下集成分子器件的动力学性能调控
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目围绕分子器件在外场下的输运、相变等特性，其中外场包括磁场、电场、光场、温度等等，详 细讨论了分子结构与性能的关系，为设计新型分子光电子器件提供了理论指导。 主要成果包括： （1）研究了多轨道分子器件外磁场调控的自旋极化输运，为单一方向外磁场调控获得双向自旋极化电 导提供了理论方案； （2）探究了光场作用下的分子器件非绝热动力学行为，开发了一种高度普适的光与分子相互作用非绝 热动力学性能模拟方法； （3）探究了外磁场的电势可调自旋界面替代方案，设计了同步实现电压可操纵自旋反转和自旋选择效 应的多功能分子器件； （4）研究了分子器件中的光电子谱函数及其温度鲁棒性，实现了分子器件中能级差调控的Kosterlitz- Thouless相变； （5）揭示了阻挫分子器件中电容耦合及隧穿耦合对量子输运的调控机制。 科技成果项目图片：
找到18项技术成果数据。
找技术>-
微波毫米波新型基片集成类导波结构及器件
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
微波毫米波传输结构及其衍生的各种高性能器件是微波毫米波技术的基础，也是无线通信、雷达和射电天文等无线系统的关键与核心。在国家自然科学基金委创新群体基金和国家973、863等项目的资助下，2001年以来，该项目组围绕新型微波毫米波基片集成类导波结构及其衍生的新型高性能器件进行了系统深入地研究。作为国际上这一领域的主要贡献者之一，该项目组提出了半模基片集成波导等多种新型平面导波结构，提出了一系列基片集成类无源器件新结构，并对这类结构及器件的传输特性、谐振特性、损耗机理、模式和极化转换机理等基础科学问题进行了深入研究，发展了相应的设计方法，发明了一系列新型高性能微波毫米波器件，并且部分器件已得到实际应用。鉴于基片集成类导波结构的突出优点，2011年国际核心期刊Microwave Journal将之列为“改变未来无源和控制器件的十大发明”之首（Microwave Journal, Nov. 2011,“Divine innovations: 10 Technologies Changing the Future of Passive and Control Components”)。该项目主要发现点和科学价值如下：在国际上最早提出并发展了适合于周期性基片集成类导波结构的频域有限差分和直线法全波分析模型，揭示了其传输机理，并在该基础上构建了一组闭式设计公式。这组公式已被国内外学者广泛地用于基片集成类导波结构元器件的设计。提出并命名了半模基片集成波导、折叠半模基片集成波导等新型导波结构，系统地研究了其导波特性、损耗机理和模式转换机理等，构建了设计公式，并在该基础上发展了一系列新型微波毫米波高性能器件。提出了多种基片集成波导无源新结构，深入研究了其谐振特性、耦合特性和损耗机理，并在该基础上发展了一系列高性能新型器件及单基片集成系统。阐明了基片集成波导天线的辐射机理，并在该基础上突破了经典Elliott设计公式的局限，建立了相应的分析模型和设计方法，提出并实现了一系列新颖独特的高性能基片集成类天线及阵列。十几年来,该项目组在IEEE等系列国际核心期刊上发表SCI论文147篇(包括微波及天线领域国际最高学术期刊IEEET-MTT和IEEE T-AP论文67篇）。其中八篇代表性论文正面他引1039次（SCI他引324次)，二十篇主要论文正面他引1790次（SCI他引628次)，应邀在美、英、德、日等11国召开的国际会议上作大会报告和特邀报告20余次。参与该项目研究的学生中，2人获全国百篇优博学位论文奖，1人获全国优博学位论文提名奖。此外，还获得2007 CST University Publication Award (首篇大中华区获奖论文）和ISAP2010最佳论文奖等。这方面的研究成果已获54项授权国家发明专利，其中部分专利已进行技术转让并应用于企业产品中。该项目第一申请人由于在这方面的突出贡献于2012年当选IEEE Fellow。
-
一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明属于太赫兹探测及成像领域,提供一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,应用于太赫兹探测系统中,位于太赫兹源与红外探测器之间;该结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金属反射层和吸收层;所述吸收层由若干个“十”字型吸收单元周期性排列构成,每个吸收单元由相互交替设置的介质层和金属图形层构成,吸收单元顶层为金属图形层、与金属反射层之间为介质层。本发明的提供太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,能够在设计的THz频点达到太赫兹波吸收率90%（带宽1THz）,同时实现将太赫兹辐射转换为红外辐射,供红外探测器工作,从而实现太赫兹探测,利用成熟的红外探测技术实现高分辨率和高灵敏度的太赫兹探测。
-
薄膜沉积装备
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
薄膜沉积技术是微纳制造、光学器件、半导体芯片等领域的核心工艺，其通过原子或分子级别的材料堆积，赋予基底表面特定功能特性（如光学增透、导电、耐腐蚀等）。 随着集成电路向 2nm 以下节点迈进、光学系统向高精度与极端环境适应性升级，以及新能源、航空航天等领域对功能性涂层的迫切需求，薄膜沉积设备正面临更高性能、更广适应性和更低成本的挑战。。 针对精密光学领域对高均匀性、高硬度及低损耗薄膜的需求，新一代磁控溅射沉积 设备通过多项技术创新实现突破。采用低温等离子体反应溅射技术，优化靶材与反应气体的协同作用，解决了传统陶瓷靶溅射速率低、靶中毒等问题，沉积速率提升 30%以上，膜层纯度达光学级要求。多层膜设计与工艺调控，反射率低于 0.2%。兼容复杂曲面镀膜，满足激光器件、低辐射玻璃等高端光学元件的定制需求。 团队进一步拓展了薄膜技术在多场景的应用，研制了公斤级粉末材料镀膜设备，实现 NCM、碳化硅、金刚石复杂材料的纳米级包覆。针对军事、航空航天等领域管线防腐与功能化需求，研制了管线镀膜装备，在管道、沟槽等复杂结构内壁均匀沉积氧化物、 氮化物防护膜，厚度偏差5%，耐腐蚀性提升 10 倍以上。
-
一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开了一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置，包括快轴准直微透镜，所述快轴准直微透镜前面设置有分光板，所述分光板的两侧分别设置有巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和巴条空间光谱分布测试模块，所述巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和所述巴条空间光谱分布测试模块都和计算机连接。采用本实用新型技术方案，操作简单，测试效率非常高；可以对半导体激光器巴条的散热性能和封装引入的应力进行全面分析；不仅对半导体激光巴条的性能分析和封装技术的改进有着非常重要的意义，而且其功能集成度高和测试效率高的优点适用于大规模的生产。
-
集成电路及器件故障诊断方法的研究
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
该课题针对半导体器件和集成电路中一种常见的、危害很大的一种噪声的检测问题展开的。课题组根据爆裂噪声的时域特点，提出在时域内对爆裂噪声进行分析及识别的方法，分析论述了爆裂噪声发生的机理及特点，然后，从爆裂噪声和背景高斯噪声的奇异性分析入手，证明了用小波变换方法检测突变信号的奇异性是有理论基础的，并通过计算机仿真实验，详细地分析了高斯噪声、爆裂噪声及受扰爆裂噪声的多分辨分析的特点，而且通过大量的实验和统计获得最优的确定小波变换参数的方法，这将为电子器件的严格筛选、电子电路的故障诊断及电子电路的可靠性研究提供新的理论依据和具有实际意义的方法，预示着广阔的应用前景。最新文献检索表明：用噪声测量技术和小波分析方法检测集成电路及器件的潜在故障或缺陷属于创新性研究课题，不论在国内还是在国外均无相近的研究报道，该课题的研究填补了这一空白。国内集成芯片平均淘汰率在10%左右。由频域法检测产生的误差约±5%，即约有5～10个百分点的欠─过淘汰率。因此，采用时域法将为集成芯片生产厂家从不精确的淘汰过程中挽回5～10%的损失，这是一个不小的经济指标。此项技术无疑将推动信息产业乃至经济的发展。此外，这一课题的研究将使信号检测理论及方法拓宽到一个新的空间，为进一步抑制电子电路的噪声和在噪声中提取信号探索一条新路。在很多应用场合中，如国防、通信、航天和医疗仪器等，电子元器件的可靠性已经被放在至关重要的地位，而由于制作工艺的限制，爆裂噪声是很难消除的，所以此项研究无论对电子器件的生产厂家还是用户，都具有广阔的应用前景。由于经费和时间的限制，该项目研究仅限于基础理论的突破，与一个针对用户的应用系统或产品相比，还有差距。今后要做的工作是如何把这个基础理论性研究项目转化为一个用户可以直接受益的产业化项目。
-
一种新型量子点发光 二极管器件及其制备 方法
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
发明涉及一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法，所 述制备方法包括：准备衬底，所述衬底作为阳极电极层；在所 述衬底上旋涂空穴注入层；在所述空穴注入层上旋涂 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构；在所述 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构上旋涂 量子点发光层；在所述量子点发光层上旋涂电子传输层；在所 述电子传输层上制作阴极电极 。本发明引入新型叠层结构 TFB/Au NPs/TFB，利用 Au NPs 和量子点的等离子体相互作用， 加快了QDs 的辐射复合速率，增强了量子点的荧光发射，提升 了器件的外量子效率。
-
神经形态显示驱动和发光单元
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
将神经形态器件与显示技术相结合，研制出具有神经形态功能的显示驱动和发光基本单元。克服传统 CMOS 架构在集成度、处理速度以及功耗上的不足并赋予传感和显示器件学习和思考的能力。与传统系统相比，新系统具有高度的并行结构和并行实现能力，使得神经形态显示不仅可以与更多设备实现无延迟互联，多进程处理任务，存算一 体的架构，同时，还具有存储和学习的能力。在平板显示方面有着广阔的前景。
-
光电功能材料与器件国际科技合作基地
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本研究主要形成以下几方面的应用成果： （1）建立了新一代光电功能材料理论基础与材料化学结构设计原理。在化学结构与激发态特性的关系问题方面,通过建立激发态性质的化学结构调控方法,发展了通过超快技术研究激发态特性的表征技术;在三线态激子的形成与调控问题方面,涉及激子统计的理论与实验研究,主要从源头寻找突破激子统计制约的途径,提出了新一代材料设计新思路,激子利用率接近100%。这方面工作正在与广州新视界公司合作,进行中试验证。 更进一步,将技术转移到发光材料的生产厂家,进行批量生产,供应生产线。 （2）新型柔性与光电薄膜制备工艺。柔性器件关键技术问题包括：柔性基板技术、柔性电路制造技术、柔性薄膜封装技术、薄膜制备技术等。溶液加工关键技术包括：掌握溶剂和添加剂对电子墨水流变性、表面张力、挥发特性的影响;深入研究电子墨水打印动力学过程,实现打印墨滴的连续、稳定输出,实现大面积薄膜的印刷成型;在高质量薄膜制备方面,半导体真空技术与印刷制备薄膜技术相结合,制备多层功能薄膜。这方面工作正在广州新视界公司进行工程化验证,正在突破喷墨打印技术制备发光显示屏的技术瓶颈,争取掌握生产技术。 （3）稀土掺杂氧化物薄膜晶体管（TFT）阵列技术 建设完成了 AMOLED 材料和技术研发平台,采用华南理工大学自主研发的AMOLED 技术,将基础研究成果积极向产业转移,为国内显示龙头企业提供了AMOLED 关键材料、TFT 基板关键技术等方面的支持;研发了新型金属氧化物半导体材料稀土钕掺杂氧化物（Ln-IZO）,具有自主知识产权,实现了AMOLED的高性能化,打破了国外技术壁垒。与日韩公司发明的 IGZO 材料同学相比,Ln-IZO 半导体材料具有迁移率高,阈值电压低、稳定性好等特点,极具产业应用的前景。该研究成果与国内龙头企业京东方集团、华星光电等签订了合作协议,目前正在进行工程化验证,向生产线应用方向推进。
