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一种制备氧化钒薄膜的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种制备氧化钒薄膜的方法，包括①衬底表面清洗。②溅射钒膜：充入氩气至安放衬底的真空室，分别采用平行粒子束、聚焦粒子束清洗衬底和靶材；溅射镀制钒膜，直至镀膜结束。③氧化扩散和后退火：在氩气气氛下加热退火炉，升温后充入氧气，氧气和氩气的流量比为1∶10～10∶1；氧化钒膜，制备氧化钒薄膜；钒膜氧化充分后，关闭氧气阀，氧化钒膜在纯氩气中退火；退火结束后，关闭退火炉，在氩气环境内冷却至室温。该方法克服了反应离子溅射镀膜方法存在的内在缺陷，避免了粒子束对氧化钒膜结构的损伤，增强薄膜的致密性和与衬底的粘附性；不需要在溅射镀膜过程中严格控制反应气体流量，降低了方法难度，增加了方法的可重复性，能制备出具有不同化学配比、可满足多种需求的氧化钒薄膜。
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五氧化二钒光电探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种五氧化二钒光电探测器及其制备方法。光电探测器由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成，其中，五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列；方法是先使用水热法得到VO2(A)纳米线，再将VO2(A)纳米线和水混合后超声，得到VO2(A)纳米线分散液，之后，先将VO2(A)纳米线分散液滴加入氯仿中，待VO2(A)纳米线于氯仿表面自组装成定向有序排列的致密阵列后，使用衬底将其捞起，得到其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底，再将其退火后，于定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的两端安装电极，制得目的产物。它的暗电流和光电流以及两者间的差值均较大，极易于广泛地应用于光电探测领域。
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银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法。薄膜由衬底上依次覆有膜厚为80～120nm的银纳米线膜和100～1000nm的M相二氧化钒纳米颗粒膜组成，其中，构成银纳米线膜的银纳米线的线直径为40～100nm、线长为50～100μm，构成M相二氧化钒纳米颗粒膜的M相二氧化钒纳米颗粒的粒径为20～100nm；方法为先将浓度为0.3～1.5wt％的银纳米线异丙醇溶液旋涂或刮涂于衬底上，干燥后再将浓度为2～5wt％的M相二氧化钒纳米颗粒水或乙醇溶液旋涂或刮涂至其上覆有银纳米线膜的衬底的银纳米线膜上，制得目的产物。它的相变电压低，制备工艺便捷、成本低，可广泛地用于节能窗、气敏传感器、光电开关、热敏电阻、红外遥感接收器和非制冷焦平面辐射探测器等领域。
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一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①清洗衬底，吹干后备用；②利用化学气相沉积系统、弧光放电系统、激光烧蚀沉积系统反应器当中的一种，通过金属催化剂诱导，在清洁衬底的表面直接反应生长网状、或交错互联的碳纳米管膜；③把生长有碳纳米管膜的衬底放入抽为真空的反应器中，利用反应器生长一层氧化钒膜，所生长的氧化钒膜分散在碳纳米管的表面、以及管与管的间隙当中，退火，形成氧化钒-碳纳米管复合膜结构；④冷却至室温后，从反应器中取出；⑤根据需要，依次重复碳纳米管生长、氧化钒沉积、和退火步骤，形成氧化钒-碳纳米管多层复合膜结构。
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一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法，在异质外延衬底上生长第一铱金属层，以第一铱金属层为依托在第一铱金属层上生长第一金刚石层；保证生长的第一金刚石层与第一铱金属层不受晶格失配影响，在第一金刚石层上生长图形化的第二铱金属层，在图形化的第二铱金属层上生长第二金刚石层，第二金刚石层与第二铱金属层和第一金刚石层接触生长，此时第二金刚石层处于自由生长状态，没有晶格失配的影响，得到生长有两层金刚石层和两层铱金属层的异质外延衬底，将第二金刚石层与第一金刚石层和第二铱金属层分离即可得到单晶金刚石，以异质外延衬底为依托，进行单晶金刚石的生长，可以降低金刚石器件制作成本，有利于发挥出金刚石优异特性。
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一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，首先将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内，分别将Ar、H2等离子化对衬底进行轰击清洗，然后在20～30℃通入SiH4、NH3、H2混合气体，等离子化后在衬底上淀积a‑SiNx薄膜，通入O2氧化a‑SiNx薄膜形成a‑SiNxOy薄膜，在较低的温度下利用大氢稀释方法制备薄膜，降低了薄膜中的非辐射复合缺陷，从而降低其加压后的漏电流，提高其发光的功率效率，使其与同类薄膜电致发光器件相比发光效率有数量级的增强。
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一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法，属于磁性材料制备技术领域。本发明中采用了磁控溅射和高温氮化两步法来制备Fe3N多晶薄膜，所以在工艺比较简单可靠的前提下制备出厚度超过100纳米的Fe3N多晶薄膜，有利于Fe3N多晶薄膜的性能表征以及大批量生产。
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一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公布了一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法，包括透镜、量子阱GaN、P‑GaN、N‑GaN、EL电极、GaN基LED光源、静电MEMS微执行器、Si衬底。所述的基于GaN的LED光源是生长在Si衬底上，所述的透镜完全粘附在GaN基LED光源的正上方，所述的静电MEMS微执行器，包括由固定齿梳和可动齿梳构成的齿梳状结构，其中固定齿梳连接在Si衬底上，可动齿梳与GaN基LED光源固定在一起，LED光源在可动齿梳的正上方。通过施加电压，Si基GaN‑LED在梳齿驱动器的作用下，在Si衬底平面做横向移动。当GaN基LED平行移动到透镜的光轴方向时，经过GaN基LED的准直光束将以与Si衬底平面成一定比例的角度偏转。该装置可用于定向照明，自由空间光通信以及机器人光学传感器等领域。
