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SOI上用于电子束套刻的凹陷型对准标记及制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法，具体为：清洗SOI衬底；在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂，采用光刻工艺将对准标记的版图转移到光学抗蚀剂上；在SOI衬底和光学抗蚀剂表面镀金属薄膜；剥离去除镀在光学抗蚀剂上的金属薄膜；在剥离金属薄膜处刻蚀SOI衬底的硅和二氧化硅，得到凹陷型对准标记；去除SOI衬底上余下的金属薄膜。本发明制作的得到凹陷型对准标记侧壁陡直性好，提高了薄顶硅层SOI上凹陷型标记的套刻精度，且与CMOS工艺兼容，能应用于高温外延生长、高温氧化等工艺而无需担心引入杂质，也不需担心标记的变形或移位。
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低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
项目简介： CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积 Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉 积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积 →Ni/Al 电极沉积，等。小面积电池指标：效率 12.01%(FF=0.63,Voc=532mV，Jsc=35.8 mA/cm2，面积 0.34cm2)。 合作方式：技术咨询、企业产业化技术支持。
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一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法，步骤如下：（1）利用FIB制备不同深度结构的模板；（2）在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层；（3）ICP刻蚀掉胶层的残余层，然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1：1的刻蚀；（4）二次旋涂热塑性纳米压印胶，并使其表面平整；（5）ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护；（6）设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层，以胶层作为掩模，将较高结构刻蚀至平面；（7）在表面沉积另外一种材料，并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法，避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。
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一种薄膜热电模块
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开了一种薄膜热电模块，属于功能薄膜材料及器件领域。包括上部N型热电臂阵列，由N型半导体薄膜在单晶衬底Ⅰ的下表面倾斜布置；下部P型热电臂阵列，由P型半导体薄膜在单晶衬底Ⅱ的上表面倾斜布置；隔离层，包括工字形绝缘隔层和金电极阵列。所述上部N型热电臂阵列和下部P型热电臂阵列由所述隔离层隔开，并由金电极连接成两个独立的串联通路；所述上部N型热电臂阵列、下部P型热电臂阵列和隔离层的相对位置由位于其侧面的通孔、插销固定。本实用新型相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率密度显著提高，P、N型热电臂可单独更换，构型灵活，且衬底作为薄膜物理支撑的同时起到封装作用，制造成本低。
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6 英寸硅衬底氮化镓外延技术
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
以氮化镓生长在硅基上实现第三代半导体技术，平衡异质外延所产生的晶格失配和 热失配，使晶体质量更佳且应力更少，通过优化设计外延层的结构与生长条件、参数提高材料晶体质量，设计新的外延层结构控制材料内部应力，解决硅与氮化镓材 料之间由于热失配和晶格失配造成的龟裂与高缺陷密度问题，并通过优化外延层结构参数改善材料电学性能，获得高质量的外延结构，以提供氮化镓功率 器件开发和生产等应用终端。 氮化镓外延生长目前已经广泛应用于白光照明和显示器背光源。随着新 能源（电动）车的快速发展，其在电池充放电及能源管理上将扮演重要的角色。由于其宽禁带的材料特性，使得其在电子器件 电压耐受度较传统硅电子器件更高，同时可在474 K 的环境下操作仍不失其期间特性。 同时，也对于辐射有更好的耐受性，是将来 6G 低轨卫星的绝佳器件选择。采用 C-GaN 层耐压能力的关键结构、AlN buffer 层与 AlGaN 阶变层、AlInGaN 势垒层提高沟道电子 密度、P-GaN 层增强型 HEMT 器件外延技术等四种核心技术来克服目前氮化镓在硅衬 底异质材料的晶格常数及热膨胀系数所造成的残余应力翘曲及光电特性均匀性的问题。 该项目实施后将实现新增年销售额 3000 万，带动产值 30 亿。
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柔性硅薄膜太阳电池
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
柔性硅薄膜太阳电池是指在柔性衬底上沉积制备的一种薄膜电池。结合不同的柔性衬底（不 锈钢、高分子聚合物等），其具有低成本、低耗材（电池厚度仅为晶体硅的百分之一）、高工艺兼容 性、可弯曲、高功率质量比等巨大的优势。这使制备的柔性硅基薄膜组件具有可卷曲、折叠收纳，便 携性强、耐损伤等诸多特点。因此，柔性硅薄膜电池组件在光伏建筑一体化（BIPV）、临近空间飞行 器，可移动电子设备等诸多特殊领域中发挥不可替代的作用。本组结合柔性硅薄膜的特性，开发出高沉积速率、高稳定性、低成本、高功率质量比的柔性硅 薄膜太阳电池组件。选用 30um 厚的不锈钢为衬底，结合优异性能的单结电池和良好的遂穿结技 术，制备出面积为 200cm2 效率高达 11.9% 的非微双结电池。制备出的柔性硅薄膜太阳电池可固 定于飞机翼上，代替充电电池；可做成充电纸应用于充电宝、平板电脑等需要充电的器件。并且电 池经枪击实验后依然可以正常工作，说明本组制备的柔性硅薄膜电池不仅结构简单，而且耐损性 极强。本组目前致力于研究大面积（不低于 250cm2）高分子聚合物柔性衬底硅薄膜太阳电池，效率 可达 12% 以上，通过开发新型封装工艺以及级联技术，制备面积大于 1m2 组件，效率可达 10% 以 上，并可以通过严格的环境可靠性测试。
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新型氮化镓单晶衬底
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
新型多孔 GaN 单晶衬底是由连通纳米孔和 GaN 纳米壁构成的体块晶体，兼具体块 单晶无晶界导通与纳米材料无应力的特点，其孔洞在高掺 Al/In 时可释放界面应力、消解位错，是适用于所有 GaN 基器件的全新同质且具有图案化纳米孔的优质衬底，可从根本上解决 GaN 晶向调控与器件外延界面应力的国际难题。全新的氮化技术路线极大降低了生长成本，可实现任意晶向大尺寸制备来突破我国大尺寸非极性晶体生长难关与晶向不可控瓶颈，以换道超车方式彻底解决 GaN 基器件衬底材料“卡脖子”问题。 新型多孔 GaN 单晶衬底制备技术巧妙利用与 GaN 晶格最相近的 LiGaO2晶体，通过高温氮化驱离其中Li和O来制备大尺寸无应力自支撑任意晶向多孔 GaN 单 晶晶片，实现了 GaN 新材料领域“从 0 到 1”的跨越，能为 GaN 基器件提供更加优质的同质衬底，进而制造出高功 率密度、高效率、宽频谱、长寿命的 GaN 器件，应用于半导体照明、5G 通讯、新能源汽车等国家重点发展领域，最终走出一条以多孔 GaN 为衬底占主导的新型产业化道路。
找到217项技术成果数据。