-
级联式体全息光栅密集波分复用器件制作方法及其系统
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
级联式体全息光栅密集波分复用器件制作方法及其系统，属于光通信技术领域。它把全息记录介质分成不同的空间子区域，每个子区域记录一个至四个体全息光栅，所有的体光栅的光栅矢量方向均与端面成45度角，而光栅矢量的大小各不相同。同时短波长记录光栅时，是在介质的顶面和侧面（垂直于输入和输出端面）进行，即写入光束所在的平面与输入－输出光束组成的平面互相垂直。保证了输入通道与输出通道夹角为90度，所有波长的输出通道均相互平行，可提供最高的衍射效率。
-
多物理场下集成分子器件的动力学性能调控
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目围绕分子器件在外场下的输运、相变等特性，其中外场包括磁场、电场、光场、温度等等，详 细讨论了分子结构与性能的关系，为设计新型分子光电子器件提供了理论指导。 主要成果包括： （1）研究了多轨道分子器件外磁场调控的自旋极化输运，为单一方向外磁场调控获得双向自旋极化电 导提供了理论方案； （2）探究了光场作用下的分子器件非绝热动力学行为，开发了一种高度普适的光与分子相互作用非绝 热动力学性能模拟方法； （3）探究了外磁场的电势可调自旋界面替代方案，设计了同步实现电压可操纵自旋反转和自旋选择效 应的多功能分子器件； （4）研究了分子器件中的光电子谱函数及其温度鲁棒性，实现了分子器件中能级差调控的Kosterlitz- Thouless相变； （5）揭示了阻挫分子器件中电容耦合及隧穿耦合对量子输运的调控机制。 科技成果项目图片：
找到18项技术成果数据。
找技术>-
微波毫米波新型基片集成类导波结构及器件
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
微波毫米波传输结构及其衍生的各种高性能器件是微波毫米波技术的基础，也是无线通信、雷达和射电天文等无线系统的关键与核心。在国家自然科学基金委创新群体基金和国家973、863等项目的资助下，2001年以来，该项目组围绕新型微波毫米波基片集成类导波结构及其衍生的新型高性能器件进行了系统深入地研究。作为国际上这一领域的主要贡献者之一，该项目组提出了半模基片集成波导等多种新型平面导波结构，提出了一系列基片集成类无源器件新结构，并对这类结构及器件的传输特性、谐振特性、损耗机理、模式和极化转换机理等基础科学问题进行了深入研究，发展了相应的设计方法，发明了一系列新型高性能微波毫米波器件，并且部分器件已得到实际应用。鉴于基片集成类导波结构的突出优点，2011年国际核心期刊Microwave Journal将之列为“改变未来无源和控制器件的十大发明”之首（Microwave Journal, Nov. 2011,“Divine innovations: 10 Technologies Changing the Future of Passive and Control Components”)。该项目主要发现点和科学价值如下：在国际上最早提出并发展了适合于周期性基片集成类导波结构的频域有限差分和直线法全波分析模型，揭示了其传输机理，并在该基础上构建了一组闭式设计公式。这组公式已被国内外学者广泛地用于基片集成类导波结构元器件的设计。提出并命名了半模基片集成波导、折叠半模基片集成波导等新型导波结构，系统地研究了其导波特性、损耗机理和模式转换机理等，构建了设计公式，并在该基础上发展了一系列新型微波毫米波高性能器件。提出了多种基片集成波导无源新结构，深入研究了其谐振特性、耦合特性和损耗机理，并在该基础上发展了一系列高性能新型器件及单基片集成系统。阐明了基片集成波导天线的辐射机理，并在该基础上突破了经典Elliott设计公式的局限，建立了相应的分析模型和设计方法，提出并实现了一系列新颖独特的高性能基片集成类天线及阵列。十几年来,该项目组在IEEE等系列国际核心期刊上发表SCI论文147篇(包括微波及天线领域国际最高学术期刊IEEET-MTT和IEEE T-AP论文67篇）。其中八篇代表性论文正面他引1039次（SCI他引324次)，二十篇主要论文正面他引1790次（SCI他引628次)，应邀在美、英、德、日等11国召开的国际会议上作大会报告和特邀报告20余次。参与该项目研究的学生中，2人获全国百篇优博学位论文奖，1人获全国优博学位论文提名奖。此外，还获得2007 CST University Publication Award (首篇大中华区获奖论文）和ISAP2010最佳论文奖等。这方面的研究成果已获54项授权国家发明专利，其中部分专利已进行技术转让并应用于企业产品中。该项目第一申请人由于在这方面的突出贡献于2012年当选IEEE Fellow。
-
一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明属于太赫兹探测及成像领域,提供一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,应用于太赫兹探测系统中,位于太赫兹源与红外探测器之间;该结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金属反射层和吸收层;所述吸收层由若干个“十”字型吸收单元周期性排列构成,每个吸收单元由相互交替设置的介质层和金属图形层构成,吸收单元顶层为金属图形层、与金属反射层之间为介质层。本发明的提供太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,能够在设计的THz频点达到太赫兹波吸收率90%（带宽1THz）,同时实现将太赫兹辐射转换为红外辐射,供红外探测器工作,从而实现太赫兹探测,利用成熟的红外探测技术实现高分辨率和高灵敏度的太赫兹探测。
-
薄膜沉积装备
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
薄膜沉积技术是微纳制造、光学器件、半导体芯片等领域的核心工艺，其通过原子或分子级别的材料堆积，赋予基底表面特定功能特性（如光学增透、导电、耐腐蚀等）。 随着集成电路向 2nm 以下节点迈进、光学系统向高精度与极端环境适应性升级，以及新能源、航空航天等领域对功能性涂层的迫切需求，薄膜沉积设备正面临更高性能、更广适应性和更低成本的挑战。。 针对精密光学领域对高均匀性、高硬度及低损耗薄膜的需求，新一代磁控溅射沉积 设备通过多项技术创新实现突破。采用低温等离子体反应溅射技术，优化靶材与反应气体的协同作用，解决了传统陶瓷靶溅射速率低、靶中毒等问题，沉积速率提升 30%以上，膜层纯度达光学级要求。多层膜设计与工艺调控，反射率低于 0.2%。兼容复杂曲面镀膜，满足激光器件、低辐射玻璃等高端光学元件的定制需求。 团队进一步拓展了薄膜技术在多场景的应用，研制了公斤级粉末材料镀膜设备，实现 NCM、碳化硅、金刚石复杂材料的纳米级包覆。针对军事、航空航天等领域管线防腐与功能化需求，研制了管线镀膜装备，在管道、沟槽等复杂结构内壁均匀沉积氧化物、 氮化物防护膜，厚度偏差5%，耐腐蚀性提升 10 倍以上。
-
一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开了一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置，包括快轴准直微透镜，所述快轴准直微透镜前面设置有分光板，所述分光板的两侧分别设置有巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和巴条空间光谱分布测试模块，所述巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和所述巴条空间光谱分布测试模块都和计算机连接。采用本实用新型技术方案，操作简单，测试效率非常高；可以对半导体激光器巴条的散热性能和封装引入的应力进行全面分析；不仅对半导体激光巴条的性能分析和封装技术的改进有着非常重要的意义，而且其功能集成度高和测试效率高的优点适用于大规模的生产。
-
集成电路及器件故障诊断方法的研究
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
该课题针对半导体器件和集成电路中一种常见的、危害很大的一种噪声的检测问题展开的。课题组根据爆裂噪声的时域特点，提出在时域内对爆裂噪声进行分析及识别的方法，分析论述了爆裂噪声发生的机理及特点，然后，从爆裂噪声和背景高斯噪声的奇异性分析入手，证明了用小波变换方法检测突变信号的奇异性是有理论基础的，并通过计算机仿真实验，详细地分析了高斯噪声、爆裂噪声及受扰爆裂噪声的多分辨分析的特点，而且通过大量的实验和统计获得最优的确定小波变换参数的方法，这将为电子器件的严格筛选、电子电路的故障诊断及电子电路的可靠性研究提供新的理论依据和具有实际意义的方法，预示着广阔的应用前景。最新文献检索表明：用噪声测量技术和小波分析方法检测集成电路及器件的潜在故障或缺陷属于创新性研究课题，不论在国内还是在国外均无相近的研究报道，该课题的研究填补了这一空白。国内集成芯片平均淘汰率在10%左右。由频域法检测产生的误差约±5%，即约有5～10个百分点的欠─过淘汰率。因此，采用时域法将为集成芯片生产厂家从不精确的淘汰过程中挽回5～10%的损失，这是一个不小的经济指标。此项技术无疑将推动信息产业乃至经济的发展。此外，这一课题的研究将使信号检测理论及方法拓宽到一个新的空间，为进一步抑制电子电路的噪声和在噪声中提取信号探索一条新路。在很多应用场合中，如国防、通信、航天和医疗仪器等，电子元器件的可靠性已经被放在至关重要的地位，而由于制作工艺的限制，爆裂噪声是很难消除的，所以此项研究无论对电子器件的生产厂家还是用户，都具有广阔的应用前景。由于经费和时间的限制，该项目研究仅限于基础理论的突破，与一个针对用户的应用系统或产品相比，还有差距。今后要做的工作是如何把这个基础理论性研究项目转化为一个用户可以直接受益的产业化项目。
-
一种新型量子点发光 二极管器件及其制备 方法
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
发明涉及一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法，所 述制备方法包括：准备衬底，所述衬底作为阳极电极层；在所 述衬底上旋涂空穴注入层；在所述空穴注入层上旋涂 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构；在所述 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构上旋涂 量子点发光层；在所述量子点发光层上旋涂电子传输层；在所 述电子传输层上制作阴极电极 。本发明引入新型叠层结构 TFB/Au NPs/TFB，利用 Au NPs 和量子点的等离子体相互作用， 加快了QDs 的辐射复合速率，增强了量子点的荧光发射，提升 了器件的外量子效率。
-
神经形态显示驱动和发光单元
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