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绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数提取方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数的提取方法。首先，在某一适当区间内测得不同衬底电压下的击穿电压，根据测试结果绘制击穿电压随衬底电压变化曲线图，提取曲线峰值对应的最优衬底电压Vsub。对于SOI横向功率二极管，根据公式和若已知顶层硅浓度、顶层硅厚度和埋氧层厚度中的任意两项，即可提取第三项。对于体硅横向功率二极管，根据公式和若已知外延层浓度、外延层厚度和衬底浓度中的任意两项，即可提取第三项。本发明为SOI和体硅横向功率二极管结构参数的提取提供了一种简单、非破坏性和高精度的方法。
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一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器，包含平面型和“三明治”型两种结构。平面型紫外光传感器包括衬底、金属纳米线层、氧化锌纳米材料层；“三明治”结构包含顶电极层。制备时首先在柔性、透明的衬底上通过喷涂沉积一层金属纳米线导电薄膜为基底，然后用溶胶‑凝胶法在掩膜板覆盖的金属纳米线/衬底上生长一层氧化锌的晶种，再采用低温水热法在金属纳米线上生长氧化锌纳米材料层作为活性层，引出电极引线制得器件。本发明提出的紫外传感器的透光度大于50％，在0.5V操作电压下具有良好的灵敏度，而且具有工艺简单，成本低廉，易于大规模制备等特点。
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一种制备氧化钒薄膜的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种制备氧化钒薄膜的方法，包括①衬底表面清洗。②溅射钒膜：充入氩气至安放衬底的真空室，分别采用平行粒子束、聚焦粒子束清洗衬底和靶材；溅射镀制钒膜，直至镀膜结束。③氧化扩散和后退火：在氩气气氛下加热退火炉，升温后充入氧气，氧气和氩气的流量比为1∶10～10∶1；氧化钒膜，制备氧化钒薄膜；钒膜氧化充分后，关闭氧气阀，氧化钒膜在纯氩气中退火；退火结束后，关闭退火炉，在氩气环境内冷却至室温。该方法克服了反应离子溅射镀膜方法存在的内在缺陷，避免了粒子束对氧化钒膜结构的损伤，增强薄膜的致密性和与衬底的粘附性；不需要在溅射镀膜过程中严格控制反应气体流量，降低了方法难度，增加了方法的可重复性，能制备出具有不同化学配比、可满足多种需求的氧化钒薄膜。
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五氧化二钒光电探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种五氧化二钒光电探测器及其制备方法。光电探测器由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成，其中，五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列；方法是先使用水热法得到VO2(A)纳米线，再将VO2(A)纳米线和水混合后超声，得到VO2(A)纳米线分散液，之后，先将VO2(A)纳米线分散液滴加入氯仿中，待VO2(A)纳米线于氯仿表面自组装成定向有序排列的致密阵列后，使用衬底将其捞起，得到其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底，再将其退火后，于定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的两端安装电极，制得目的产物。它的暗电流和光电流以及两者间的差值均较大，极易于广泛地应用于光电探测领域。
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银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法。薄膜由衬底上依次覆有膜厚为80～120nm的银纳米线膜和100～1000nm的M相二氧化钒纳米颗粒膜组成，其中，构成银纳米线膜的银纳米线的线直径为40～100nm、线长为50～100μm，构成M相二氧化钒纳米颗粒膜的M相二氧化钒纳米颗粒的粒径为20～100nm；方法为先将浓度为0.3～1.5wt％的银纳米线异丙醇溶液旋涂或刮涂于衬底上，干燥后再将浓度为2～5wt％的M相二氧化钒纳米颗粒水或乙醇溶液旋涂或刮涂至其上覆有银纳米线膜的衬底的银纳米线膜上，制得目的产物。它的相变电压低，制备工艺便捷、成本低，可广泛地用于节能窗、气敏传感器、光电开关、热敏电阻、红外遥感接收器和非制冷焦平面辐射探测器等领域。
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一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①清洗衬底，吹干后备用；②利用化学气相沉积系统、弧光放电系统、激光烧蚀沉积系统反应器当中的一种，通过金属催化剂诱导，在清洁衬底的表面直接反应生长网状、或交错互联的碳纳米管膜；③把生长有碳纳米管膜的衬底放入抽为真空的反应器中，利用反应器生长一层氧化钒膜，所生长的氧化钒膜分散在碳纳米管的表面、以及管与管的间隙当中，退火，形成氧化钒-碳纳米管复合膜结构；④冷却至室温后，从反应器中取出；⑤根据需要，依次重复碳纳米管生长、氧化钒沉积、和退火步骤，形成氧化钒-碳纳米管多层复合膜结构。
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一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法，在异质外延衬底上生长第一铱金属层，以第一铱金属层为依托在第一铱金属层上生长第一金刚石层；保证生长的第一金刚石层与第一铱金属层不受晶格失配影响，在第一金刚石层上生长图形化的第二铱金属层，在图形化的第二铱金属层上生长第二金刚石层，第二金刚石层与第二铱金属层和第一金刚石层接触生长，此时第二金刚石层处于自由生长状态，没有晶格失配的影响，得到生长有两层金刚石层和两层铱金属层的异质外延衬底，将第二金刚石层与第一金刚石层和第二铱金属层分离即可得到单晶金刚石，以异质外延衬底为依托，进行单晶金刚石的生长，可以降低金刚石器件制作成本，有利于发挥出金刚石优异特性。
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一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，首先将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内，分别将Ar、H2等离子化对衬底进行轰击清洗，然后在20～30℃通入SiH4、NH3、H2混合气体，等离子化后在衬底上淀积a‑SiNx薄膜，通入O2氧化a‑SiNx薄膜形成a‑SiNxOy薄膜，在较低的温度下利用大氢稀释方法制备薄膜，降低了薄膜中的非辐射复合缺陷，从而降低其加压后的漏电流，提高其发光的功率效率，使其与同类薄膜电致发光器件相比发光效率有数量级的增强。