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SOI上用于电子束套刻的凹陷型对准标记及制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法，具体为：清洗SOI衬底；在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂，采用光刻工艺将对准标记的版图转移到光学抗蚀剂上；在SOI衬底和光学抗蚀剂表面镀金属薄膜；剥离去除镀在光学抗蚀剂上的金属薄膜；在剥离金属薄膜处刻蚀SOI衬底的硅和二氧化硅，得到凹陷型对准标记；去除SOI衬底上余下的金属薄膜。本发明制作的得到凹陷型对准标记侧壁陡直性好，提高了薄顶硅层SOI上凹陷型标记的套刻精度，且与CMOS工艺兼容，能应用于高温外延生长、高温氧化等工艺而无需担心引入杂质，也不需担心标记的变形或移位。
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低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
项目简介： CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积 Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉 积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积 →Ni/Al 电极沉积，等。小面积电池指标：效率 12.01%(FF=0.63,Voc=532mV，Jsc=35.8 mA/cm2，面积 0.34cm2)。 合作方式：技术咨询、企业产业化技术支持。
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一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法，步骤如下：（1）利用FIB制备不同深度结构的模板；（2）在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层；（3）ICP刻蚀掉胶层的残余层，然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1：1的刻蚀；（4）二次旋涂热塑性纳米压印胶，并使其表面平整；（5）ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护；（6）设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层，以胶层作为掩模，将较高结构刻蚀至平面；（7）在表面沉积另外一种材料，并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法，避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。
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一种薄膜热电模块
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开了一种薄膜热电模块，属于功能薄膜材料及器件领域。包括上部N型热电臂阵列，由N型半导体薄膜在单晶衬底Ⅰ的下表面倾斜布置；下部P型热电臂阵列，由P型半导体薄膜在单晶衬底Ⅱ的上表面倾斜布置；隔离层，包括工字形绝缘隔层和金电极阵列。所述上部N型热电臂阵列和下部P型热电臂阵列由所述隔离层隔开，并由金电极连接成两个独立的串联通路；所述上部N型热电臂阵列、下部P型热电臂阵列和隔离层的相对位置由位于其侧面的通孔、插销固定。本实用新型相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率密度显著提高，P、N型热电臂可单独更换，构型灵活，且衬底作为薄膜物理支撑的同时起到封装作用，制造成本低。
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6 英寸硅衬底氮化镓外延技术
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
以氮化镓生长在硅基上实现第三代半导体技术，平衡异质外延所产生的晶格失配和 热失配，使晶体质量更佳且应力更少，通过优化设计外延层的结构与生长条件、参数提高材料晶体质量，设计新的外延层结构控制材料内部应力，解决硅与氮化镓材 料之间由于热失配和晶格失配造成的龟裂与高缺陷密度问题，并通过优化外延层结构参数改善材料电学性能，获得高质量的外延结构，以提供氮化镓功率 器件开发和生产等应用终端。 氮化镓外延生长目前已经广泛应用于白光照明和显示器背光源。随着新 能源（电动）车的快速发展，其在电池充放电及能源管理上将扮演重要的角色。由于其宽禁带的材料特性，使得其在电子器件 电压耐受度较传统硅电子器件更高，同时可在474 K 的环境下操作仍不失其期间特性。 同时，也对于辐射有更好的耐受性，是将来 6G 低轨卫星的绝佳器件选择。采用 C-GaN 层耐压能力的关键结构、AlN buffer 层与 AlGaN 阶变层、AlInGaN 势垒层提高沟道电子 密度、P-GaN 层增强型 HEMT 器件外延技术等四种核心技术来克服目前氮化镓在硅衬 底异质材料的晶格常数及热膨胀系数所造成的残余应力翘曲及光电特性均匀性的问题。 该项目实施后将实现新增年销售额 3000 万，带动产值 30 亿。
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柔性硅薄膜太阳电池
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
柔性硅薄膜太阳电池是指在柔性衬底上沉积制备的一种薄膜电池。结合不同的柔性衬底（不 锈钢、高分子聚合物等），其具有低成本、低耗材（电池厚度仅为晶体硅的百分之一）、高工艺兼容 性、可弯曲、高功率质量比等巨大的优势。这使制备的柔性硅基薄膜组件具有可卷曲、折叠收纳，便 携性强、耐损伤等诸多特点。因此，柔性硅薄膜电池组件在光伏建筑一体化（BIPV）、临近空间飞行 器，可移动电子设备等诸多特殊领域中发挥不可替代的作用。本组结合柔性硅薄膜的特性，开发出高沉积速率、高稳定性、低成本、高功率质量比的柔性硅 薄膜太阳电池组件。选用 30um 厚的不锈钢为衬底，结合优异性能的单结电池和良好的遂穿结技 术，制备出面积为 200cm2 效率高达 11.9% 的非微双结电池。制备出的柔性硅薄膜太阳电池可固 定于飞机翼上，代替充电电池；可做成充电纸应用于充电宝、平板电脑等需要充电的器件。并且电 池经枪击实验后依然可以正常工作，说明本组制备的柔性硅薄膜电池不仅结构简单，而且耐损性 极强。本组目前致力于研究大面积（不低于 250cm2）高分子聚合物柔性衬底硅薄膜太阳电池，效率 可达 12% 以上，通过开发新型封装工艺以及级联技术，制备面积大于 1m2 组件，效率可达 10% 以 上，并可以通过严格的环境可靠性测试。
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新型氮化镓单晶衬底
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
新型多孔 GaN 单晶衬底是由连通纳米孔和 GaN 纳米壁构成的体块晶体，兼具体块 单晶无晶界导通与纳米材料无应力的特点，其孔洞在高掺 Al/In 时可释放界面应力、消解位错，是适用于所有 GaN 基器件的全新同质且具有图案化纳米孔的优质衬底，可从根本上解决 GaN 晶向调控与器件外延界面应力的国际难题。全新的氮化技术路线极大降低了生长成本，可实现任意晶向大尺寸制备来突破我国大尺寸非极性晶体生长难关与晶向不可控瓶颈，以换道超车方式彻底解决 GaN 基器件衬底材料“卡脖子”问题。 新型多孔 GaN 单晶衬底制备技术巧妙利用与 GaN 晶格最相近的 LiGaO2晶体，通过高温氮化驱离其中Li和O来制备大尺寸无应力自支撑任意晶向多孔 GaN 单 晶晶片，实现了 GaN 新材料领域“从 0 到 1”的跨越，能为 GaN 基器件提供更加优质的同质衬底，进而制造出高功 率密度、高效率、宽频谱、长寿命的 GaN 器件，应用于半导体照明、5G 通讯、新能源汽车等国家重点发展领域，最终走出一条以多孔 GaN 为衬底占主导的新型产业化道路。