将神经形态器件与显示技术相结合，研制出具有神经形态功能的显示驱动和发光基本单元。克服传统 CMOS 架构在集成度、处理速度以及功耗上的不足并赋予传感和显示器件学习和思考的能力。与传统系统相比，新系统具有高度的并行结构和并行实现能力，使得神经形态显示不仅可以与更多设备实现无延迟互联，多进程处理任务，存算一 体的架构，同时，还具有存储和学习的能力。在平板显示方面有着广阔的前景。
-
光电功能材料与器件国际科技合作基地
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本研究主要形成以下几方面的应用成果： （1）建立了新一代光电功能材料理论基础与材料化学结构设计原理。在化学结构与激发态特性的关系问题方面,通过建立激发态性质的化学结构调控方法,发展了通过超快技术研究激发态特性的表征技术;在三线态激子的形成与调控问题方面,涉及激子统计的理论与实验研究,主要从源头寻找突破激子统计制约的途径,提出了新一代材料设计新思路,激子利用率接近100%。这方面工作正在与广州新视界公司合作,进行中试验证。 更进一步,将技术转移到发光材料的生产厂家,进行批量生产,供应生产线。 （2）新型柔性与光电薄膜制备工艺。柔性器件关键技术问题包括：柔性基板技术、柔性电路制造技术、柔性薄膜封装技术、薄膜制备技术等。溶液加工关键技术包括：掌握溶剂和添加剂对电子墨水流变性、表面张力、挥发特性的影响;深入研究电子墨水打印动力学过程,实现打印墨滴的连续、稳定输出,实现大面积薄膜的印刷成型;在高质量薄膜制备方面,半导体真空技术与印刷制备薄膜技术相结合,制备多层功能薄膜。这方面工作正在广州新视界公司进行工程化验证,正在突破喷墨打印技术制备发光显示屏的技术瓶颈,争取掌握生产技术。 （3）稀土掺杂氧化物薄膜晶体管（TFT）阵列技术 建设完成了 AMOLED 材料和技术研发平台,采用华南理工大学自主研发的AMOLED 技术,将基础研究成果积极向产业转移,为国内显示龙头企业提供了AMOLED 关键材料、TFT 基板关键技术等方面的支持;研发了新型金属氧化物半导体材料稀土钕掺杂氧化物（Ln-IZO）,具有自主知识产权,实现了AMOLED的高性能化,打破了国外技术壁垒。与日韩公司发明的 IGZO 材料同学相比,Ln-IZO 半导体材料具有迁移率高,阈值电压低、稳定性好等特点,极具产业应用的前景。该研究成果与国内龙头企业京东方集团、华星光电等签订了合作协议,目前正在进行工程化验证,向生产线应用方向推进。
-
级联式体全息光栅密集波分复用器件制作方法及其系统
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
级联式体全息光栅密集波分复用器件制作方法及其系统，属于光通信技术领域。它把全息记录介质分成不同的空间子区域，每个子区域记录一个至四个体全息光栅，所有的体光栅的光栅矢量方向均与端面成45度角，而光栅矢量的大小各不相同。同时短波长记录光栅时，是在介质的顶面和侧面（垂直于输入和输出端面）进行，即写入光束所在的平面与输入－输出光束组成的平面互相垂直。保证了输入通道与输出通道夹角为90度，所有波长的输出通道均相互平行，可提供最高的衍射效率。
-
多物理场下集成分子器件的动力学性能调控
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目围绕分子器件在外场下的输运、相变等特性，其中外场包括磁场、电场、光场、温度等等，详 细讨论了分子结构与性能的关系，为设计新型分子光电子器件提供了理论指导。 主要成果包括： （1）研究了多轨道分子器件外磁场调控的自旋极化输运，为单一方向外磁场调控获得双向自旋极化电 导提供了理论方案； （2）探究了光场作用下的分子器件非绝热动力学行为，开发了一种高度普适的光与分子相互作用非绝 热动力学性能模拟方法； （3）探究了外磁场的电势可调自旋界面替代方案，设计了同步实现电压可操纵自旋反转和自旋选择效 应的多功能分子器件； （4）研究了分子器件中的光电子谱函数及其温度鲁棒性，实现了分子器件中能级差调控的Kosterlitz- Thouless相变； （5）揭示了阻挫分子器件中电容耦合及隧穿耦合对量子输运的调控机制。 科技成果项目图片：
找到18项技术成果数据。
找技术>-
微波毫米波新型基片集成类导波结构及器件
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
微波毫米波传输结构及其衍生的各种高性能器件是微波毫米波技术的基础，也是无线通信、雷达和射电天文等无线系统的关键与核心。在国家自然科学基金委创新群体基金和国家973、863等项目的资助下，2001年以来，该项目组围绕新型微波毫米波基片集成类导波结构及其衍生的新型高性能器件进行了系统深入地研究。作为国际上这一领域的主要贡献者之一，该项目组提出了半模基片集成波导等多种新型平面导波结构，提出了一系列基片集成类无源器件新结构，并对这类结构及器件的传输特性、谐振特性、损耗机理、模式和极化转换机理等基础科学问题进行了深入研究，发展了相应的设计方法，发明了一系列新型高性能微波毫米波器件，并且部分器件已得到实际应用。鉴于基片集成类导波结构的突出优点，2011年国际核心期刊Microwave Journal将之列为“改变未来无源和控制器件的十大发明”之首（Microwave Journal, Nov. 2011,“Divine innovations: 10 Technologies Changing the Future of Passive and Control Components”)。该项目主要发现点和科学价值如下：在国际上最早提出并发展了适合于周期性基片集成类导波结构的频域有限差分和直线法全波分析模型，揭示了其传输机理，并在该基础上构建了一组闭式设计公式。这组公式已被国内外学者广泛地用于基片集成类导波结构元器件的设计。提出并命名了半模基片集成波导、折叠半模基片集成波导等新型导波结构，系统地研究了其导波特性、损耗机理和模式转换机理等，构建了设计公式，并在该基础上发展了一系列新型微波毫米波高性能器件。提出了多种基片集成波导无源新结构，深入研究了其谐振特性、耦合特性和损耗机理，并在该基础上发展了一系列高性能新型器件及单基片集成系统。阐明了基片集成波导天线的辐射机理，并在该基础上突破了经典Elliott设计公式的局限，建立了相应的分析模型和设计方法，提出并实现了一系列新颖独特的高性能基片集成类天线及阵列。十几年来,该项目组在IEEE等系列国际核心期刊上发表SCI论文147篇(包括微波及天线领域国际最高学术期刊IEEET-MTT和IEEE T-AP论文67篇）。其中八篇代表性论文正面他引1039次（SCI他引324次)，二十篇主要论文正面他引1790次（SCI他引628次)，应邀在美、英、德、日等11国召开的国际会议上作大会报告和特邀报告20余次。参与该项目研究的学生中，2人获全国百篇优博学位论文奖，1人获全国优博学位论文提名奖。此外，还获得2007 CST University Publication Award (首篇大中华区获奖论文）和ISAP2010最佳论文奖等。这方面的研究成果已获54项授权国家发明专利，其中部分专利已进行技术转让并应用于企业产品中。该项目第一申请人由于在这方面的突出贡献于2012年当选IEEE Fellow。
-
一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明属于太赫兹探测及成像领域,提供一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,应用于太赫兹探测系统中,位于太赫兹源与红外探测器之间;该结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金属反射层和吸收层;所述吸收层由若干个“十”字型吸收单元周期性排列构成,每个吸收单元由相互交替设置的介质层和金属图形层构成,吸收单元顶层为金属图形层、与金属反射层之间为介质层。本发明的提供太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,能够在设计的THz频点达到太赫兹波吸收率90%（带宽1THz）,同时实现将太赫兹辐射转换为红外辐射,供红外探测器工作,从而实现太赫兹探测,利用成熟的红外探测技术实现高分辨率和高灵敏度的太赫兹探测。
-
薄膜沉积装备
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
薄膜沉积技术是微纳制造、光学器件、半导体芯片等领域的核心工艺，其通过原子或分子级别的材料堆积，赋予基底表面特定功能特性（如光学增透、导电、耐腐蚀等）。 随着集成电路向 2nm 以下节点迈进、光学系统向高精度与极端环境适应性升级，以及新能源、航空航天等领域对功能性涂层的迫切需求，薄膜沉积设备正面临更高性能、更广适应性和更低成本的挑战。。 针对精密光学领域对高均匀性、高硬度及低损耗薄膜的需求，新一代磁控溅射沉积 设备通过多项技术创新实现突破。采用低温等离子体反应溅射技术，优化靶材与反应气体的协同作用，解决了传统陶瓷靶溅射速率低、靶中毒等问题，沉积速率提升 30%以上，膜层纯度达光学级要求。多层膜设计与工艺调控，反射率低于 0.2%。兼容复杂曲面镀膜，满足激光器件、低辐射玻璃等高端光学元件的定制需求。 团队进一步拓展了薄膜技术在多场景的应用，研制了公斤级粉末材料镀膜设备，实现 NCM、碳化硅、金刚石复杂材料的纳米级包覆。针对军事、航空航天等领域管线防腐与功能化需求，研制了管线镀膜装备，在管道、沟槽等复杂结构内壁均匀沉积氧化物、 氮化物防护膜，厚度偏差5%，耐腐蚀性提升 10 倍以上。
-
一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开了一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置，包括快轴准直微透镜，所述快轴准直微透镜前面设置有分光板，所述分光板的两侧分别设置有巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和巴条空间光谱分布测试模块，所述巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和所述巴条空间光谱分布测试模块都和计算机连接。采用本实用新型技术方案，操作简单，测试效率非常高；可以对半导体激光器巴条的散热性能和封装引入的应力进行全面分析；不仅对半导体激光巴条的性能分析和封装技术的改进有着非常重要的意义，而且其功能集成度高和测试效率高的优点适用于大规模的生产。
-
集成电路及器件故障诊断方法的研究
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
该课题针对半导体器件和集成电路中一种常见的、危害很大的一种噪声的检测问题展开的。课题组根据爆裂噪声的时域特点，提出在时域内对爆裂噪声进行分析及识别的方法，分析论述了爆裂噪声发生的机理及特点，然后，从爆裂噪声和背景高斯噪声的奇异性分析入手，证明了用小波变换方法检测突变信号的奇异性是有理论基础的，并通过计算机仿真实验，详细地分析了高斯噪声、爆裂噪声及受扰爆裂噪声的多分辨分析的特点，而且通过大量的实验和统计获得最优的确定小波变换参数的方法，这将为电子器件的严格筛选、电子电路的故障诊断及电子电路的可靠性研究提供新的理论依据和具有实际意义的方法，预示着广阔的应用前景。最新文献检索表明：用噪声测量技术和小波分析方法检测集成电路及器件的潜在故障或缺陷属于创新性研究课题，不论在国内还是在国外均无相近的研究报道，该课题的研究填补了这一空白。国内集成芯片平均淘汰率在10%左右。由频域法检测产生的误差约±5%，即约有5～10个百分点的欠─过淘汰率。因此，采用时域法将为集成芯片生产厂家从不精确的淘汰过程中挽回5～10%的损失，这是一个不小的经济指标。此项技术无疑将推动信息产业乃至经济的发展。此外，这一课题的研究将使信号检测理论及方法拓宽到一个新的空间，为进一步抑制电子电路的噪声和在噪声中提取信号探索一条新路。在很多应用场合中，如国防、通信、航天和医疗仪器等，电子元器件的可靠性已经被放在至关重要的地位，而由于制作工艺的限制，爆裂噪声是很难消除的，所以此项研究无论对电子器件的生产厂家还是用户，都具有广阔的应用前景。由于经费和时间的限制，该项目研究仅限于基础理论的突破，与一个针对用户的应用系统或产品相比，还有差距。今后要做的工作是如何把这个基础理论性研究项目转化为一个用户可以直接受益的产业化项目。