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一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法，属于磁性材料制备技术领域。本发明中采用了磁控溅射和高温氮化两步法来制备Fe3N多晶薄膜，所以在工艺比较简单可靠的前提下制备出厚度超过100纳米的Fe3N多晶薄膜，有利于Fe3N多晶薄膜的性能表征以及大批量生产。
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一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公布了一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法，包括透镜、量子阱GaN、P‑GaN、N‑GaN、EL电极、GaN基LED光源、静电MEMS微执行器、Si衬底。所述的基于GaN的LED光源是生长在Si衬底上，所述的透镜完全粘附在GaN基LED光源的正上方，所述的静电MEMS微执行器，包括由固定齿梳和可动齿梳构成的齿梳状结构，其中固定齿梳连接在Si衬底上，可动齿梳与GaN基LED光源固定在一起，LED光源在可动齿梳的正上方。通过施加电压，Si基GaN‑LED在梳齿驱动器的作用下，在Si衬底平面做横向移动。当GaN基LED平行移动到透镜的光轴方向时，经过GaN基LED的准直光束将以与Si衬底平面成一定比例的角度偏转。该装置可用于定向照明，自由空间光通信以及机器人光学传感器等领域。
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绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数提取方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数的提取方法。首先，在某一适当区间内测得不同衬底电压下的击穿电压，根据测试结果绘制击穿电压随衬底电压变化曲线图，提取曲线峰值对应的最优衬底电压Vsub。对于SOI横向功率二极管，根据公式和若已知顶层硅浓度、顶层硅厚度和埋氧层厚度中的任意两项，即可提取第三项。对于体硅横向功率二极管，根据公式和若已知外延层浓度、外延层厚度和衬底浓度中的任意两项，即可提取第三项。本发明为SOI和体硅横向功率二极管结构参数的提取提供了一种简单、非破坏性和高精度的方法。
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一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器，包含平面型和“三明治”型两种结构。平面型紫外光传感器包括衬底、金属纳米线层、氧化锌纳米材料层；“三明治”结构包含顶电极层。制备时首先在柔性、透明的衬底上通过喷涂沉积一层金属纳米线导电薄膜为基底，然后用溶胶‑凝胶法在掩膜板覆盖的金属纳米线/衬底上生长一层氧化锌的晶种，再采用低温水热法在金属纳米线上生长氧化锌纳米材料层作为活性层，引出电极引线制得器件。本发明提出的紫外传感器的透光度大于50％，在0.5V操作电压下具有良好的灵敏度，而且具有工艺简单，成本低廉，易于大规模制备等特点。
找到217项技术成果数据。
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一种制备氧化钒薄膜的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种制备氧化钒薄膜的方法，包括①衬底表面清洗。②溅射钒膜：充入氩气至安放衬底的真空室，分别采用平行粒子束、聚焦粒子束清洗衬底和靶材；溅射镀制钒膜，直至镀膜结束。③氧化扩散和后退火：在氩气气氛下加热退火炉，升温后充入氧气，氧气和氩气的流量比为1∶10～10∶1；氧化钒膜，制备氧化钒薄膜；钒膜氧化充分后，关闭氧气阀，氧化钒膜在纯氩气中退火；退火结束后，关闭退火炉，在氩气环境内冷却至室温。该方法克服了反应离子溅射镀膜方法存在的内在缺陷，避免了粒子束对氧化钒膜结构的损伤，增强薄膜的致密性和与衬底的粘附性；不需要在溅射镀膜过程中严格控制反应气体流量，降低了方法难度，增加了方法的可重复性，能制备出具有不同化学配比、可满足多种需求的氧化钒薄膜。
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五氧化二钒光电探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种五氧化二钒光电探测器及其制备方法。光电探测器由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成，其中，五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列；方法是先使用水热法得到VO2(A)纳米线，再将VO2(A)纳米线和水混合后超声，得到VO2(A)纳米线分散液，之后，先将VO2(A)纳米线分散液滴加入氯仿中，待VO2(A)纳米线于氯仿表面自组装成定向有序排列的致密阵列后，使用衬底将其捞起，得到其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底，再将其退火后，于定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的两端安装电极，制得目的产物。它的暗电流和光电流以及两者间的差值均较大，极易于广泛地应用于光电探测领域。
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银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法。薄膜由衬底上依次覆有膜厚为80～120nm的银纳米线膜和100～1000nm的M相二氧化钒纳米颗粒膜组成，其中，构成银纳米线膜的银纳米线的线直径为40～100nm、线长为50～100μm，构成M相二氧化钒纳米颗粒膜的M相二氧化钒纳米颗粒的粒径为20～100nm；方法为先将浓度为0.3～1.5wt％的银纳米线异丙醇溶液旋涂或刮涂于衬底上，干燥后再将浓度为2～5wt％的M相二氧化钒纳米颗粒水或乙醇溶液旋涂或刮涂至其上覆有银纳米线膜的衬底的银纳米线膜上，制得目的产物。它的相变电压低，制备工艺便捷、成本低，可广泛地用于节能窗、气敏传感器、光电开关、热敏电阻、红外遥感接收器和非制冷焦平面辐射探测器等领域。
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一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①清洗衬底，吹干后备用；②利用化学气相沉积系统、弧光放电系统、激光烧蚀沉积系统反应器当中的一种，通过金属催化剂诱导，在清洁衬底的表面直接反应生长网状、或交错互联的碳纳米管膜；③把生长有碳纳米管膜的衬底放入抽为真空的反应器中，利用反应器生长一层氧化钒膜，所生长的氧化钒膜分散在碳纳米管的表面、以及管与管的间隙当中，退火，形成氧化钒-碳纳米管复合膜结构；④冷却至室温后，从反应器中取出；⑤根据需要，依次重复碳纳米管生长、氧化钒沉积、和退火步骤，形成氧化钒-碳纳米管多层复合膜结构。