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SOI上用于电子束套刻的凹陷型对准标记及制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法，具体为：清洗SOI衬底；在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂，采用光刻工艺将对准标记的版图转移到光学抗蚀剂上；在SOI衬底和光学抗蚀剂表面镀金属薄膜；剥离去除镀在光学抗蚀剂上的金属薄膜；在剥离金属薄膜处刻蚀SOI衬底的硅和二氧化硅，得到凹陷型对准标记；去除SOI衬底上余下的金属薄膜。本发明制作的得到凹陷型对准标记侧壁陡直性好，提高了薄顶硅层SOI上凹陷型标记的套刻精度，且与CMOS工艺兼容，能应用于高温外延生长、高温氧化等工艺而无需担心引入杂质，也不需担心标记的变形或移位。
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低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
项目简介： CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积 Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉 积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积 →Ni/Al 电极沉积，等。小面积电池指标：效率 12.01%(FF=0.63,Voc=532mV，Jsc=35.8 mA/cm2，面积 0.34cm2)。 合作方式：技术咨询、企业产业化技术支持。
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一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法，步骤如下：（1）利用FIB制备不同深度结构的模板；（2）在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层；（3）ICP刻蚀掉胶层的残余层，然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1：1的刻蚀；（4）二次旋涂热塑性纳米压印胶，并使其表面平整；（5）ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护；（6）设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层，以胶层作为掩模，将较高结构刻蚀至平面；（7）在表面沉积另外一种材料，并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法，避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。
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一种薄膜热电模块
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开了一种薄膜热电模块，属于功能薄膜材料及器件领域。包括上部N型热电臂阵列，由N型半导体薄膜在单晶衬底Ⅰ的下表面倾斜布置；下部P型热电臂阵列，由P型半导体薄膜在单晶衬底Ⅱ的上表面倾斜布置；隔离层，包括工字形绝缘隔层和金电极阵列。所述上部N型热电臂阵列和下部P型热电臂阵列由所述隔离层隔开，并由金电极连接成两个独立的串联通路；所述上部N型热电臂阵列、下部P型热电臂阵列和隔离层的相对位置由位于其侧面的通孔、插销固定。本实用新型相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率密度显著提高，P、N型热电臂可单独更换，构型灵活，且衬底作为薄膜物理支撑的同时起到封装作用，制造成本低。
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6 英寸硅衬底氮化镓外延技术
成熟度：通过中试
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应用行业：制造业
技术简介
以氮化镓生长在硅基上实现第三代半导体技术，平衡异质外延所产生的晶格失配和 热失配，使晶体质量更佳且应力更少，通过优化设计外延层的结构与生长条件、参数提高材料晶体质量，设计新的外延层结构控制材料内部应力，解决硅与氮化镓材 料之间由于热失配和晶格失配造成的龟裂与高缺陷密度问题，并通过优化外延层结构参数改善材料电学性能，获得高质量的外延结构，以提供氮化镓功率 器件开发和生产等应用终端。 氮化镓外延生长目前已经广泛应用于白光照明和显示器背光源。随着新 能源（电动）车的快速发展，其在电池充放电及能源管理上将扮演重要的角色。由于其宽禁带的材料特性，使得其在电子器件 电压耐受度较传统硅电子器件更高，同时可在474 K 的环境下操作仍不失其期间特性。 同时，也对于辐射有更好的耐受性，是将来 6G 低轨卫星的绝佳器件选择。采用 C-GaN 层耐压能力的关键结构、AlN buffer 层与 AlGaN 阶变层、AlInGaN 势垒层提高沟道电子 密度、P-GaN 层增强型 HEMT 器件外延技术等四种核心技术来克服目前氮化镓在硅衬 底异质材料的晶格常数及热膨胀系数所造成的残余应力翘曲及光电特性均匀性的问题。 该项目实施后将实现新增年销售额 3000 万，带动产值 30 亿。
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柔性硅薄膜太阳电池
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应用行业：制造业
技术简介
柔性硅薄膜太阳电池是指在柔性衬底上沉积制备的一种薄膜电池。结合不同的柔性衬底（不 锈钢、高分子聚合物等），其具有低成本、低耗材（电池厚度仅为晶体硅的百分之一）、高工艺兼容 性、可弯曲、高功率质量比等巨大的优势。这使制备的柔性硅基薄膜组件具有可卷曲、折叠收纳，便 携性强、耐损伤等诸多特点。因此，柔性硅薄膜电池组件在光伏建筑一体化（BIPV）、临近空间飞行 器，可移动电子设备等诸多特殊领域中发挥不可替代的作用。本组结合柔性硅薄膜的特性，开发出高沉积速率、高稳定性、低成本、高功率质量比的柔性硅 薄膜太阳电池组件。选用 30um 厚的不锈钢为衬底，结合优异性能的单结电池和良好的遂穿结技 术，制备出面积为 200cm2 效率高达 11.9% 的非微双结电池。制备出的柔性硅薄膜太阳电池可固 定于飞机翼上，代替充电电池；可做成充电纸应用于充电宝、平板电脑等需要充电的器件。并且电 池经枪击实验后依然可以正常工作，说明本组制备的柔性硅薄膜电池不仅结构简单，而且耐损性 极强。本组目前致力于研究大面积（不低于 250cm2）高分子聚合物柔性衬底硅薄膜太阳电池，效率 可达 12% 以上，通过开发新型封装工艺以及级联技术，制备面积大于 1m2 组件，效率可达 10% 以 上，并可以通过严格的环境可靠性测试。
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新型氮化镓单晶衬底
成熟度：正在研发
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应用行业：制造业
技术简介
新型多孔 GaN 单晶衬底是由连通纳米孔和 GaN 纳米壁构成的体块晶体，兼具体块 单晶无晶界导通与纳米材料无应力的特点，其孔洞在高掺 Al/In 时可释放界面应力、消解位错，是适用于所有 GaN 基器件的全新同质且具有图案化纳米孔的优质衬底，可从根本上解决 GaN 晶向调控与器件外延界面应力的国际难题。全新的氮化技术路线极大降低了生长成本，可实现任意晶向大尺寸制备来突破我国大尺寸非极性晶体生长难关与晶向不可控瓶颈，以换道超车方式彻底解决 GaN 基器件衬底材料“卡脖子”问题。 新型多孔 GaN 单晶衬底制备技术巧妙利用与 GaN 晶格最相近的 LiGaO2晶体，通过高温氮化驱离其中Li和O来制备大尺寸无应力自支撑任意晶向多孔 GaN 单 晶晶片，实现了 GaN 新材料领域“从 0 到 1”的跨越，能为 GaN 基器件提供更加优质的同质衬底，进而制造出高功 率密度、高效率、宽频谱、长寿命的 GaN 器件，应用于半导体照明、5G 通讯、新能源汽车等国家重点发展领域，最终走出一条以多孔 GaN 为衬底占主导的新型产业化道路。