-
一种新型量子点发光 二极管器件及其制备 方法
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
发明涉及一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法，所 述制备方法包括：准备衬底，所述衬底作为阳极电极层；在所 述衬底上旋涂空穴注入层；在所述空穴注入层上旋涂 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构；在所述 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构上旋涂 量子点发光层；在所述量子点发光层上旋涂电子传输层；在所 述电子传输层上制作阴极电极 。本发明引入新型叠层结构 TFB/Au NPs/TFB，利用 Au NPs 和量子点的等离子体相互作用， 加快了QDs 的辐射复合速率，增强了量子点的荧光发射，提升 了器件的外量子效率。
-
神经形态显示驱动和发光单元
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
将神经形态器件与显示技术相结合，研制出具有神经形态功能的显示驱动和发光基本单元。克服传统 CMOS 架构在集成度、处理速度以及功耗上的不足并赋予传感和显示器件学习和思考的能力。与传统系统相比，新系统具有高度的并行结构和并行实现能力，使得神经形态显示不仅可以与更多设备实现无延迟互联，多进程处理任务，存算一 体的架构，同时，还具有存储和学习的能力。在平板显示方面有着广阔的前景。
-
光电功能材料与器件国际科技合作基地
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本研究主要形成以下几方面的应用成果： （1）建立了新一代光电功能材料理论基础与材料化学结构设计原理。在化学结构与激发态特性的关系问题方面,通过建立激发态性质的化学结构调控方法,发展了通过超快技术研究激发态特性的表征技术;在三线态激子的形成与调控问题方面,涉及激子统计的理论与实验研究,主要从源头寻找突破激子统计制约的途径,提出了新一代材料设计新思路,激子利用率接近100%。这方面工作正在与广州新视界公司合作,进行中试验证。 更进一步,将技术转移到发光材料的生产厂家,进行批量生产,供应生产线。 （2）新型柔性与光电薄膜制备工艺。柔性器件关键技术问题包括：柔性基板技术、柔性电路制造技术、柔性薄膜封装技术、薄膜制备技术等。溶液加工关键技术包括：掌握溶剂和添加剂对电子墨水流变性、表面张力、挥发特性的影响;深入研究电子墨水打印动力学过程,实现打印墨滴的连续、稳定输出,实现大面积薄膜的印刷成型;在高质量薄膜制备方面,半导体真空技术与印刷制备薄膜技术相结合,制备多层功能薄膜。这方面工作正在广州新视界公司进行工程化验证,正在突破喷墨打印技术制备发光显示屏的技术瓶颈,争取掌握生产技术。 （3）稀土掺杂氧化物薄膜晶体管（TFT）阵列技术 建设完成了 AMOLED 材料和技术研发平台,采用华南理工大学自主研发的AMOLED 技术,将基础研究成果积极向产业转移,为国内显示龙头企业提供了AMOLED 关键材料、TFT 基板关键技术等方面的支持;研发了新型金属氧化物半导体材料稀土钕掺杂氧化物（Ln-IZO）,具有自主知识产权,实现了AMOLED的高性能化,打破了国外技术壁垒。与日韩公司发明的 IGZO 材料同学相比,Ln-IZO 半导体材料具有迁移率高,阈值电压低、稳定性好等特点,极具产业应用的前景。该研究成果与国内龙头企业京东方集团、华星光电等签订了合作协议,目前正在进行工程化验证,向生产线应用方向推进。
-
级联式体全息光栅密集波分复用器件制作方法及其系统
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
级联式体全息光栅密集波分复用器件制作方法及其系统，属于光通信技术领域。它把全息记录介质分成不同的空间子区域，每个子区域记录一个至四个体全息光栅，所有的体光栅的光栅矢量方向均与端面成45度角，而光栅矢量的大小各不相同。同时短波长记录光栅时，是在介质的顶面和侧面（垂直于输入和输出端面）进行，即写入光束所在的平面与输入－输出光束组成的平面互相垂直。保证了输入通道与输出通道夹角为90度，所有波长的输出通道均相互平行，可提供最高的衍射效率。
-
多物理场下集成分子器件的动力学性能调控
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目围绕分子器件在外场下的输运、相变等特性，其中外场包括磁场、电场、光场、温度等等，详 细讨论了分子结构与性能的关系，为设计新型分子光电子器件提供了理论指导。 主要成果包括： （1）研究了多轨道分子器件外磁场调控的自旋极化输运，为单一方向外磁场调控获得双向自旋极化电 导提供了理论方案； （2）探究了光场作用下的分子器件非绝热动力学行为，开发了一种高度普适的光与分子相互作用非绝 热动力学性能模拟方法； （3）探究了外磁场的电势可调自旋界面替代方案，设计了同步实现电压可操纵自旋反转和自旋选择效 应的多功能分子器件； （4）研究了分子器件中的光电子谱函数及其温度鲁棒性，实现了分子器件中能级差调控的Kosterlitz- Thouless相变； （5）揭示了阻挫分子器件中电容耦合及隧穿耦合对量子输运的调控机制。 科技成果项目图片：
找到18项技术成果数据。
找技术>-
微波毫米波新型基片集成类导波结构及器件
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
微波毫米波传输结构及其衍生的各种高性能器件是微波毫米波技术的基础，也是无线通信、雷达和射电天文等无线系统的关键与核心。在国家自然科学基金委创新群体基金和国家973、863等项目的资助下，2001年以来，该项目组围绕新型微波毫米波基片集成类导波结构及其衍生的新型高性能器件进行了系统深入地研究。作为国际上这一领域的主要贡献者之一，该项目组提出了半模基片集成波导等多种新型平面导波结构，提出了一系列基片集成类无源器件新结构，并对这类结构及器件的传输特性、谐振特性、损耗机理、模式和极化转换机理等基础科学问题进行了深入研究，发展了相应的设计方法，发明了一系列新型高性能微波毫米波器件，并且部分器件已得到实际应用。鉴于基片集成类导波结构的突出优点，2011年国际核心期刊Microwave Journal将之列为“改变未来无源和控制器件的十大发明”之首（Microwave Journal, Nov. 2011,“Divine innovations: 10 Technologies Changing the Future of Passive and Control Components”)。该项目主要发现点和科学价值如下：在国际上最早提出并发展了适合于周期性基片集成类导波结构的频域有限差分和直线法全波分析模型，揭示了其传输机理，并在该基础上构建了一组闭式设计公式。这组公式已被国内外学者广泛地用于基片集成类导波结构元器件的设计。提出并命名了半模基片集成波导、折叠半模基片集成波导等新型导波结构，系统地研究了其导波特性、损耗机理和模式转换机理等，构建了设计公式，并在该基础上发展了一系列新型微波毫米波高性能器件。提出了多种基片集成波导无源新结构，深入研究了其谐振特性、耦合特性和损耗机理，并在该基础上发展了一系列高性能新型器件及单基片集成系统。阐明了基片集成波导天线的辐射机理，并在该基础上突破了经典Elliott设计公式的局限，建立了相应的分析模型和设计方法，提出并实现了一系列新颖独特的高性能基片集成类天线及阵列。十几年来,该项目组在IEEE等系列国际核心期刊上发表SCI论文147篇(包括微波及天线领域国际最高学术期刊IEEET-MTT和IEEE T-AP论文67篇）。其中八篇代表性论文正面他引1039次（SCI他引324次)，二十篇主要论文正面他引1790次（SCI他引628次)，应邀在美、英、德、日等11国召开的国际会议上作大会报告和特邀报告20余次。参与该项目研究的学生中，2人获全国百篇优博学位论文奖，1人获全国优博学位论文提名奖。此外，还获得2007 CST University Publication Award (首篇大中华区获奖论文）和ISAP2010最佳论文奖等。这方面的研究成果已获54项授权国家发明专利，其中部分专利已进行技术转让并应用于企业产品中。该项目第一申请人由于在这方面的突出贡献于2012年当选IEEE Fellow。
-
一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明属于太赫兹探测及成像领域,提供一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,应用于太赫兹探测系统中,位于太赫兹源与红外探测器之间;该结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金属反射层和吸收层;所述吸收层由若干个“十”字型吸收单元周期性排列构成,每个吸收单元由相互交替设置的介质层和金属图形层构成,吸收单元顶层为金属图形层、与金属反射层之间为介质层。本发明的提供太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,能够在设计的THz频点达到太赫兹波吸收率90%（带宽1THz）,同时实现将太赫兹辐射转换为红外辐射,供红外探测器工作,从而实现太赫兹探测,利用成熟的红外探测技术实现高分辨率和高灵敏度的太赫兹探测。
-
薄膜沉积装备
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
薄膜沉积技术是微纳制造、光学器件、半导体芯片等领域的核心工艺，其通过原子或分子级别的材料堆积，赋予基底表面特定功能特性（如光学增透、导电、耐腐蚀等）。 随着集成电路向 2nm 以下节点迈进、光学系统向高精度与极端环境适应性升级，以及新能源、航空航天等领域对功能性涂层的迫切需求，薄膜沉积设备正面临更高性能、更广适应性和更低成本的挑战。。 针对精密光学领域对高均匀性、高硬度及低损耗薄膜的需求，新一代磁控溅射沉积 设备通过多项技术创新实现突破。采用低温等离子体反应溅射技术，优化靶材与反应气体的协同作用，解决了传统陶瓷靶溅射速率低、靶中毒等问题，沉积速率提升 30%以上，膜层纯度达光学级要求。多层膜设计与工艺调控，反射率低于 0.2%。兼容复杂曲面镀膜，满足激光器件、低辐射玻璃等高端光学元件的定制需求。 团队进一步拓展了薄膜技术在多场景的应用，研制了公斤级粉末材料镀膜设备，实现 NCM、碳化硅、金刚石复杂材料的纳米级包覆。针对军事、航空航天等领域管线防腐与功能化需求，研制了管线镀膜装备，在管道、沟槽等复杂结构内壁均匀沉积氧化物、 氮化物防护膜，厚度偏差5%，耐腐蚀性提升 10 倍以上。
-
一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开了一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置，包括快轴准直微透镜，所述快轴准直微透镜前面设置有分光板，所述分光板的两侧分别设置有巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和巴条空间光谱分布测试模块，所述巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和所述巴条空间光谱分布测试模块都和计算机连接。采用本实用新型技术方案，操作简单，测试效率非常高；可以对半导体激光器巴条的散热性能和封装引入的应力进行全面分析；不仅对半导体激光巴条的性能分析和封装技术的改进有着非常重要的意义，而且其功能集成度高和测试效率高的优点适用于大规模的生产。