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一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法，在异质外延衬底上生长第一铱金属层，以第一铱金属层为依托在第一铱金属层上生长第一金刚石层；保证生长的第一金刚石层与第一铱金属层不受晶格失配影响，在第一金刚石层上生长图形化的第二铱金属层，在图形化的第二铱金属层上生长第二金刚石层，第二金刚石层与第二铱金属层和第一金刚石层接触生长，此时第二金刚石层处于自由生长状态，没有晶格失配的影响，得到生长有两层金刚石层和两层铱金属层的异质外延衬底，将第二金刚石层与第一金刚石层和第二铱金属层分离即可得到单晶金刚石，以异质外延衬底为依托，进行单晶金刚石的生长，可以降低金刚石器件制作成本，有利于发挥出金刚石优异特性。
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一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，首先将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内，分别将Ar、H2等离子化对衬底进行轰击清洗，然后在20～30℃通入SiH4、NH3、H2混合气体，等离子化后在衬底上淀积a‑SiNx薄膜，通入O2氧化a‑SiNx薄膜形成a‑SiNxOy薄膜，在较低的温度下利用大氢稀释方法制备薄膜，降低了薄膜中的非辐射复合缺陷，从而降低其加压后的漏电流，提高其发光的功率效率，使其与同类薄膜电致发光器件相比发光效率有数量级的增强。
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一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法，属于磁性材料制备技术领域。本发明中采用了磁控溅射和高温氮化两步法来制备Fe3N多晶薄膜，所以在工艺比较简单可靠的前提下制备出厚度超过100纳米的Fe3N多晶薄膜，有利于Fe3N多晶薄膜的性能表征以及大批量生产。
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一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公布了一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法，包括透镜、量子阱GaN、P‑GaN、N‑GaN、EL电极、GaN基LED光源、静电MEMS微执行器、Si衬底。所述的基于GaN的LED光源是生长在Si衬底上，所述的透镜完全粘附在GaN基LED光源的正上方，所述的静电MEMS微执行器，包括由固定齿梳和可动齿梳构成的齿梳状结构，其中固定齿梳连接在Si衬底上，可动齿梳与GaN基LED光源固定在一起，LED光源在可动齿梳的正上方。通过施加电压，Si基GaN‑LED在梳齿驱动器的作用下，在Si衬底平面做横向移动。当GaN基LED平行移动到透镜的光轴方向时，经过GaN基LED的准直光束将以与Si衬底平面成一定比例的角度偏转。该装置可用于定向照明，自由空间光通信以及机器人光学传感器等领域。
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绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数提取方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数的提取方法。首先，在某一适当区间内测得不同衬底电压下的击穿电压，根据测试结果绘制击穿电压随衬底电压变化曲线图，提取曲线峰值对应的最优衬底电压Vsub。对于SOI横向功率二极管，根据公式和若已知顶层硅浓度、顶层硅厚度和埋氧层厚度中的任意两项，即可提取第三项。对于体硅横向功率二极管，根据公式和若已知外延层浓度、外延层厚度和衬底浓度中的任意两项，即可提取第三项。本发明为SOI和体硅横向功率二极管结构参数的提取提供了一种简单、非破坏性和高精度的方法。
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一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器，包含平面型和“三明治”型两种结构。平面型紫外光传感器包括衬底、金属纳米线层、氧化锌纳米材料层；“三明治”结构包含顶电极层。制备时首先在柔性、透明的衬底上通过喷涂沉积一层金属纳米线导电薄膜为基底，然后用溶胶‑凝胶法在掩膜板覆盖的金属纳米线/衬底上生长一层氧化锌的晶种，再采用低温水热法在金属纳米线上生长氧化锌纳米材料层作为活性层，引出电极引线制得器件。本发明提出的紫外传感器的透光度大于50％，在0.5V操作电压下具有良好的灵敏度，而且具有工艺简单，成本低廉，易于大规模制备等特点。
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一种制备氧化钒薄膜的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种制备氧化钒薄膜的方法，包括①衬底表面清洗。②溅射钒膜：充入氩气至安放衬底的真空室，分别采用平行粒子束、聚焦粒子束清洗衬底和靶材；溅射镀制钒膜，直至镀膜结束。③氧化扩散和后退火：在氩气气氛下加热退火炉，升温后充入氧气，氧气和氩气的流量比为1∶10～10∶1；氧化钒膜，制备氧化钒薄膜；钒膜氧化充分后，关闭氧气阀，氧化钒膜在纯氩气中退火；退火结束后，关闭退火炉，在氩气环境内冷却至室温。该方法克服了反应离子溅射镀膜方法存在的内在缺陷，避免了粒子束对氧化钒膜结构的损伤，增强薄膜的致密性和与衬底的粘附性；不需要在溅射镀膜过程中严格控制反应气体流量，降低了方法难度，增加了方法的可重复性，能制备出具有不同化学配比、可满足多种需求的氧化钒薄膜。
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五氧化二钒光电探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种五氧化二钒光电探测器及其制备方法。光电探测器由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成，其中，五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列；方法是先使用水热法得到VO2(A)纳米线，再将VO2(A)纳米线和水混合后超声，得到VO2(A)纳米线分散液，之后，先将VO2(A)纳米线分散液滴加入氯仿中，待VO2(A)纳米线于氯仿表面自组装成定向有序排列的致密阵列后，使用衬底将其捞起，得到其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底，再将其退火后，于定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的两端安装电极，制得目的产物。它的暗电流和光电流以及两者间的差值均较大，极易于广泛地应用于光电探测领域。