找到217项技术成果数据。
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SOI上用于电子束套刻的凹陷型对准标记及制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法，具体为：清洗SOI衬底；在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂，采用光刻工艺将对准标记的版图转移到光学抗蚀剂上；在SOI衬底和光学抗蚀剂表面镀金属薄膜；剥离去除镀在光学抗蚀剂上的金属薄膜；在剥离金属薄膜处刻蚀SOI衬底的硅和二氧化硅，得到凹陷型对准标记；去除SOI衬底上余下的金属薄膜。本发明制作的得到凹陷型对准标记侧壁陡直性好，提高了薄顶硅层SOI上凹陷型标记的套刻精度，且与CMOS工艺兼容，能应用于高温外延生长、高温氧化等工艺而无需担心引入杂质，也不需担心标记的变形或移位。
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低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
成熟度：-
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应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
项目简介： CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积 Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉 积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积 →Ni/Al 电极沉积，等。小面积电池指标：效率 12.01%(FF=0.63,Voc=532mV，Jsc=35.8 mA/cm2，面积 0.34cm2)。 合作方式：技术咨询、企业产业化技术支持。
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一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法，步骤如下：（1）利用FIB制备不同深度结构的模板；（2）在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层；（3）ICP刻蚀掉胶层的残余层，然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1：1的刻蚀；（4）二次旋涂热塑性纳米压印胶，并使其表面平整；（5）ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护；（6）设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层，以胶层作为掩模，将较高结构刻蚀至平面；（7）在表面沉积另外一种材料，并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法，避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。
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一种薄膜热电模块
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开了一种薄膜热电模块，属于功能薄膜材料及器件领域。包括上部N型热电臂阵列，由N型半导体薄膜在单晶衬底Ⅰ的下表面倾斜布置；下部P型热电臂阵列，由P型半导体薄膜在单晶衬底Ⅱ的上表面倾斜布置；隔离层，包括工字形绝缘隔层和金电极阵列。所述上部N型热电臂阵列和下部P型热电臂阵列由所述隔离层隔开，并由金电极连接成两个独立的串联通路；所述上部N型热电臂阵列、下部P型热电臂阵列和隔离层的相对位置由位于其侧面的通孔、插销固定。本实用新型相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率密度显著提高，P、N型热电臂可单独更换，构型灵活，且衬底作为薄膜物理支撑的同时起到封装作用，制造成本低。
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6 英寸硅衬底氮化镓外延技术
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
以氮化镓生长在硅基上实现第三代半导体技术，平衡异质外延所产生的晶格失配和 热失配，使晶体质量更佳且应力更少，通过优化设计外延层的结构与生长条件、参数提高材料晶体质量，设计新的外延层结构控制材料内部应力，解决硅与氮化镓材 料之间由于热失配和晶格失配造成的龟裂与高缺陷密度问题，并通过优化外延层结构参数改善材料电学性能，获得高质量的外延结构，以提供氮化镓功率 器件开发和生产等应用终端。 氮化镓外延生长目前已经广泛应用于白光照明和显示器背光源。随着新 能源（电动）车的快速发展，其在电池充放电及能源管理上将扮演重要的角色。由于其宽禁带的材料特性，使得其在电子器件 电压耐受度较传统硅电子器件更高，同时可在474 K 的环境下操作仍不失其期间特性。 同时，也对于辐射有更好的耐受性，是将来 6G 低轨卫星的绝佳器件选择。采用 C-GaN 层耐压能力的关键结构、AlN buffer 层与 AlGaN 阶变层、AlInGaN 势垒层提高沟道电子 密度、P-GaN 层增强型 HEMT 器件外延技术等四种核心技术来克服目前氮化镓在硅衬 底异质材料的晶格常数及热膨胀系数所造成的残余应力翘曲及光电特性均匀性的问题。 该项目实施后将实现新增年销售额 3000 万，带动产值 30 亿。
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柔性硅薄膜太阳电池
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
柔性硅薄膜太阳电池是指在柔性衬底上沉积制备的一种薄膜电池。结合不同的柔性衬底（不 锈钢、高分子聚合物等），其具有低成本、低耗材（电池厚度仅为晶体硅的百分之一）、高工艺兼容 性、可弯曲、高功率质量比等巨大的优势。这使制备的柔性硅基薄膜组件具有可卷曲、折叠收纳，便 携性强、耐损伤等诸多特点。因此，柔性硅薄膜电池组件在光伏建筑一体化（BIPV）、临近空间飞行 器，可移动电子设备等诸多特殊领域中发挥不可替代的作用。本组结合柔性硅薄膜的特性，开发出高沉积速率、高稳定性、低成本、高功率质量比的柔性硅 薄膜太阳电池组件。选用 30um 厚的不锈钢为衬底，结合优异性能的单结电池和良好的遂穿结技 术，制备出面积为 200cm2 效率高达 11.9% 的非微双结电池。制备出的柔性硅薄膜太阳电池可固 定于飞机翼上，代替充电电池；可做成充电纸应用于充电宝、平板电脑等需要充电的器件。并且电 池经枪击实验后依然可以正常工作，说明本组制备的柔性硅薄膜电池不仅结构简单，而且耐损性 极强。本组目前致力于研究大面积（不低于 250cm2）高分子聚合物柔性衬底硅薄膜太阳电池，效率 可达 12% 以上，通过开发新型封装工艺以及级联技术，制备面积大于 1m2 组件，效率可达 10% 以 上，并可以通过严格的环境可靠性测试。
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新型氮化镓单晶衬底
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
新型多孔 GaN 单晶衬底是由连通纳米孔和 GaN 纳米壁构成的体块晶体，兼具体块 单晶无晶界导通与纳米材料无应力的特点，其孔洞在高掺 Al/In 时可释放界面应力、消解位错，是适用于所有 GaN 基器件的全新同质且具有图案化纳米孔的优质衬底，可从根本上解决 GaN 晶向调控与器件外延界面应力的国际难题。全新的氮化技术路线极大降低了生长成本，可实现任意晶向大尺寸制备来突破我国大尺寸非极性晶体生长难关与晶向不可控瓶颈，以换道超车方式彻底解决 GaN 基器件衬底材料“卡脖子”问题。 新型多孔 GaN 单晶衬底制备技术巧妙利用与 GaN 晶格最相近的 LiGaO2晶体，通过高温氮化驱离其中Li和O来制备大尺寸无应力自支撑任意晶向多孔 GaN 单 晶晶片，实现了 GaN 新材料领域“从 0 到 1”的跨越，能为 GaN 基器件提供更加优质的同质衬底，进而制造出高功 率密度、高效率、宽频谱、长寿命的 GaN 器件，应用于半导体照明、5G 通讯、新能源汽车等国家重点发展领域，最终走出一条以多孔 GaN 为衬底占主导的新型产业化道路。