-
集成电路及器件故障诊断方法的研究
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
该课题针对半导体器件和集成电路中一种常见的、危害很大的一种噪声的检测问题展开的。课题组根据爆裂噪声的时域特点，提出在时域内对爆裂噪声进行分析及识别的方法，分析论述了爆裂噪声发生的机理及特点，然后，从爆裂噪声和背景高斯噪声的奇异性分析入手，证明了用小波变换方法检测突变信号的奇异性是有理论基础的，并通过计算机仿真实验，详细地分析了高斯噪声、爆裂噪声及受扰爆裂噪声的多分辨分析的特点，而且通过大量的实验和统计获得最优的确定小波变换参数的方法，这将为电子器件的严格筛选、电子电路的故障诊断及电子电路的可靠性研究提供新的理论依据和具有实际意义的方法，预示着广阔的应用前景。最新文献检索表明：用噪声测量技术和小波分析方法检测集成电路及器件的潜在故障或缺陷属于创新性研究课题，不论在国内还是在国外均无相近的研究报道，该课题的研究填补了这一空白。国内集成芯片平均淘汰率在10%左右。由频域法检测产生的误差约±5%，即约有5～10个百分点的欠─过淘汰率。因此，采用时域法将为集成芯片生产厂家从不精确的淘汰过程中挽回5～10%的损失，这是一个不小的经济指标。此项技术无疑将推动信息产业乃至经济的发展。此外，这一课题的研究将使信号检测理论及方法拓宽到一个新的空间，为进一步抑制电子电路的噪声和在噪声中提取信号探索一条新路。在很多应用场合中，如国防、通信、航天和医疗仪器等，电子元器件的可靠性已经被放在至关重要的地位，而由于制作工艺的限制，爆裂噪声是很难消除的，所以此项研究无论对电子器件的生产厂家还是用户，都具有广阔的应用前景。由于经费和时间的限制，该项目研究仅限于基础理论的突破，与一个针对用户的应用系统或产品相比，还有差距。今后要做的工作是如何把这个基础理论性研究项目转化为一个用户可以直接受益的产业化项目。
-
一种新型量子点发光 二极管器件及其制备 方法
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
发明涉及一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法，所 述制备方法包括：准备衬底，所述衬底作为阳极电极层；在所 述衬底上旋涂空穴注入层；在所述空穴注入层上旋涂 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构；在所述 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构上旋涂 量子点发光层；在所述量子点发光层上旋涂电子传输层；在所 述电子传输层上制作阴极电极 。本发明引入新型叠层结构 TFB/Au NPs/TFB，利用 Au NPs 和量子点的等离子体相互作用， 加快了QDs 的辐射复合速率，增强了量子点的荧光发射，提升 了器件的外量子效率。
-
神经形态显示驱动和发光单元
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
将神经形态器件与显示技术相结合，研制出具有神经形态功能的显示驱动和发光基本单元。克服传统 CMOS 架构在集成度、处理速度以及功耗上的不足并赋予传感和显示器件学习和思考的能力。与传统系统相比，新系统具有高度的并行结构和并行实现能力，使得神经形态显示不仅可以与更多设备实现无延迟互联，多进程处理任务，存算一 体的架构，同时，还具有存储和学习的能力。在平板显示方面有着广阔的前景。
-
光电功能材料与器件国际科技合作基地
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本研究主要形成以下几方面的应用成果： （1）建立了新一代光电功能材料理论基础与材料化学结构设计原理。在化学结构与激发态特性的关系问题方面,通过建立激发态性质的化学结构调控方法,发展了通过超快技术研究激发态特性的表征技术;在三线态激子的形成与调控问题方面,涉及激子统计的理论与实验研究,主要从源头寻找突破激子统计制约的途径,提出了新一代材料设计新思路,激子利用率接近100%。这方面工作正在与广州新视界公司合作,进行中试验证。 更进一步,将技术转移到发光材料的生产厂家,进行批量生产,供应生产线。 （2）新型柔性与光电薄膜制备工艺。柔性器件关键技术问题包括：柔性基板技术、柔性电路制造技术、柔性薄膜封装技术、薄膜制备技术等。溶液加工关键技术包括：掌握溶剂和添加剂对电子墨水流变性、表面张力、挥发特性的影响;深入研究电子墨水打印动力学过程,实现打印墨滴的连续、稳定输出,实现大面积薄膜的印刷成型;在高质量薄膜制备方面,半导体真空技术与印刷制备薄膜技术相结合,制备多层功能薄膜。这方面工作正在广州新视界公司进行工程化验证,正在突破喷墨打印技术制备发光显示屏的技术瓶颈,争取掌握生产技术。 （3）稀土掺杂氧化物薄膜晶体管（TFT）阵列技术 建设完成了 AMOLED 材料和技术研发平台,采用华南理工大学自主研发的AMOLED 技术,将基础研究成果积极向产业转移,为国内显示龙头企业提供了AMOLED 关键材料、TFT 基板关键技术等方面的支持;研发了新型金属氧化物半导体材料稀土钕掺杂氧化物（Ln-IZO）,具有自主知识产权,实现了AMOLED的高性能化,打破了国外技术壁垒。与日韩公司发明的 IGZO 材料同学相比,Ln-IZO 半导体材料具有迁移率高,阈值电压低、稳定性好等特点,极具产业应用的前景。该研究成果与国内龙头企业京东方集团、华星光电等签订了合作协议,目前正在进行工程化验证,向生产线应用方向推进。
-
级联式体全息光栅密集波分复用器件制作方法及其系统
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
级联式体全息光栅密集波分复用器件制作方法及其系统，属于光通信技术领域。它把全息记录介质分成不同的空间子区域，每个子区域记录一个至四个体全息光栅，所有的体光栅的光栅矢量方向均与端面成45度角，而光栅矢量的大小各不相同。同时短波长记录光栅时，是在介质的顶面和侧面（垂直于输入和输出端面）进行，即写入光束所在的平面与输入－输出光束组成的平面互相垂直。保证了输入通道与输出通道夹角为90度，所有波长的输出通道均相互平行，可提供最高的衍射效率。
-
多物理场下集成分子器件的动力学性能调控
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目围绕分子器件在外场下的输运、相变等特性，其中外场包括磁场、电场、光场、温度等等，详 细讨论了分子结构与性能的关系，为设计新型分子光电子器件提供了理论指导。 主要成果包括： （1）研究了多轨道分子器件外磁场调控的自旋极化输运，为单一方向外磁场调控获得双向自旋极化电 导提供了理论方案； （2）探究了光场作用下的分子器件非绝热动力学行为，开发了一种高度普适的光与分子相互作用非绝 热动力学性能模拟方法； （3）探究了外磁场的电势可调自旋界面替代方案，设计了同步实现电压可操纵自旋反转和自旋选择效 应的多功能分子器件； （4）研究了分子器件中的光电子谱函数及其温度鲁棒性，实现了分子器件中能级差调控的Kosterlitz- Thouless相变； （5）揭示了阻挫分子器件中电容耦合及隧穿耦合对量子输运的调控机制。 科技成果项目图片：
找到18项技术成果数据。
找技术>-
微波毫米波新型基片集成类导波结构及器件
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
微波毫米波传输结构及其衍生的各种高性能器件是微波毫米波技术的基础，也是无线通信、雷达和射电天文等无线系统的关键与核心。在国家自然科学基金委创新群体基金和国家973、863等项目的资助下，2001年以来，该项目组围绕新型微波毫米波基片集成类导波结构及其衍生的新型高性能器件进行了系统深入地研究。作为国际上这一领域的主要贡献者之一，该项目组提出了半模基片集成波导等多种新型平面导波结构，提出了一系列基片集成类无源器件新结构，并对这类结构及器件的传输特性、谐振特性、损耗机理、模式和极化转换机理等基础科学问题进行了深入研究，发展了相应的设计方法，发明了一系列新型高性能微波毫米波器件，并且部分器件已得到实际应用。鉴于基片集成类导波结构的突出优点，2011年国际核心期刊Microwave Journal将之列为“改变未来无源和控制器件的十大发明”之首（Microwave Journal, Nov. 2011,“Divine innovations: 10 Technologies Changing the Future of Passive and Control Components”)。该项目主要发现点和科学价值如下：在国际上最早提出并发展了适合于周期性基片集成类导波结构的频域有限差分和直线法全波分析模型，揭示了其传输机理，并在该基础上构建了一组闭式设计公式。这组公式已被国内外学者广泛地用于基片集成类导波结构元器件的设计。提出并命名了半模基片集成波导、折叠半模基片集成波导等新型导波结构，系统地研究了其导波特性、损耗机理和模式转换机理等，构建了设计公式，并在该基础上发展了一系列新型微波毫米波高性能器件。提出了多种基片集成波导无源新结构，深入研究了其谐振特性、耦合特性和损耗机理，并在该基础上发展了一系列高性能新型器件及单基片集成系统。阐明了基片集成波导天线的辐射机理，并在该基础上突破了经典Elliott设计公式的局限，建立了相应的分析模型和设计方法，提出并实现了一系列新颖独特的高性能基片集成类天线及阵列。十几年来,该项目组在IEEE等系列国际核心期刊上发表SCI论文147篇(包括微波及天线领域国际最高学术期刊IEEET-MTT和IEEE T-AP论文67篇）。其中八篇代表性论文正面他引1039次（SCI他引324次)，二十篇主要论文正面他引1790次（SCI他引628次)，应邀在美、英、德、日等11国召开的国际会议上作大会报告和特邀报告20余次。参与该项目研究的学生中，2人获全国百篇优博学位论文奖，1人获全国优博学位论文提名奖。此外，还获得2007 CST University Publication Award (首篇大中华区获奖论文）和ISAP2010最佳论文奖等。这方面的研究成果已获54项授权国家发明专利，其中部分专利已进行技术转让并应用于企业产品中。该项目第一申请人由于在这方面的突出贡献于2012年当选IEEE Fellow。
-
一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明属于太赫兹探测及成像领域,提供一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,应用于太赫兹探测系统中,位于太赫兹源与红外探测器之间;该结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金属反射层和吸收层;所述吸收层由若干个“十”字型吸收单元周期性排列构成,每个吸收单元由相互交替设置的介质层和金属图形层构成,吸收单元顶层为金属图形层、与金属反射层之间为介质层。本发明的提供太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,能够在设计的THz频点达到太赫兹波吸收率90%（带宽1THz）,同时实现将太赫兹辐射转换为红外辐射,供红外探测器工作,从而实现太赫兹探测,利用成熟的红外探测技术实现高分辨率和高灵敏度的太赫兹探测。
-
薄膜沉积装备
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