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银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法。薄膜由衬底上依次覆有膜厚为80～120nm的银纳米线膜和100～1000nm的M相二氧化钒纳米颗粒膜组成，其中，构成银纳米线膜的银纳米线的线直径为40～100nm、线长为50～100μm，构成M相二氧化钒纳米颗粒膜的M相二氧化钒纳米颗粒的粒径为20～100nm；方法为先将浓度为0.3～1.5wt％的银纳米线异丙醇溶液旋涂或刮涂于衬底上，干燥后再将浓度为2～5wt％的M相二氧化钒纳米颗粒水或乙醇溶液旋涂或刮涂至其上覆有银纳米线膜的衬底的银纳米线膜上，制得目的产物。它的相变电压低，制备工艺便捷、成本低，可广泛地用于节能窗、气敏传感器、光电开关、热敏电阻、红外遥感接收器和非制冷焦平面辐射探测器等领域。
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一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①清洗衬底，吹干后备用；②利用化学气相沉积系统、弧光放电系统、激光烧蚀沉积系统反应器当中的一种，通过金属催化剂诱导，在清洁衬底的表面直接反应生长网状、或交错互联的碳纳米管膜；③把生长有碳纳米管膜的衬底放入抽为真空的反应器中，利用反应器生长一层氧化钒膜，所生长的氧化钒膜分散在碳纳米管的表面、以及管与管的间隙当中，退火，形成氧化钒-碳纳米管复合膜结构；④冷却至室温后，从反应器中取出；⑤根据需要，依次重复碳纳米管生长、氧化钒沉积、和退火步骤，形成氧化钒-碳纳米管多层复合膜结构。
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一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法，在异质外延衬底上生长第一铱金属层，以第一铱金属层为依托在第一铱金属层上生长第一金刚石层；保证生长的第一金刚石层与第一铱金属层不受晶格失配影响，在第一金刚石层上生长图形化的第二铱金属层，在图形化的第二铱金属层上生长第二金刚石层，第二金刚石层与第二铱金属层和第一金刚石层接触生长，此时第二金刚石层处于自由生长状态，没有晶格失配的影响，得到生长有两层金刚石层和两层铱金属层的异质外延衬底，将第二金刚石层与第一金刚石层和第二铱金属层分离即可得到单晶金刚石，以异质外延衬底为依托，进行单晶金刚石的生长，可以降低金刚石器件制作成本，有利于发挥出金刚石优异特性。
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一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，首先将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内，分别将Ar、H2等离子化对衬底进行轰击清洗，然后在20～30℃通入SiH4、NH3、H2混合气体，等离子化后在衬底上淀积a‑SiNx薄膜，通入O2氧化a‑SiNx薄膜形成a‑SiNxOy薄膜，在较低的温度下利用大氢稀释方法制备薄膜，降低了薄膜中的非辐射复合缺陷，从而降低其加压后的漏电流，提高其发光的功率效率，使其与同类薄膜电致发光器件相比发光效率有数量级的增强。
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一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法，属于磁性材料制备技术领域。本发明中采用了磁控溅射和高温氮化两步法来制备Fe3N多晶薄膜，所以在工艺比较简单可靠的前提下制备出厚度超过100纳米的Fe3N多晶薄膜，有利于Fe3N多晶薄膜的性能表征以及大批量生产。
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一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公布了一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法，包括透镜、量子阱GaN、P‑GaN、N‑GaN、EL电极、GaN基LED光源、静电MEMS微执行器、Si衬底。所述的基于GaN的LED光源是生长在Si衬底上，所述的透镜完全粘附在GaN基LED光源的正上方，所述的静电MEMS微执行器，包括由固定齿梳和可动齿梳构成的齿梳状结构，其中固定齿梳连接在Si衬底上，可动齿梳与GaN基LED光源固定在一起，LED光源在可动齿梳的正上方。通过施加电压，Si基GaN‑LED在梳齿驱动器的作用下，在Si衬底平面做横向移动。当GaN基LED平行移动到透镜的光轴方向时，经过GaN基LED的准直光束将以与Si衬底平面成一定比例的角度偏转。该装置可用于定向照明，自由空间光通信以及机器人光学传感器等领域。
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绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数提取方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数的提取方法。首先，在某一适当区间内测得不同衬底电压下的击穿电压，根据测试结果绘制击穿电压随衬底电压变化曲线图，提取曲线峰值对应的最优衬底电压Vsub。对于SOI横向功率二极管，根据公式和若已知顶层硅浓度、顶层硅厚度和埋氧层厚度中的任意两项，即可提取第三项。对于体硅横向功率二极管，根据公式和若已知外延层浓度、外延层厚度和衬底浓度中的任意两项，即可提取第三项。本发明为SOI和体硅横向功率二极管结构参数的提取提供了一种简单、非破坏性和高精度的方法。
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一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器，包含平面型和“三明治”型两种结构。平面型紫外光传感器包括衬底、金属纳米线层、氧化锌纳米材料层；“三明治”结构包含顶电极层。制备时首先在柔性、透明的衬底上通过喷涂沉积一层金属纳米线导电薄膜为基底，然后用溶胶‑凝胶法在掩膜板覆盖的金属纳米线/衬底上生长一层氧化锌的晶种，再采用低温水热法在金属纳米线上生长氧化锌纳米材料层作为活性层，引出电极引线制得器件。本发明提出的紫外传感器的透光度大于50％，在0.5V操作电压下具有良好的灵敏度，而且具有工艺简单，成本低廉，易于大规模制备等特点。
找到217项技术成果数据。
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一种制备氧化钒薄膜的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种制备氧化钒薄膜的方法，包括①衬底表面清洗。②溅射钒膜：充入氩气至安放衬底的真空室，分别采用平行粒子束、聚焦粒子束清洗衬底和靶材；溅射镀制钒膜，直至镀膜结束。③氧化扩散和后退火：在氩气气氛下加热退火炉，升温后充入氧气，氧气和氩气的流量比为1∶10～10∶1；氧化钒膜，制备氧化钒薄膜；钒膜氧化充分后，关闭氧气阀，氧化钒膜在纯氩气中退火；退火结束后，关闭退火炉，在氩气环境内冷却至室温。该方法克服了反应离子溅射镀膜方法存在的内在缺陷，避免了粒子束对氧化钒膜结构的损伤，增强薄膜的致密性和与衬底的粘附性；不需要在溅射镀膜过程中严格控制反应气体流量，降低了方法难度，增加了方法的可重复性，能制备出具有不同化学配比、可满足多种需求的氧化钒薄膜。