找到217项技术成果数据。
找技术>-
SOI上用于电子束套刻的凹陷型对准标记及制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法，具体为：清洗SOI衬底；在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂，采用光刻工艺将对准标记的版图转移到光学抗蚀剂上；在SOI衬底和光学抗蚀剂表面镀金属薄膜；剥离去除镀在光学抗蚀剂上的金属薄膜；在剥离金属薄膜处刻蚀SOI衬底的硅和二氧化硅，得到凹陷型对准标记；去除SOI衬底上余下的金属薄膜。本发明制作的得到凹陷型对准标记侧壁陡直性好，提高了薄顶硅层SOI上凹陷型标记的套刻精度，且与CMOS工艺兼容，能应用于高温外延生长、高温氧化等工艺而无需担心引入杂质，也不需担心标记的变形或移位。
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低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
项目简介： CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积 Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉 积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积 →Ni/Al 电极沉积，等。小面积电池指标：效率 12.01%(FF=0.63,Voc=532mV，Jsc=35.8 mA/cm2，面积 0.34cm2)。 合作方式：技术咨询、企业产业化技术支持。
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一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法，步骤如下：（1）利用FIB制备不同深度结构的模板；（2）在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层；（3）ICP刻蚀掉胶层的残余层，然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1：1的刻蚀；（4）二次旋涂热塑性纳米压印胶，并使其表面平整；（5）ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护；（6）设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层，以胶层作为掩模，将较高结构刻蚀至平面；（7）在表面沉积另外一种材料，并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法，避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。
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一种薄膜热电模块
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开了一种薄膜热电模块，属于功能薄膜材料及器件领域。包括上部N型热电臂阵列，由N型半导体薄膜在单晶衬底Ⅰ的下表面倾斜布置；下部P型热电臂阵列，由P型半导体薄膜在单晶衬底Ⅱ的上表面倾斜布置；隔离层，包括工字形绝缘隔层和金电极阵列。所述上部N型热电臂阵列和下部P型热电臂阵列由所述隔离层隔开，并由金电极连接成两个独立的串联通路；所述上部N型热电臂阵列、下部P型热电臂阵列和隔离层的相对位置由位于其侧面的通孔、插销固定。本实用新型相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率密度显著提高，P、N型热电臂可单独更换，构型灵活，且衬底作为薄膜物理支撑的同时起到封装作用，制造成本低。
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6 英寸硅衬底氮化镓外延技术
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
以氮化镓生长在硅基上实现第三代半导体技术，平衡异质外延所产生的晶格失配和 热失配，使晶体质量更佳且应力更少，通过优化设计外延层的结构与生长条件、参数提高材料晶体质量，设计新的外延层结构控制材料内部应力，解决硅与氮化镓材 料之间由于热失配和晶格失配造成的龟裂与高缺陷密度问题，并通过优化外延层结构参数改善材料电学性能，获得高质量的外延结构，以提供氮化镓功率 器件开发和生产等应用终端。 氮化镓外延生长目前已经广泛应用于白光照明和显示器背光源。随着新 能源（电动）车的快速发展，其在电池充放电及能源管理上将扮演重要的角色。由于其宽禁带的材料特性，使得其在电子器件 电压耐受度较传统硅电子器件更高，同时可在474 K 的环境下操作仍不失其期间特性。 同时，也对于辐射有更好的耐受性，是将来 6G 低轨卫星的绝佳器件选择。采用 C-GaN 层耐压能力的关键结构、AlN buffer 层与 AlGaN 阶变层、AlInGaN 势垒层提高沟道电子 密度、P-GaN 层增强型 HEMT 器件外延技术等四种核心技术来克服目前氮化镓在硅衬 底异质材料的晶格常数及热膨胀系数所造成的残余应力翘曲及光电特性均匀性的问题。 该项目实施后将实现新增年销售额 3000 万，带动产值 30 亿。
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柔性硅薄膜太阳电池
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
柔性硅薄膜太阳电池是指在柔性衬底上沉积制备的一种薄膜电池。结合不同的柔性衬底（不 锈钢、高分子聚合物等），其具有低成本、低耗材（电池厚度仅为晶体硅的百分之一）、高工艺兼容 性、可弯曲、高功率质量比等巨大的优势。这使制备的柔性硅基薄膜组件具有可卷曲、折叠收纳，便 携性强、耐损伤等诸多特点。因此，柔性硅薄膜电池组件在光伏建筑一体化（BIPV）、临近空间飞行 器，可移动电子设备等诸多特殊领域中发挥不可替代的作用。本组结合柔性硅薄膜的特性，开发出高沉积速率、高稳定性、低成本、高功率质量比的柔性硅 薄膜太阳电池组件。选用 30um 厚的不锈钢为衬底，结合优异性能的单结电池和良好的遂穿结技 术，制备出面积为 200cm2 效率高达 11.9% 的非微双结电池。制备出的柔性硅薄膜太阳电池可固 定于飞机翼上，代替充电电池；可做成充电纸应用于充电宝、平板电脑等需要充电的器件。并且电 池经枪击实验后依然可以正常工作，说明本组制备的柔性硅薄膜电池不仅结构简单，而且耐损性 极强。本组目前致力于研究大面积（不低于 250cm2）高分子聚合物柔性衬底硅薄膜太阳电池，效率 可达 12% 以上，通过开发新型封装工艺以及级联技术，制备面积大于 1m2 组件，效率可达 10% 以 上，并可以通过严格的环境可靠性测试。
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新型氮化镓单晶衬底
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
新型多孔 GaN 单晶衬底是由连通纳米孔和 GaN 纳米壁构成的体块晶体，兼具体块 单晶无晶界导通与纳米材料无应力的特点，其孔洞在高掺 Al/In 时可释放界面应力、消解位错，是适用于所有 GaN 基器件的全新同质且具有图案化纳米孔的优质衬底，可从根本上解决 GaN 晶向调控与器件外延界面应力的国际难题。全新的氮化技术路线极大降低了生长成本，可实现任意晶向大尺寸制备来突破我国大尺寸非极性晶体生长难关与晶向不可控瓶颈，以换道超车方式彻底解决 GaN 基器件衬底材料“卡脖子”问题。 新型多孔 GaN 单晶衬底制备技术巧妙利用与 GaN 晶格最相近的 LiGaO2晶体，通过高温氮化驱离其中Li和O来制备大尺寸无应力自支撑任意晶向多孔 GaN 单 晶晶片，实现了 GaN 新材料领域“从 0 到 1”的跨越，能为 GaN 基器件提供更加优质的同质衬底，进而制造出高功 率密度、高效率、宽频谱、长寿命的 GaN 器件，应用于半导体照明、5G 通讯、新能源汽车等国家重点发展领域，最终走出一条以多孔 GaN 为衬底占主导的新型产业化道路。