薄膜沉积技术是微纳制造、光学器件、半导体芯片等领域的核心工艺，其通过原子或分子级别的材料堆积，赋予基底表面特定功能特性（如光学增透、导电、耐腐蚀等）。 随着集成电路向 2nm 以下节点迈进、光学系统向高精度与极端环境适应性升级，以及新能源、航空航天等领域对功能性涂层的迫切需求，薄膜沉积设备正面临更高性能、更广适应性和更低成本的挑战。。 针对精密光学领域对高均匀性、高硬度及低损耗薄膜的需求，新一代磁控溅射沉积 设备通过多项技术创新实现突破。采用低温等离子体反应溅射技术，优化靶材与反应气体的协同作用，解决了传统陶瓷靶溅射速率低、靶中毒等问题，沉积速率提升 30%以上，膜层纯度达光学级要求。多层膜设计与工艺调控，反射率低于 0.2%。兼容复杂曲面镀膜，满足激光器件、低辐射玻璃等高端光学元件的定制需求。 团队进一步拓展了薄膜技术在多场景的应用，研制了公斤级粉末材料镀膜设备，实现 NCM、碳化硅、金刚石复杂材料的纳米级包覆。针对军事、航空航天等领域管线防腐与功能化需求，研制了管线镀膜装备，在管道、沟槽等复杂结构内壁均匀沉积氧化物、 氮化物防护膜，厚度偏差5%，耐腐蚀性提升 10 倍以上。
-
一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开了一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置，包括快轴准直微透镜，所述快轴准直微透镜前面设置有分光板，所述分光板的两侧分别设置有巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和巴条空间光谱分布测试模块，所述巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和所述巴条空间光谱分布测试模块都和计算机连接。采用本实用新型技术方案，操作简单，测试效率非常高；可以对半导体激光器巴条的散热性能和封装引入的应力进行全面分析；不仅对半导体激光巴条的性能分析和封装技术的改进有着非常重要的意义，而且其功能集成度高和测试效率高的优点适用于大规模的生产。
-
集成电路及器件故障诊断方法的研究
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
该课题针对半导体器件和集成电路中一种常见的、危害很大的一种噪声的检测问题展开的。课题组根据爆裂噪声的时域特点，提出在时域内对爆裂噪声进行分析及识别的方法，分析论述了爆裂噪声发生的机理及特点，然后，从爆裂噪声和背景高斯噪声的奇异性分析入手，证明了用小波变换方法检测突变信号的奇异性是有理论基础的，并通过计算机仿真实验，详细地分析了高斯噪声、爆裂噪声及受扰爆裂噪声的多分辨分析的特点，而且通过大量的实验和统计获得最优的确定小波变换参数的方法，这将为电子器件的严格筛选、电子电路的故障诊断及电子电路的可靠性研究提供新的理论依据和具有实际意义的方法，预示着广阔的应用前景。最新文献检索表明：用噪声测量技术和小波分析方法检测集成电路及器件的潜在故障或缺陷属于创新性研究课题，不论在国内还是在国外均无相近的研究报道，该课题的研究填补了这一空白。国内集成芯片平均淘汰率在10%左右。由频域法检测产生的误差约±5%，即约有5～10个百分点的欠─过淘汰率。因此，采用时域法将为集成芯片生产厂家从不精确的淘汰过程中挽回5～10%的损失，这是一个不小的经济指标。此项技术无疑将推动信息产业乃至经济的发展。此外，这一课题的研究将使信号检测理论及方法拓宽到一个新的空间，为进一步抑制电子电路的噪声和在噪声中提取信号探索一条新路。在很多应用场合中，如国防、通信、航天和医疗仪器等，电子元器件的可靠性已经被放在至关重要的地位，而由于制作工艺的限制，爆裂噪声是很难消除的，所以此项研究无论对电子器件的生产厂家还是用户，都具有广阔的应用前景。由于经费和时间的限制，该项目研究仅限于基础理论的突破，与一个针对用户的应用系统或产品相比，还有差距。今后要做的工作是如何把这个基础理论性研究项目转化为一个用户可以直接受益的产业化项目。
-
一种新型量子点发光 二极管器件及其制备 方法
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
发明涉及一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法，所 述制备方法包括：准备衬底，所述衬底作为阳极电极层；在所 述衬底上旋涂空穴注入层；在所述空穴注入层上旋涂 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构；在所述 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构上旋涂 量子点发光层；在所述量子点发光层上旋涂电子传输层；在所 述电子传输层上制作阴极电极 。本发明引入新型叠层结构 TFB/Au NPs/TFB，利用 Au NPs 和量子点的等离子体相互作用， 加快了QDs 的辐射复合速率，增强了量子点的荧光发射，提升 了器件的外量子效率。
-
神经形态显示驱动和发光单元
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
将神经形态器件与显示技术相结合，研制出具有神经形态功能的显示驱动和发光基本单元。克服传统 CMOS 架构在集成度、处理速度以及功耗上的不足并赋予传感和显示器件学习和思考的能力。与传统系统相比，新系统具有高度的并行结构和并行实现能力，使得神经形态显示不仅可以与更多设备实现无延迟互联，多进程处理任务，存算一 体的架构，同时，还具有存储和学习的能力。在平板显示方面有着广阔的前景。
-
光电功能材料与器件国际科技合作基地
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本研究主要形成以下几方面的应用成果： （1）建立了新一代光电功能材料理论基础与材料化学结构设计原理。在化学结构与激发态特性的关系问题方面,通过建立激发态性质的化学结构调控方法,发展了通过超快技术研究激发态特性的表征技术;在三线态激子的形成与调控问题方面,涉及激子统计的理论与实验研究,主要从源头寻找突破激子统计制约的途径,提出了新一代材料设计新思路,激子利用率接近100%。这方面工作正在与广州新视界公司合作,进行中试验证。 更进一步,将技术转移到发光材料的生产厂家,进行批量生产,供应生产线。 （2）新型柔性与光电薄膜制备工艺。柔性器件关键技术问题包括：柔性基板技术、柔性电路制造技术、柔性薄膜封装技术、薄膜制备技术等。溶液加工关键技术包括：掌握溶剂和添加剂对电子墨水流变性、表面张力、挥发特性的影响;深入研究电子墨水打印动力学过程,实现打印墨滴的连续、稳定输出,实现大面积薄膜的印刷成型;在高质量薄膜制备方面,半导体真空技术与印刷制备薄膜技术相结合,制备多层功能薄膜。这方面工作正在广州新视界公司进行工程化验证,正在突破喷墨打印技术制备发光显示屏的技术瓶颈,争取掌握生产技术。 （3）稀土掺杂氧化物薄膜晶体管（TFT）阵列技术 建设完成了 AMOLED 材料和技术研发平台,采用华南理工大学自主研发的AMOLED 技术,将基础研究成果积极向产业转移,为国内显示龙头企业提供了AMOLED 关键材料、TFT 基板关键技术等方面的支持;研发了新型金属氧化物半导体材料稀土钕掺杂氧化物（Ln-IZO）,具有自主知识产权,实现了AMOLED的高性能化,打破了国外技术壁垒。与日韩公司发明的 IGZO 材料同学相比,Ln-IZO 半导体材料具有迁移率高,阈值电压低、稳定性好等特点,极具产业应用的前景。该研究成果与国内龙头企业京东方集团、华星光电等签订了合作协议,目前正在进行工程化验证,向生产线应用方向推进。
-
级联式体全息光栅密集波分复用器件制作方法及其系统
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
级联式体全息光栅密集波分复用器件制作方法及其系统，属于光通信技术领域。它把全息记录介质分成不同的空间子区域，每个子区域记录一个至四个体全息光栅，所有的体光栅的光栅矢量方向均与端面成45度角，而光栅矢量的大小各不相同。同时短波长记录光栅时，是在介质的顶面和侧面（垂直于输入和输出端面）进行，即写入光束所在的平面与输入－输出光束组成的平面互相垂直。保证了输入通道与输出通道夹角为90度，所有波长的输出通道均相互平行，可提供最高的衍射效率。
-
多物理场下集成分子器件的动力学性能调控
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目围绕分子器件在外场下的输运、相变等特性，其中外场包括磁场、电场、光场、温度等等，详 细讨论了分子结构与性能的关系，为设计新型分子光电子器件提供了理论指导。 主要成果包括： （1）研究了多轨道分子器件外磁场调控的自旋极化输运，为单一方向外磁场调控获得双向自旋极化电 导提供了理论方案； （2）探究了光场作用下的分子器件非绝热动力学行为，开发了一种高度普适的光与分子相互作用非绝 热动力学性能模拟方法； （3）探究了外磁场的电势可调自旋界面替代方案，设计了同步实现电压可操纵自旋反转和自旋选择效 应的多功能分子器件； （4）研究了分子器件中的光电子谱函数及其温度鲁棒性，实现了分子器件中能级差调控的Kosterlitz- Thouless相变； （5）揭示了阻挫分子器件中电容耦合及隧穿耦合对量子输运的调控机制。 科技成果项目图片：
找到18项技术成果数据。
找技术>-
微波毫米波新型基片集成类导波结构及器件
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
微波毫米波传输结构及其衍生的各种高性能器件是微波毫米波技术的基础，也是无线通信、雷达和射电天文等无线系统的关键与核心。在国家自然科学基金委创新群体基金和国家973、863等项目的资助下，2001年以来，该项目组围绕新型微波毫米波基片集成类导波结构及其衍生的新型高性能器件进行了系统深入地研究。作为国际上这一领域的主要贡献者之一，该项目组提出了半模基片集成波导等多种新型平面导波结构，提出了一系列基片集成类无源器件新结构，并对这类结构及器件的传输特性、谐振特性、损耗机理、模式和极化转换机理等基础科学问题进行了深入研究，发展了相应的设计方法，发明了一系列新型高性能微波毫米波器件，并且部分器件已得到实际应用。鉴于基片集成类导波结构的突出优点，2011年国际核心期刊Microwave Journal将之列为“改变未来无源和控制器件的十大发明”之首（Microwave Journal, Nov. 2011,“Divine innovations: 10 Technologies Changing the Future of Passive and Control Components”)。该项目主要发现点和科学价值如下：在国际上最早提出并发展了适合于周期性基片集成类导波结构的频域有限差分和直线法全波分析模型，揭示了其传输机理，并在该基础上构建了一组闭式设计公式。这组公式已被国内外学者广泛地用于基片集成类导波结构元器件的设计。提出并命名了半模基片集成波导、折叠半模基片集成波导等新型导波结构，系统地研究了其导波特性、损耗机理和模式转换机理等，构建了设计公式，并在该基础上发展了一系列新型微波毫米波高性能器件。提出了多种基片集成波导无源新结构，深入研究了其谐振特性、耦合特性和损耗机理，并在该基础上发展了一系列高性能新型器件及单基片集成系统。阐明了基片集成波导天线的辐射机理，并在该基础上突破了经典Elliott设计公式的局限，建立了相应的分析模型和设计方法，提出并实现了一系列新颖独特的高性能基片集成类天线及阵列。十几年来,该项目组在IEEE等系列国际核心期刊上发表SCI论文147篇(包括微波及天线领域国际最高学术期刊IEEET-MTT和IEEE T-AP论文67篇）。其中八篇代表性论文正面他引1039次（SCI他引324次)，二十篇主要论文正面他引1790次（SCI他引628次)，应邀在美、英、德、日等11国召开的国际会议上作大会报告和特邀报告20余次。参与该项目研究的学生中，2人获全国百篇优博学位论文奖，1人获全国优博学位论文提名奖。此外，还获得2007 CST University Publication Award (首篇大中华区获奖论文）和ISAP2010最佳论文奖等。这方面的研究成果已获54项授权国家发明专利，其中部分专利已进行技术转让并应用于企业产品中。该项目第一申请人由于在这方面的突出贡献于2012年当选IEEE Fellow。
-