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五氧化二钒光电探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种五氧化二钒光电探测器及其制备方法。光电探测器由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成，其中，五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列；方法是先使用水热法得到VO2(A)纳米线，再将VO2(A)纳米线和水混合后超声，得到VO2(A)纳米线分散液，之后，先将VO2(A)纳米线分散液滴加入氯仿中，待VO2(A)纳米线于氯仿表面自组装成定向有序排列的致密阵列后，使用衬底将其捞起，得到其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底，再将其退火后，于定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的两端安装电极，制得目的产物。它的暗电流和光电流以及两者间的差值均较大，极易于广泛地应用于光电探测领域。
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银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法。薄膜由衬底上依次覆有膜厚为80～120nm的银纳米线膜和100～1000nm的M相二氧化钒纳米颗粒膜组成，其中，构成银纳米线膜的银纳米线的线直径为40～100nm、线长为50～100μm，构成M相二氧化钒纳米颗粒膜的M相二氧化钒纳米颗粒的粒径为20～100nm；方法为先将浓度为0.3～1.5wt％的银纳米线异丙醇溶液旋涂或刮涂于衬底上，干燥后再将浓度为2～5wt％的M相二氧化钒纳米颗粒水或乙醇溶液旋涂或刮涂至其上覆有银纳米线膜的衬底的银纳米线膜上，制得目的产物。它的相变电压低，制备工艺便捷、成本低，可广泛地用于节能窗、气敏传感器、光电开关、热敏电阻、红外遥感接收器和非制冷焦平面辐射探测器等领域。
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一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①清洗衬底，吹干后备用；②利用化学气相沉积系统、弧光放电系统、激光烧蚀沉积系统反应器当中的一种，通过金属催化剂诱导，在清洁衬底的表面直接反应生长网状、或交错互联的碳纳米管膜；③把生长有碳纳米管膜的衬底放入抽为真空的反应器中，利用反应器生长一层氧化钒膜，所生长的氧化钒膜分散在碳纳米管的表面、以及管与管的间隙当中，退火，形成氧化钒-碳纳米管复合膜结构；④冷却至室温后，从反应器中取出；⑤根据需要，依次重复碳纳米管生长、氧化钒沉积、和退火步骤，形成氧化钒-碳纳米管多层复合膜结构。
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一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法，在异质外延衬底上生长第一铱金属层，以第一铱金属层为依托在第一铱金属层上生长第一金刚石层；保证生长的第一金刚石层与第一铱金属层不受晶格失配影响，在第一金刚石层上生长图形化的第二铱金属层，在图形化的第二铱金属层上生长第二金刚石层，第二金刚石层与第二铱金属层和第一金刚石层接触生长，此时第二金刚石层处于自由生长状态，没有晶格失配的影响，得到生长有两层金刚石层和两层铱金属层的异质外延衬底，将第二金刚石层与第一金刚石层和第二铱金属层分离即可得到单晶金刚石，以异质外延衬底为依托，进行单晶金刚石的生长，可以降低金刚石器件制作成本，有利于发挥出金刚石优异特性。
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一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，首先将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内，分别将Ar、H2等离子化对衬底进行轰击清洗，然后在20～30℃通入SiH4、NH3、H2混合气体，等离子化后在衬底上淀积a‑SiNx薄膜，通入O2氧化a‑SiNx薄膜形成a‑SiNxOy薄膜，在较低的温度下利用大氢稀释方法制备薄膜，降低了薄膜中的非辐射复合缺陷，从而降低其加压后的漏电流，提高其发光的功率效率，使其与同类薄膜电致发光器件相比发光效率有数量级的增强。
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一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法，属于磁性材料制备技术领域。本发明中采用了磁控溅射和高温氮化两步法来制备Fe3N多晶薄膜，所以在工艺比较简单可靠的前提下制备出厚度超过100纳米的Fe3N多晶薄膜，有利于Fe3N多晶薄膜的性能表征以及大批量生产。
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一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公布了一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法，包括透镜、量子阱GaN、P‑GaN、N‑GaN、EL电极、GaN基LED光源、静电MEMS微执行器、Si衬底。所述的基于GaN的LED光源是生长在Si衬底上，所述的透镜完全粘附在GaN基LED光源的正上方，所述的静电MEMS微执行器，包括由固定齿梳和可动齿梳构成的齿梳状结构，其中固定齿梳连接在Si衬底上，可动齿梳与GaN基LED光源固定在一起，LED光源在可动齿梳的正上方。通过施加电压，Si基GaN‑LED在梳齿驱动器的作用下，在Si衬底平面做横向移动。当GaN基LED平行移动到透镜的光轴方向时，经过GaN基LED的准直光束将以与Si衬底平面成一定比例的角度偏转。该装置可用于定向照明，自由空间光通信以及机器人光学传感器等领域。
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绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数提取方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数的提取方法。首先，在某一适当区间内测得不同衬底电压下的击穿电压，根据测试结果绘制击穿电压随衬底电压变化曲线图，提取曲线峰值对应的最优衬底电压Vsub。对于SOI横向功率二极管，根据公式和若已知顶层硅浓度、顶层硅厚度和埋氧层厚度中的任意两项，即可提取第三项。对于体硅横向功率二极管，根据公式和若已知外延层浓度、外延层厚度和衬底浓度中的任意两项，即可提取第三项。本发明为SOI和体硅横向功率二极管结构参数的提取提供了一种简单、非破坏性和高精度的方法。