找到217项技术成果数据。
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SOI上用于电子束套刻的凹陷型对准标记及制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法，具体为：清洗SOI衬底；在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂，采用光刻工艺将对准标记的版图转移到光学抗蚀剂上；在SOI衬底和光学抗蚀剂表面镀金属薄膜；剥离去除镀在光学抗蚀剂上的金属薄膜；在剥离金属薄膜处刻蚀SOI衬底的硅和二氧化硅，得到凹陷型对准标记；去除SOI衬底上余下的金属薄膜。本发明制作的得到凹陷型对准标记侧壁陡直性好，提高了薄顶硅层SOI上凹陷型标记的套刻精度，且与CMOS工艺兼容，能应用于高温外延生长、高温氧化等工艺而无需担心引入杂质，也不需担心标记的变形或移位。
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低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
项目简介： CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积 Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉 积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积 →Ni/Al 电极沉积，等。小面积电池指标：效率 12.01%(FF=0.63,Voc=532mV，Jsc=35.8 mA/cm2，面积 0.34cm2)。 合作方式：技术咨询、企业产业化技术支持。
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一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法，步骤如下：（1）利用FIB制备不同深度结构的模板；（2）在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层；（3）ICP刻蚀掉胶层的残余层，然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1：1的刻蚀；（4）二次旋涂热塑性纳米压印胶，并使其表面平整；（5）ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护；（6）设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层，以胶层作为掩模，将较高结构刻蚀至平面；（7）在表面沉积另外一种材料，并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法，避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。
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一种薄膜热电模块
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开了一种薄膜热电模块，属于功能薄膜材料及器件领域。包括上部N型热电臂阵列，由N型半导体薄膜在单晶衬底Ⅰ的下表面倾斜布置；下部P型热电臂阵列，由P型半导体薄膜在单晶衬底Ⅱ的上表面倾斜布置；隔离层，包括工字形绝缘隔层和金电极阵列。所述上部N型热电臂阵列和下部P型热电臂阵列由所述隔离层隔开，并由金电极连接成两个独立的串联通路；所述上部N型热电臂阵列、下部P型热电臂阵列和隔离层的相对位置由位于其侧面的通孔、插销固定。本实用新型相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率密度显著提高，P、N型热电臂可单独更换，构型灵活，且衬底作为薄膜物理支撑的同时起到封装作用，制造成本低。
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6 英寸硅衬底氮化镓外延技术
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
以氮化镓生长在硅基上实现第三代半导体技术，平衡异质外延所产生的晶格失配和 热失配，使晶体质量更佳且应力更少，通过优化设计外延层的结构与生长条件、参数提高材料晶体质量，设计新的外延层结构控制材料内部应力，解决硅与氮化镓材 料之间由于热失配和晶格失配造成的龟裂与高缺陷密度问题，并通过优化外延层结构参数改善材料电学性能，获得高质量的外延结构，以提供氮化镓功率 器件开发和生产等应用终端。 氮化镓外延生长目前已经广泛应用于白光照明和显示器背光源。随着新 能源（电动）车的快速发展，其在电池充放电及能源管理上将扮演重要的角色。由于其宽禁带的材料特性，使得其在电子器件 电压耐受度较传统硅电子器件更高，同时可在474 K 的环境下操作仍不失其期间特性。 同时，也对于辐射有更好的耐受性，是将来 6G 低轨卫星的绝佳器件选择。采用 C-GaN 层耐压能力的关键结构、AlN buffer 层与 AlGaN 阶变层、AlInGaN 势垒层提高沟道电子 密度、P-GaN 层增强型 HEMT 器件外延技术等四种核心技术来克服目前氮化镓在硅衬 底异质材料的晶格常数及热膨胀系数所造成的残余应力翘曲及光电特性均匀性的问题。 该项目实施后将实现新增年销售额 3000 万，带动产值 30 亿。
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柔性硅薄膜太阳电池
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
柔性硅薄膜太阳电池是指在柔性衬底上沉积制备的一种薄膜电池。结合不同的柔性衬底（不 锈钢、高分子聚合物等），其具有低成本、低耗材（电池厚度仅为晶体硅的百分之一）、高工艺兼容 性、可弯曲、高功率质量比等巨大的优势。这使制备的柔性硅基薄膜组件具有可卷曲、折叠收纳，便 携性强、耐损伤等诸多特点。因此，柔性硅薄膜电池组件在光伏建筑一体化（BIPV）、临近空间飞行 器，可移动电子设备等诸多特殊领域中发挥不可替代的作用。本组结合柔性硅薄膜的特性，开发出高沉积速率、高稳定性、低成本、高功率质量比的柔性硅 薄膜太阳电池组件。选用 30um 厚的不锈钢为衬底，结合优异性能的单结电池和良好的遂穿结技 术，制备出面积为 200cm2 效率高达 11.9% 的非微双结电池。制备出的柔性硅薄膜太阳电池可固 定于飞机翼上，代替充电电池；可做成充电纸应用于充电宝、平板电脑等需要充电的器件。并且电 池经枪击实验后依然可以正常工作，说明本组制备的柔性硅薄膜电池不仅结构简单，而且耐损性 极强。本组目前致力于研究大面积（不低于 250cm2）高分子聚合物柔性衬底硅薄膜太阳电池，效率 可达 12% 以上，通过开发新型封装工艺以及级联技术，制备面积大于 1m2 组件，效率可达 10% 以 上，并可以通过严格的环境可靠性测试。
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新型氮化镓单晶衬底
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
新型多孔 GaN 单晶衬底是由连通纳米孔和 GaN 纳米壁构成的体块晶体，兼具体块 单晶无晶界导通与纳米材料无应力的特点，其孔洞在高掺 Al/In 时可释放界面应力、消解位错，是适用于所有 GaN 基器件的全新同质且具有图案化纳米孔的优质衬底，可从根本上解决 GaN 晶向调控与器件外延界面应力的国际难题。全新的氮化技术路线极大降低了生长成本，可实现任意晶向大尺寸制备来突破我国大尺寸非极性晶体生长难关与晶向不可控瓶颈，以换道超车方式彻底解决 GaN 基器件衬底材料“卡脖子”问题。 新型多孔 GaN 单晶衬底制备技术巧妙利用与 GaN 晶格最相近的 LiGaO2晶体，通过高温氮化驱离其中Li和O来制备大尺寸无应力自支撑任意晶向多孔 GaN 单 晶晶片，实现了 GaN 新材料领域“从 0 到 1”的跨越，能为 GaN 基器件提供更加优质的同质衬底，进而制造出高功 率密度、高效率、宽频谱、长寿命的 GaN 器件，应用于半导体照明、5G 通讯、新能源汽车等国家重点发展领域，最终走出一条以多孔 GaN 为衬底占主导的新型产业化道路。