一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明属于太赫兹探测及成像领域,提供一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,应用于太赫兹探测系统中,位于太赫兹源与红外探测器之间;该结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金属反射层和吸收层;所述吸收层由若干个“十”字型吸收单元周期性排列构成,每个吸收单元由相互交替设置的介质层和金属图形层构成,吸收单元顶层为金属图形层、与金属反射层之间为介质层。本发明的提供太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,能够在设计的THz频点达到太赫兹波吸收率90%（带宽1THz）,同时实现将太赫兹辐射转换为红外辐射,供红外探测器工作,从而实现太赫兹探测,利用成熟的红外探测技术实现高分辨率和高灵敏度的太赫兹探测。
-
薄膜沉积装备
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
薄膜沉积技术是微纳制造、光学器件、半导体芯片等领域的核心工艺，其通过原子或分子级别的材料堆积，赋予基底表面特定功能特性（如光学增透、导电、耐腐蚀等）。 随着集成电路向 2nm 以下节点迈进、光学系统向高精度与极端环境适应性升级，以及新能源、航空航天等领域对功能性涂层的迫切需求，薄膜沉积设备正面临更高性能、更广适应性和更低成本的挑战。。 针对精密光学领域对高均匀性、高硬度及低损耗薄膜的需求，新一代磁控溅射沉积 设备通过多项技术创新实现突破。采用低温等离子体反应溅射技术，优化靶材与反应气体的协同作用，解决了传统陶瓷靶溅射速率低、靶中毒等问题，沉积速率提升 30%以上，膜层纯度达光学级要求。多层膜设计与工艺调控，反射率低于 0.2%。兼容复杂曲面镀膜，满足激光器件、低辐射玻璃等高端光学元件的定制需求。 团队进一步拓展了薄膜技术在多场景的应用，研制了公斤级粉末材料镀膜设备，实现 NCM、碳化硅、金刚石复杂材料的纳米级包覆。针对军事、航空航天等领域管线防腐与功能化需求，研制了管线镀膜装备，在管道、沟槽等复杂结构内壁均匀沉积氧化物、 氮化物防护膜，厚度偏差5%，耐腐蚀性提升 10 倍以上。
-
一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开了一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置，包括快轴准直微透镜，所述快轴准直微透镜前面设置有分光板，所述分光板的两侧分别设置有巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和巴条空间光谱分布测试模块，所述巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和所述巴条空间光谱分布测试模块都和计算机连接。采用本实用新型技术方案，操作简单，测试效率非常高；可以对半导体激光器巴条的散热性能和封装引入的应力进行全面分析；不仅对半导体激光巴条的性能分析和封装技术的改进有着非常重要的意义，而且其功能集成度高和测试效率高的优点适用于大规模的生产。
-
集成电路及器件故障诊断方法的研究
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
该课题针对半导体器件和集成电路中一种常见的、危害很大的一种噪声的检测问题展开的。课题组根据爆裂噪声的时域特点，提出在时域内对爆裂噪声进行分析及识别的方法，分析论述了爆裂噪声发生的机理及特点，然后，从爆裂噪声和背景高斯噪声的奇异性分析入手，证明了用小波变换方法检测突变信号的奇异性是有理论基础的，并通过计算机仿真实验，详细地分析了高斯噪声、爆裂噪声及受扰爆裂噪声的多分辨分析的特点，而且通过大量的实验和统计获得最优的确定小波变换参数的方法，这将为电子器件的严格筛选、电子电路的故障诊断及电子电路的可靠性研究提供新的理论依据和具有实际意义的方法，预示着广阔的应用前景。最新文献检索表明：用噪声测量技术和小波分析方法检测集成电路及器件的潜在故障或缺陷属于创新性研究课题，不论在国内还是在国外均无相近的研究报道，该课题的研究填补了这一空白。国内集成芯片平均淘汰率在10%左右。由频域法检测产生的误差约±5%，即约有5～10个百分点的欠─过淘汰率。因此，采用时域法将为集成芯片生产厂家从不精确的淘汰过程中挽回5～10%的损失，这是一个不小的经济指标。此项技术无疑将推动信息产业乃至经济的发展。此外，这一课题的研究将使信号检测理论及方法拓宽到一个新的空间，为进一步抑制电子电路的噪声和在噪声中提取信号探索一条新路。在很多应用场合中，如国防、通信、航天和医疗仪器等，电子元器件的可靠性已经被放在至关重要的地位，而由于制作工艺的限制，爆裂噪声是很难消除的，所以此项研究无论对电子器件的生产厂家还是用户，都具有广阔的应用前景。由于经费和时间的限制，该项目研究仅限于基础理论的突破，与一个针对用户的应用系统或产品相比，还有差距。今后要做的工作是如何把这个基础理论性研究项目转化为一个用户可以直接受益的产业化项目。
-
一种新型量子点发光 二极管器件及其制备 方法
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
发明涉及一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法，所 述制备方法包括：准备衬底，所述衬底作为阳极电极层；在所 述衬底上旋涂空穴注入层；在所述空穴注入层上旋涂 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构；在所述 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构上旋涂 量子点发光层；在所述量子点发光层上旋涂电子传输层；在所 述电子传输层上制作阴极电极 。本发明引入新型叠层结构 TFB/Au NPs/TFB，利用 Au NPs 和量子点的等离子体相互作用， 加快了QDs 的辐射复合速率，增强了量子点的荧光发射，提升 了器件的外量子效率。
-
神经形态显示驱动和发光单元
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
将神经形态器件与显示技术相结合，研制出具有神经形态功能的显示驱动和发光基本单元。克服传统 CMOS 架构在集成度、处理速度以及功耗上的不足并赋予传感和显示器件学习和思考的能力。与传统系统相比，新系统具有高度的并行结构和并行实现能力，使得神经形态显示不仅可以与更多设备实现无延迟互联，多进程处理任务，存算一 体的架构，同时，还具有存储和学习的能力。在平板显示方面有着广阔的前景。
-
光电功能材料与器件国际科技合作基地
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本研究主要形成以下几方面的应用成果： （1）建立了新一代光电功能材料理论基础与材料化学结构设计原理。在化学结构与激发态特性的关系问题方面,通过建立激发态性质的化学结构调控方法,发展了通过超快技术研究激发态特性的表征技术;在三线态激子的形成与调控问题方面,涉及激子统计的理论与实验研究,主要从源头寻找突破激子统计制约的途径,提出了新一代材料设计新思路,激子利用率接近100%。这方面工作正在与广州新视界公司合作,进行中试验证。 更进一步,将技术转移到发光材料的生产厂家,进行批量生产,供应生产线。 （2）新型柔性与光电薄膜制备工艺。柔性器件关键技术问题包括：柔性基板技术、柔性电路制造技术、柔性薄膜封装技术、薄膜制备技术等。溶液加工关键技术包括：掌握溶剂和添加剂对电子墨水流变性、表面张力、挥发特性的影响;深入研究电子墨水打印动力学过程,实现打印墨滴的连续、稳定输出,实现大面积薄膜的印刷成型;在高质量薄膜制备方面,半导体真空技术与印刷制备薄膜技术相结合,制备多层功能薄膜。这方面工作正在广州新视界公司进行工程化验证,正在突破喷墨打印技术制备发光显示屏的技术瓶颈,争取掌握生产技术。 （3）稀土掺杂氧化物薄膜晶体管（TFT）阵列技术 建设完成了 AMOLED 材料和技术研发平台,采用华南理工大学自主研发的AMOLED 技术,将基础研究成果积极向产业转移,为国内显示龙头企业提供了AMOLED 关键材料、TFT 基板关键技术等方面的支持;研发了新型金属氧化物半导体材料稀土钕掺杂氧化物（Ln-IZO）,具有自主知识产权,实现了AMOLED的高性能化,打破了国外技术壁垒。与日韩公司发明的 IGZO 材料同学相比,Ln-IZO 半导体材料具有迁移率高,阈值电压低、稳定性好等特点,极具产业应用的前景。该研究成果与国内龙头企业京东方集团、华星光电等签订了合作协议,目前正在进行工程化验证,向生产线应用方向推进。
-
级联式体全息光栅密集波分复用器件制作方法及其系统
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
级联式体全息光栅密集波分复用器件制作方法及其系统，属于光通信技术领域。它把全息记录介质分成不同的空间子区域，每个子区域记录一个至四个体全息光栅，所有的体光栅的光栅矢量方向均与端面成45度角，而光栅矢量的大小各不相同。同时短波长记录光栅时，是在介质的顶面和侧面（垂直于输入和输出端面）进行，即写入光束所在的平面与输入－输出光束组成的平面互相垂直。保证了输入通道与输出通道夹角为90度，所有波长的输出通道均相互平行，可提供最高的衍射效率。
-
多物理场下集成分子器件的动力学性能调控
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目围绕分子器件在外场下的输运、相变等特性，其中外场包括磁场、电场、光场、温度等等，详 细讨论了分子结构与性能的关系，为设计新型分子光电子器件提供了理论指导。 主要成果包括： （1）研究了多轨道分子器件外磁场调控的自旋极化输运，为单一方向外磁场调控获得双向自旋极化电 导提供了理论方案； （2）探究了光场作用下的分子器件非绝热动力学行为，开发了一种高度普适的光与分子相互作用非绝 热动力学性能模拟方法； （3）探究了外磁场的电势可调自旋界面替代方案，设计了同步实现电压可操纵自旋反转和自旋选择效 应的多功能分子器件； （4）研究了分子器件中的光电子谱函数及其温度鲁棒性，实现了分子器件中能级差调控的Kosterlitz- Thouless相变； （5）揭示了阻挫分子器件中电容耦合及隧穿耦合对量子输运的调控机制。 科技成果项目图片：
找到18项技术成果数据。
找技术>-
微波毫米波新型基片集成类导波结构及器件
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