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一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器，包含平面型和“三明治”型两种结构。平面型紫外光传感器包括衬底、金属纳米线层、氧化锌纳米材料层；“三明治”结构包含顶电极层。制备时首先在柔性、透明的衬底上通过喷涂沉积一层金属纳米线导电薄膜为基底，然后用溶胶‑凝胶法在掩膜板覆盖的金属纳米线/衬底上生长一层氧化锌的晶种，再采用低温水热法在金属纳米线上生长氧化锌纳米材料层作为活性层，引出电极引线制得器件。本发明提出的紫外传感器的透光度大于50％，在0.5V操作电压下具有良好的灵敏度，而且具有工艺简单，成本低廉，易于大规模制备等特点。
找到217项技术成果数据。
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一种制备氧化钒薄膜的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种制备氧化钒薄膜的方法，包括①衬底表面清洗。②溅射钒膜：充入氩气至安放衬底的真空室，分别采用平行粒子束、聚焦粒子束清洗衬底和靶材；溅射镀制钒膜，直至镀膜结束。③氧化扩散和后退火：在氩气气氛下加热退火炉，升温后充入氧气，氧气和氩气的流量比为1∶10～10∶1；氧化钒膜，制备氧化钒薄膜；钒膜氧化充分后，关闭氧气阀，氧化钒膜在纯氩气中退火；退火结束后，关闭退火炉，在氩气环境内冷却至室温。该方法克服了反应离子溅射镀膜方法存在的内在缺陷，避免了粒子束对氧化钒膜结构的损伤，增强薄膜的致密性和与衬底的粘附性；不需要在溅射镀膜过程中严格控制反应气体流量，降低了方法难度，增加了方法的可重复性，能制备出具有不同化学配比、可满足多种需求的氧化钒薄膜。
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五氧化二钒光电探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种五氧化二钒光电探测器及其制备方法。光电探测器由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成，其中，五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列；方法是先使用水热法得到VO2(A)纳米线，再将VO2(A)纳米线和水混合后超声，得到VO2(A)纳米线分散液，之后，先将VO2(A)纳米线分散液滴加入氯仿中，待VO2(A)纳米线于氯仿表面自组装成定向有序排列的致密阵列后，使用衬底将其捞起，得到其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底，再将其退火后，于定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的两端安装电极，制得目的产物。它的暗电流和光电流以及两者间的差值均较大，极易于广泛地应用于光电探测领域。
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银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法。薄膜由衬底上依次覆有膜厚为80～120nm的银纳米线膜和100～1000nm的M相二氧化钒纳米颗粒膜组成，其中，构成银纳米线膜的银纳米线的线直径为40～100nm、线长为50～100μm，构成M相二氧化钒纳米颗粒膜的M相二氧化钒纳米颗粒的粒径为20～100nm；方法为先将浓度为0.3～1.5wt％的银纳米线异丙醇溶液旋涂或刮涂于衬底上，干燥后再将浓度为2～5wt％的M相二氧化钒纳米颗粒水或乙醇溶液旋涂或刮涂至其上覆有银纳米线膜的衬底的银纳米线膜上，制得目的产物。它的相变电压低，制备工艺便捷、成本低，可广泛地用于节能窗、气敏传感器、光电开关、热敏电阻、红外遥感接收器和非制冷焦平面辐射探测器等领域。
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一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①清洗衬底，吹干后备用；②利用化学气相沉积系统、弧光放电系统、激光烧蚀沉积系统反应器当中的一种，通过金属催化剂诱导，在清洁衬底的表面直接反应生长网状、或交错互联的碳纳米管膜；③把生长有碳纳米管膜的衬底放入抽为真空的反应器中，利用反应器生长一层氧化钒膜，所生长的氧化钒膜分散在碳纳米管的表面、以及管与管的间隙当中，退火，形成氧化钒-碳纳米管复合膜结构；④冷却至室温后，从反应器中取出；⑤根据需要，依次重复碳纳米管生长、氧化钒沉积、和退火步骤，形成氧化钒-碳纳米管多层复合膜结构。
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一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法，在异质外延衬底上生长第一铱金属层，以第一铱金属层为依托在第一铱金属层上生长第一金刚石层；保证生长的第一金刚石层与第一铱金属层不受晶格失配影响，在第一金刚石层上生长图形化的第二铱金属层，在图形化的第二铱金属层上生长第二金刚石层，第二金刚石层与第二铱金属层和第一金刚石层接触生长，此时第二金刚石层处于自由生长状态，没有晶格失配的影响，得到生长有两层金刚石层和两层铱金属层的异质外延衬底，将第二金刚石层与第一金刚石层和第二铱金属层分离即可得到单晶金刚石，以异质外延衬底为依托，进行单晶金刚石的生长，可以降低金刚石器件制作成本，有利于发挥出金刚石优异特性。
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一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，首先将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内，分别将Ar、H2等离子化对衬底进行轰击清洗，然后在20～30℃通入SiH4、NH3、H2混合气体，等离子化后在衬底上淀积a‑SiNx薄膜，通入O2氧化a‑SiNx薄膜形成a‑SiNxOy薄膜，在较低的温度下利用大氢稀释方法制备薄膜，降低了薄膜中的非辐射复合缺陷，从而降低其加压后的漏电流，提高其发光的功率效率，使其与同类薄膜电致发光器件相比发光效率有数量级的增强。
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一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法，属于磁性材料制备技术领域。本发明中采用了磁控溅射和高温氮化两步法来制备Fe3N多晶薄膜，所以在工艺比较简单可靠的前提下制备出厚度超过100纳米的Fe3N多晶薄膜，有利于Fe3N多晶薄膜的性能表征以及大批量生产。
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一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公布了一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法，包括透镜、量子阱GaN、P‑GaN、N‑GaN、EL电极、GaN基LED光源、静电MEMS微执行器、Si衬底。所述的基于GaN的LED光源是生长在Si衬底上，所述的透镜完全粘附在GaN基LED光源的正上方，所述的静电MEMS微执行器，包括由固定齿梳和可动齿梳构成的齿梳状结构，其中固定齿梳连接在Si衬底上，可动齿梳与GaN基LED光源固定在一起，LED光源在可动齿梳的正上方。通过施加电压，Si基GaN‑LED在梳齿驱动器的作用下，在Si衬底平面做横向移动。当GaN基LED平行移动到透镜的光轴方向时，经过GaN基LED的准直光束将以与Si衬底平面成一定比例的角度偏转。该装置可用于定向照明，自由空间光通信以及机器人光学传感器等领域。