找到217项技术成果数据。
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SOI上用于电子束套刻的凹陷型对准标记及制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法，具体为：清洗SOI衬底；在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂，采用光刻工艺将对准标记的版图转移到光学抗蚀剂上；在SOI衬底和光学抗蚀剂表面镀金属薄膜；剥离去除镀在光学抗蚀剂上的金属薄膜；在剥离金属薄膜处刻蚀SOI衬底的硅和二氧化硅，得到凹陷型对准标记；去除SOI衬底上余下的金属薄膜。本发明制作的得到凹陷型对准标记侧壁陡直性好，提高了薄顶硅层SOI上凹陷型标记的套刻精度，且与CMOS工艺兼容，能应用于高温外延生长、高温氧化等工艺而无需担心引入杂质，也不需担心标记的变形或移位。
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低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
项目简介： CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积 Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉 积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积 →Ni/Al 电极沉积，等。小面积电池指标：效率 12.01%(FF=0.63,Voc=532mV，Jsc=35.8 mA/cm2，面积 0.34cm2)。 合作方式：技术咨询、企业产业化技术支持。
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一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法，步骤如下：（1）利用FIB制备不同深度结构的模板；（2）在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层；（3）ICP刻蚀掉胶层的残余层，然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1：1的刻蚀；（4）二次旋涂热塑性纳米压印胶，并使其表面平整；（5）ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护；（6）设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层，以胶层作为掩模，将较高结构刻蚀至平面；（7）在表面沉积另外一种材料，并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法，避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。
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一种薄膜热电模块
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开了一种薄膜热电模块，属于功能薄膜材料及器件领域。包括上部N型热电臂阵列，由N型半导体薄膜在单晶衬底Ⅰ的下表面倾斜布置；下部P型热电臂阵列，由P型半导体薄膜在单晶衬底Ⅱ的上表面倾斜布置；隔离层，包括工字形绝缘隔层和金电极阵列。所述上部N型热电臂阵列和下部P型热电臂阵列由所述隔离层隔开，并由金电极连接成两个独立的串联通路；所述上部N型热电臂阵列、下部P型热电臂阵列和隔离层的相对位置由位于其侧面的通孔、插销固定。本实用新型相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率密度显著提高，P、N型热电臂可单独更换，构型灵活，且衬底作为薄膜物理支撑的同时起到封装作用，制造成本低。
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6 英寸硅衬底氮化镓外延技术
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
以氮化镓生长在硅基上实现第三代半导体技术，平衡异质外延所产生的晶格失配和 热失配，使晶体质量更佳且应力更少，通过优化设计外延层的结构与生长条件、参数提高材料晶体质量，设计新的外延层结构控制材料内部应力，解决硅与氮化镓材 料之间由于热失配和晶格失配造成的龟裂与高缺陷密度问题，并通过优化外延层结构参数改善材料电学性能，获得高质量的外延结构，以提供氮化镓功率 器件开发和生产等应用终端。 氮化镓外延生长目前已经广泛应用于白光照明和显示器背光源。随着新 能源（电动）车的快速发展，其在电池充放电及能源管理上将扮演重要的角色。由于其宽禁带的材料特性，使得其在电子器件 电压耐受度较传统硅电子器件更高，同时可在474 K 的环境下操作仍不失其期间特性。 同时，也对于辐射有更好的耐受性，是将来 6G 低轨卫星的绝佳器件选择。采用 C-GaN 层耐压能力的关键结构、AlN buffer 层与 AlGaN 阶变层、AlInGaN 势垒层提高沟道电子 密度、P-GaN 层增强型 HEMT 器件外延技术等四种核心技术来克服目前氮化镓在硅衬 底异质材料的晶格常数及热膨胀系数所造成的残余应力翘曲及光电特性均匀性的问题。 该项目实施后将实现新增年销售额 3000 万，带动产值 30 亿。
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柔性硅薄膜太阳电池
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
柔性硅薄膜太阳电池是指在柔性衬底上沉积制备的一种薄膜电池。结合不同的柔性衬底（不 锈钢、高分子聚合物等），其具有低成本、低耗材（电池厚度仅为晶体硅的百分之一）、高工艺兼容 性、可弯曲、高功率质量比等巨大的优势。这使制备的柔性硅基薄膜组件具有可卷曲、折叠收纳，便 携性强、耐损伤等诸多特点。因此，柔性硅薄膜电池组件在光伏建筑一体化（BIPV）、临近空间飞行 器，可移动电子设备等诸多特殊领域中发挥不可替代的作用。本组结合柔性硅薄膜的特性，开发出高沉积速率、高稳定性、低成本、高功率质量比的柔性硅 薄膜太阳电池组件。选用 30um 厚的不锈钢为衬底，结合优异性能的单结电池和良好的遂穿结技 术，制备出面积为 200cm2 效率高达 11.9% 的非微双结电池。制备出的柔性硅薄膜太阳电池可固 定于飞机翼上，代替充电电池；可做成充电纸应用于充电宝、平板电脑等需要充电的器件。并且电 池经枪击实验后依然可以正常工作，说明本组制备的柔性硅薄膜电池不仅结构简单，而且耐损性 极强。本组目前致力于研究大面积（不低于 250cm2）高分子聚合物柔性衬底硅薄膜太阳电池，效率 可达 12% 以上，通过开发新型封装工艺以及级联技术，制备面积大于 1m2 组件，效率可达 10% 以 上，并可以通过严格的环境可靠性测试。
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新型氮化镓单晶衬底
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
新型多孔 GaN 单晶衬底是由连通纳米孔和 GaN 纳米壁构成的体块晶体，兼具体块 单晶无晶界导通与纳米材料无应力的特点，其孔洞在高掺 Al/In 时可释放界面应力、消解位错，是适用于所有 GaN 基器件的全新同质且具有图案化纳米孔的优质衬底，可从根本上解决 GaN 晶向调控与器件外延界面应力的国际难题。全新的氮化技术路线极大降低了生长成本，可实现任意晶向大尺寸制备来突破我国大尺寸非极性晶体生长难关与晶向不可控瓶颈，以换道超车方式彻底解决 GaN 基器件衬底材料“卡脖子”问题。 新型多孔 GaN 单晶衬底制备技术巧妙利用与 GaN 晶格最相近的 LiGaO2晶体，通过高温氮化驱离其中Li和O来制备大尺寸无应力自支撑任意晶向多孔 GaN 单 晶晶片，实现了 GaN 新材料领域“从 0 到 1”的跨越，能为 GaN 基器件提供更加优质的同质衬底，进而制造出高功 率密度、高效率、宽频谱、长寿命的 GaN 器件，应用于半导体照明、5G 通讯、新能源汽车等国家重点发展领域，最终走出一条以多孔 GaN 为衬底占主导的新型产业化道路。