微波毫米波传输结构及其衍生的各种高性能器件是微波毫米波技术的基础，也是无线通信、雷达和射电天文等无线系统的关键与核心。在国家自然科学基金委创新群体基金和国家973、863等项目的资助下，2001年以来，该项目组围绕新型微波毫米波基片集成类导波结构及其衍生的新型高性能器件进行了系统深入地研究。作为国际上这一领域的主要贡献者之一，该项目组提出了半模基片集成波导等多种新型平面导波结构，提出了一系列基片集成类无源器件新结构，并对这类结构及器件的传输特性、谐振特性、损耗机理、模式和极化转换机理等基础科学问题进行了深入研究，发展了相应的设计方法，发明了一系列新型高性能微波毫米波器件，并且部分器件已得到实际应用。鉴于基片集成类导波结构的突出优点，2011年国际核心期刊Microwave Journal将之列为“改变未来无源和控制器件的十大发明”之首（Microwave Journal, Nov. 2011,“Divine innovations: 10 Technologies Changing the Future of Passive and Control Components”)。该项目主要发现点和科学价值如下：在国际上最早提出并发展了适合于周期性基片集成类导波结构的频域有限差分和直线法全波分析模型，揭示了其传输机理，并在该基础上构建了一组闭式设计公式。这组公式已被国内外学者广泛地用于基片集成类导波结构元器件的设计。提出并命名了半模基片集成波导、折叠半模基片集成波导等新型导波结构，系统地研究了其导波特性、损耗机理和模式转换机理等，构建了设计公式，并在该基础上发展了一系列新型微波毫米波高性能器件。提出了多种基片集成波导无源新结构，深入研究了其谐振特性、耦合特性和损耗机理，并在该基础上发展了一系列高性能新型器件及单基片集成系统。阐明了基片集成波导天线的辐射机理，并在该基础上突破了经典Elliott设计公式的局限，建立了相应的分析模型和设计方法，提出并实现了一系列新颖独特的高性能基片集成类天线及阵列。十几年来,该项目组在IEEE等系列国际核心期刊上发表SCI论文147篇(包括微波及天线领域国际最高学术期刊IEEET-MTT和IEEE T-AP论文67篇）。其中八篇代表性论文正面他引1039次（SCI他引324次)，二十篇主要论文正面他引1790次（SCI他引628次)，应邀在美、英、德、日等11国召开的国际会议上作大会报告和特邀报告20余次。参与该项目研究的学生中，2人获全国百篇优博学位论文奖，1人获全国优博学位论文提名奖。此外，还获得2007 CST University Publication Award (首篇大中华区获奖论文）和ISAP2010最佳论文奖等。这方面的研究成果已获54项授权国家发明专利，其中部分专利已进行技术转让并应用于企业产品中。该项目第一申请人由于在这方面的突出贡献于2012年当选IEEE Fellow。
-
一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明属于太赫兹探测及成像领域,提供一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,应用于太赫兹探测系统中,位于太赫兹源与红外探测器之间;该结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金属反射层和吸收层;所述吸收层由若干个“十”字型吸收单元周期性排列构成,每个吸收单元由相互交替设置的介质层和金属图形层构成,吸收单元顶层为金属图形层、与金属反射层之间为介质层。本发明的提供太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,能够在设计的THz频点达到太赫兹波吸收率90%（带宽1THz）,同时实现将太赫兹辐射转换为红外辐射,供红外探测器工作,从而实现太赫兹探测,利用成熟的红外探测技术实现高分辨率和高灵敏度的太赫兹探测。
-
薄膜沉积装备
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
薄膜沉积技术是微纳制造、光学器件、半导体芯片等领域的核心工艺，其通过原子或分子级别的材料堆积，赋予基底表面特定功能特性（如光学增透、导电、耐腐蚀等）。 随着集成电路向 2nm 以下节点迈进、光学系统向高精度与极端环境适应性升级，以及新能源、航空航天等领域对功能性涂层的迫切需求，薄膜沉积设备正面临更高性能、更广适应性和更低成本的挑战。。 针对精密光学领域对高均匀性、高硬度及低损耗薄膜的需求，新一代磁控溅射沉积 设备通过多项技术创新实现突破。采用低温等离子体反应溅射技术，优化靶材与反应气体的协同作用，解决了传统陶瓷靶溅射速率低、靶中毒等问题，沉积速率提升 30%以上，膜层纯度达光学级要求。多层膜设计与工艺调控，反射率低于 0.2%。兼容复杂曲面镀膜，满足激光器件、低辐射玻璃等高端光学元件的定制需求。 团队进一步拓展了薄膜技术在多场景的应用，研制了公斤级粉末材料镀膜设备，实现 NCM、碳化硅、金刚石复杂材料的纳米级包覆。针对军事、航空航天等领域管线防腐与功能化需求，研制了管线镀膜装备，在管道、沟槽等复杂结构内壁均匀沉积氧化物、 氮化物防护膜，厚度偏差5%，耐腐蚀性提升 10 倍以上。
-
一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开了一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置，包括快轴准直微透镜，所述快轴准直微透镜前面设置有分光板，所述分光板的两侧分别设置有巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和巴条空间光谱分布测试模块，所述巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和所述巴条空间光谱分布测试模块都和计算机连接。采用本实用新型技术方案，操作简单，测试效率非常高；可以对半导体激光器巴条的散热性能和封装引入的应力进行全面分析；不仅对半导体激光巴条的性能分析和封装技术的改进有着非常重要的意义，而且其功能集成度高和测试效率高的优点适用于大规模的生产。
-
集成电路及器件故障诊断方法的研究
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
该课题针对半导体器件和集成电路中一种常见的、危害很大的一种噪声的检测问题展开的。课题组根据爆裂噪声的时域特点，提出在时域内对爆裂噪声进行分析及识别的方法，分析论述了爆裂噪声发生的机理及特点，然后，从爆裂噪声和背景高斯噪声的奇异性分析入手，证明了用小波变换方法检测突变信号的奇异性是有理论基础的，并通过计算机仿真实验，详细地分析了高斯噪声、爆裂噪声及受扰爆裂噪声的多分辨分析的特点，而且通过大量的实验和统计获得最优的确定小波变换参数的方法，这将为电子器件的严格筛选、电子电路的故障诊断及电子电路的可靠性研究提供新的理论依据和具有实际意义的方法，预示着广阔的应用前景。最新文献检索表明：用噪声测量技术和小波分析方法检测集成电路及器件的潜在故障或缺陷属于创新性研究课题，不论在国内还是在国外均无相近的研究报道，该课题的研究填补了这一空白。国内集成芯片平均淘汰率在10%左右。由频域法检测产生的误差约±5%，即约有5～10个百分点的欠─过淘汰率。因此，采用时域法将为集成芯片生产厂家从不精确的淘汰过程中挽回5～10%的损失，这是一个不小的经济指标。此项技术无疑将推动信息产业乃至经济的发展。此外，这一课题的研究将使信号检测理论及方法拓宽到一个新的空间，为进一步抑制电子电路的噪声和在噪声中提取信号探索一条新路。在很多应用场合中，如国防、通信、航天和医疗仪器等，电子元器件的可靠性已经被放在至关重要的地位，而由于制作工艺的限制，爆裂噪声是很难消除的，所以此项研究无论对电子器件的生产厂家还是用户，都具有广阔的应用前景。由于经费和时间的限制，该项目研究仅限于基础理论的突破，与一个针对用户的应用系统或产品相比，还有差距。今后要做的工作是如何把这个基础理论性研究项目转化为一个用户可以直接受益的产业化项目。
-
一种新型量子点发光 二极管器件及其制备 方法
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
发明涉及一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法，所 述制备方法包括：准备衬底，所述衬底作为阳极电极层；在所 述衬底上旋涂空穴注入层；在所述空穴注入层上旋涂 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构；在所述 TFB/Au NPS/TFB 叠层结构上旋涂 量子点发光层；在所述量子点发光层上旋涂电子传输层；在所 述电子传输层上制作阴极电极 。本发明引入新型叠层结构 TFB/Au NPs/TFB，利用 Au NPs 和量子点的等离子体相互作用， 加快了QDs 的辐射复合速率，增强了量子点的荧光发射，提升 了器件的外量子效率。
-
神经形态显示驱动和发光单元
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
将神经形态器件与显示技术相结合，研制出具有神经形态功能的显示驱动和发光基本单元。克服传统 CMOS 架构在集成度、处理速度以及功耗上的不足并赋予传感和显示器件学习和思考的能力。与传统系统相比，新系统具有高度的并行结构和并行实现能力，使得神经形态显示不仅可以与更多设备实现无延迟互联，多进程处理任务，存算一 体的架构，同时，还具有存储和学习的能力。在平板显示方面有着广阔的前景。
-
光电功能材料与器件国际科技合作基地
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本研究主要形成以下几方面的应用成果： （1）建立了新一代光电功能材料理论基础与材料化学结构设计原理。在化学结构与激发态特性的关系问题方面,通过建立激发态性质的化学结构调控方法,发展了通过超快技术研究激发态特性的表征技术;在三线态激子的形成与调控问题方面,涉及激子统计的理论与实验研究,主要从源头寻找突破激子统计制约的途径,提出了新一代材料设计新思路,激子利用率接近100%。这方面工作正在与广州新视界公司合作,进行中试验证。 更进一步,将技术转移到发光材料的生产厂家,进行批量生产,供应生产线。 （2）新型柔性与光电薄膜制备工艺。柔性器件关键技术问题包括：柔性基板技术、柔性电路制造技术、柔性薄膜封装技术、薄膜制备技术等。溶液加工关键技术包括：掌握溶剂和添加剂对电子墨水流变性、表面张力、挥发特性的影响;深入研究电子墨水打印动力学过程,实现打印墨滴的连续、稳定输出,实现大面积薄膜的印刷成型;在高质量薄膜制备方面,半导体真空技术与印刷制备薄膜技术相结合,制备多层功能薄膜。这方面工作正在广州新视界公司进行工程化验证,正在突破喷墨打印技术制备发光显示屏的技术瓶颈,争取掌握生产技术。 （3）稀土掺杂氧化物薄膜晶体管（TFT）阵列技术 建设完成了 AMOLED 材料和技术研发平台,采用华南理工大学自主研发的AMOLED 技术,将基础研究成果积极向产业转移,为国内显示龙头企业提供了AMOLED 关键材料、TFT 基板关键技术等方面的支持;研发了新型金属氧化物半导体材料稀土钕掺杂氧化物（Ln-IZO）,具有自主知识产权,实现了AMOLED的高性能化,打破了国外技术壁垒。与日韩公司发明的 IGZO 材料同学相比,Ln-IZO 半导体材料具有迁移率高,阈值电压低、稳定性好等特点,极具产业应用的前景。该研究成果与国内龙头企业京东方集团、华星光电等签订了合作协议,目前正在进行工程化验证,向生产线应用方向推进。
-
级联式体全息光栅密集波分复用器件制作方法及其系统
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
级联式体全息光栅密集波分复用器件制作方法及其系统，属于光通信技术领域。它把全息记录介质分成不同的空间子区域，每个子区域记录一个至四个体全息光栅，所有的体光栅的光栅矢量方向均与端面成45度角，而光栅矢量的大小各不相同。同时短波长记录光栅时，是在介质的顶面和侧面（垂直于输入和输出端面）进行，即写入光束所在的平面与输入－输出光束组成的平面互相垂直。保证了输入通道与输出通道夹角为90度，所有波长的输出通道均相互平行，可提供最高的衍射效率。
-
多物理场下集成分子器件的动力学性能调控
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目围绕分子器件在外场下的输运、相变等特性，其中外场包括磁场、电场、光场、温度等等，详 细讨论了分子结构与性能的关系，为设计新型分子光电子器件提供了理论指导。 主要成果包括： （1）研究了多轨道分子器件外磁场调控的自旋极化输运，为单一方向外磁场调控获得双向自旋极化电 导提供了理论方案； （2）探究了光场作用下的分子器件非绝热动力学行为，开发了一种高度普适的光与分子相互作用非绝 热动力学性能模拟方法； （3）探究了外磁场的电势可调自旋界面替代方案，设计了同步实现电压可操纵自旋反转和自旋选择效 应的多功能分子器件； （4）研究了分子器件中的光电子谱函数及其温度鲁棒性，实现了分子器件中能级差调控的Kosterlitz- Thouless相变； （5）揭示了阻挫分子器件中电容耦合及隧穿耦合对量子输运的调控机制。 科技成果项目图片：