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SOI上用于电子束套刻的凹陷型对准标记及制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法，具体为：清洗SOI衬底；在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂，采用光刻工艺将对准标记的版图转移到光学抗蚀剂上；在SOI衬底和光学抗蚀剂表面镀金属薄膜；剥离去除镀在光学抗蚀剂上的金属薄膜；在剥离金属薄膜处刻蚀SOI衬底的硅和二氧化硅，得到凹陷型对准标记；去除SOI衬底上余下的金属薄膜。本发明制作的得到凹陷型对准标记侧壁陡直性好，提高了薄顶硅层SOI上凹陷型标记的套刻精度，且与CMOS工艺兼容，能应用于高温外延生长、高温氧化等工艺而无需担心引入杂质，也不需担心标记的变形或移位。
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低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
项目简介： CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积 Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉 积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积 →Ni/Al 电极沉积，等。小面积电池指标：效率 12.01%(FF=0.63,Voc=532mV，Jsc=35.8 mA/cm2，面积 0.34cm2)。 合作方式：技术咨询、企业产业化技术支持。
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一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法，步骤如下：（1）利用FIB制备不同深度结构的模板；（2）在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层；（3）ICP刻蚀掉胶层的残余层，然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1：1的刻蚀；（4）二次旋涂热塑性纳米压印胶，并使其表面平整；（5）ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护；（6）设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层，以胶层作为掩模，将较高结构刻蚀至平面；（7）在表面沉积另外一种材料，并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法，避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。
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一种薄膜热电模块
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开了一种薄膜热电模块，属于功能薄膜材料及器件领域。包括上部N型热电臂阵列，由N型半导体薄膜在单晶衬底Ⅰ的下表面倾斜布置；下部P型热电臂阵列，由P型半导体薄膜在单晶衬底Ⅱ的上表面倾斜布置；隔离层，包括工字形绝缘隔层和金电极阵列。所述上部N型热电臂阵列和下部P型热电臂阵列由所述隔离层隔开，并由金电极连接成两个独立的串联通路；所述上部N型热电臂阵列、下部P型热电臂阵列和隔离层的相对位置由位于其侧面的通孔、插销固定。本实用新型相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率密度显著提高，P、N型热电臂可单独更换，构型灵活，且衬底作为薄膜物理支撑的同时起到封装作用，制造成本低。
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6 英寸硅衬底氮化镓外延技术
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
以氮化镓生长在硅基上实现第三代半导体技术，平衡异质外延所产生的晶格失配和 热失配，使晶体质量更佳且应力更少，通过优化设计外延层的结构与生长条件、参数提高材料晶体质量，设计新的外延层结构控制材料内部应力，解决硅与氮化镓材 料之间由于热失配和晶格失配造成的龟裂与高缺陷密度问题，并通过优化外延层结构参数改善材料电学性能，获得高质量的外延结构，以提供氮化镓功率 器件开发和生产等应用终端。 氮化镓外延生长目前已经广泛应用于白光照明和显示器背光源。随着新 能源（电动）车的快速发展，其在电池充放电及能源管理上将扮演重要的角色。由于其宽禁带的材料特性，使得其在电子器件 电压耐受度较传统硅电子器件更高，同时可在474 K 的环境下操作仍不失其期间特性。 同时，也对于辐射有更好的耐受性，是将来 6G 低轨卫星的绝佳器件选择。采用 C-GaN 层耐压能力的关键结构、AlN buffer 层与 AlGaN 阶变层、AlInGaN 势垒层提高沟道电子 密度、P-GaN 层增强型 HEMT 器件外延技术等四种核心技术来克服目前氮化镓在硅衬 底异质材料的晶格常数及热膨胀系数所造成的残余应力翘曲及光电特性均匀性的问题。 该项目实施后将实现新增年销售额 3000 万，带动产值 30 亿。
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柔性硅薄膜太阳电池
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
柔性硅薄膜太阳电池是指在柔性衬底上沉积制备的一种薄膜电池。结合不同的柔性衬底（不 锈钢、高分子聚合物等），其具有低成本、低耗材（电池厚度仅为晶体硅的百分之一）、高工艺兼容 性、可弯曲、高功率质量比等巨大的优势。这使制备的柔性硅基薄膜组件具有可卷曲、折叠收纳，便 携性强、耐损伤等诸多特点。因此，柔性硅薄膜电池组件在光伏建筑一体化（BIPV）、临近空间飞行 器，可移动电子设备等诸多特殊领域中发挥不可替代的作用。本组结合柔性硅薄膜的特性，开发出高沉积速率、高稳定性、低成本、高功率质量比的柔性硅 薄膜太阳电池组件。选用 30um 厚的不锈钢为衬底，结合优异性能的单结电池和良好的遂穿结技 术，制备出面积为 200cm2 效率高达 11.9% 的非微双结电池。制备出的柔性硅薄膜太阳电池可固 定于飞机翼上，代替充电电池；可做成充电纸应用于充电宝、平板电脑等需要充电的器件。并且电 池经枪击实验后依然可以正常工作，说明本组制备的柔性硅薄膜电池不仅结构简单，而且耐损性 极强。本组目前致力于研究大面积（不低于 250cm2）高分子聚合物柔性衬底硅薄膜太阳电池，效率 可达 12% 以上，通过开发新型封装工艺以及级联技术，制备面积大于 1m2 组件，效率可达 10% 以 上，并可以通过严格的环境可靠性测试。
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新型氮化镓单晶衬底
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
新型多孔 GaN 单晶衬底是由连通纳米孔和 GaN 纳米壁构成的体块晶体，兼具体块 单晶无晶界导通与纳米材料无应力的特点，其孔洞在高掺 Al/In 时可释放界面应力、消解位错，是适用于所有 GaN 基器件的全新同质且具有图案化纳米孔的优质衬底，可从根本上解决 GaN 晶向调控与器件外延界面应力的国际难题。全新的氮化技术路线极大降低了生长成本，可实现任意晶向大尺寸制备来突破我国大尺寸非极性晶体生长难关与晶向不可控瓶颈，以换道超车方式彻底解决 GaN 基器件衬底材料“卡脖子”问题。 新型多孔 GaN 单晶衬底制备技术巧妙利用与 GaN 晶格最相近的 LiGaO2晶体，通过高温氮化驱离其中Li和O来制备大尺寸无应力自支撑任意晶向多孔 GaN 单 晶晶片，实现了 GaN 新材料领域“从 0 到 1”的跨越，能为 GaN 基器件提供更加优质的同质衬底，进而制造出高功 率密度、高效率、宽频谱、长寿命的 GaN 器件，应用于半导体照明、5G 通讯、新能源汽车等国家重点发展领域，最终走出一条以多孔 GaN 为衬底占主导的新型产业化道路。