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绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数提取方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数的提取方法。首先，在某一适当区间内测得不同衬底电压下的击穿电压，根据测试结果绘制击穿电压随衬底电压变化曲线图，提取曲线峰值对应的最优衬底电压Vsub。对于SOI横向功率二极管，根据公式和若已知顶层硅浓度、顶层硅厚度和埋氧层厚度中的任意两项，即可提取第三项。对于体硅横向功率二极管，根据公式和若已知外延层浓度、外延层厚度和衬底浓度中的任意两项，即可提取第三项。本发明为SOI和体硅横向功率二极管结构参数的提取提供了一种简单、非破坏性和高精度的方法。
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一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器，包含平面型和“三明治”型两种结构。平面型紫外光传感器包括衬底、金属纳米线层、氧化锌纳米材料层；“三明治”结构包含顶电极层。制备时首先在柔性、透明的衬底上通过喷涂沉积一层金属纳米线导电薄膜为基底，然后用溶胶‑凝胶法在掩膜板覆盖的金属纳米线/衬底上生长一层氧化锌的晶种，再采用低温水热法在金属纳米线上生长氧化锌纳米材料层作为活性层，引出电极引线制得器件。本发明提出的紫外传感器的透光度大于50％，在0.5V操作电压下具有良好的灵敏度，而且具有工艺简单，成本低廉，易于大规模制备等特点。
找到217项技术成果数据。
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一种制备氧化钒薄膜的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种制备氧化钒薄膜的方法，包括①衬底表面清洗。②溅射钒膜：充入氩气至安放衬底的真空室，分别采用平行粒子束、聚焦粒子束清洗衬底和靶材；溅射镀制钒膜，直至镀膜结束。③氧化扩散和后退火：在氩气气氛下加热退火炉，升温后充入氧气，氧气和氩气的流量比为1∶10～10∶1；氧化钒膜，制备氧化钒薄膜；钒膜氧化充分后，关闭氧气阀，氧化钒膜在纯氩气中退火；退火结束后，关闭退火炉，在氩气环境内冷却至室温。该方法克服了反应离子溅射镀膜方法存在的内在缺陷，避免了粒子束对氧化钒膜结构的损伤，增强薄膜的致密性和与衬底的粘附性；不需要在溅射镀膜过程中严格控制反应气体流量，降低了方法难度，增加了方法的可重复性，能制备出具有不同化学配比、可满足多种需求的氧化钒薄膜。
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五氧化二钒光电探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种五氧化二钒光电探测器及其制备方法。光电探测器由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成，其中，五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列；方法是先使用水热法得到VO2(A)纳米线，再将VO2(A)纳米线和水混合后超声，得到VO2(A)纳米线分散液，之后，先将VO2(A)纳米线分散液滴加入氯仿中，待VO2(A)纳米线于氯仿表面自组装成定向有序排列的致密阵列后，使用衬底将其捞起，得到其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底，再将其退火后，于定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的两端安装电极，制得目的产物。它的暗电流和光电流以及两者间的差值均较大，极易于广泛地应用于光电探测领域。
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银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法。薄膜由衬底上依次覆有膜厚为80～120nm的银纳米线膜和100～1000nm的M相二氧化钒纳米颗粒膜组成，其中，构成银纳米线膜的银纳米线的线直径为40～100nm、线长为50～100μm，构成M相二氧化钒纳米颗粒膜的M相二氧化钒纳米颗粒的粒径为20～100nm；方法为先将浓度为0.3～1.5wt％的银纳米线异丙醇溶液旋涂或刮涂于衬底上，干燥后再将浓度为2～5wt％的M相二氧化钒纳米颗粒水或乙醇溶液旋涂或刮涂至其上覆有银纳米线膜的衬底的银纳米线膜上，制得目的产物。它的相变电压低，制备工艺便捷、成本低，可广泛地用于节能窗、气敏传感器、光电开关、热敏电阻、红外遥感接收器和非制冷焦平面辐射探测器等领域。
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一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①清洗衬底，吹干后备用；②利用化学气相沉积系统、弧光放电系统、激光烧蚀沉积系统反应器当中的一种，通过金属催化剂诱导，在清洁衬底的表面直接反应生长网状、或交错互联的碳纳米管膜；③把生长有碳纳米管膜的衬底放入抽为真空的反应器中，利用反应器生长一层氧化钒膜，所生长的氧化钒膜分散在碳纳米管的表面、以及管与管的间隙当中，退火，形成氧化钒-碳纳米管复合膜结构；④冷却至室温后，从反应器中取出；⑤根据需要，依次重复碳纳米管生长、氧化钒沉积、和退火步骤，形成氧化钒-碳纳米管多层复合膜结构。
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一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法，在异质外延衬底上生长第一铱金属层，以第一铱金属层为依托在第一铱金属层上生长第一金刚石层；保证生长的第一金刚石层与第一铱金属层不受晶格失配影响，在第一金刚石层上生长图形化的第二铱金属层，在图形化的第二铱金属层上生长第二金刚石层，第二金刚石层与第二铱金属层和第一金刚石层接触生长，此时第二金刚石层处于自由生长状态，没有晶格失配的影响，得到生长有两层金刚石层和两层铱金属层的异质外延衬底，将第二金刚石层与第一金刚石层和第二铱金属层分离即可得到单晶金刚石，以异质外延衬底为依托，进行单晶金刚石的生长，可以降低金刚石器件制作成本，有利于发挥出金刚石优异特性。
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一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，首先将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内，分别将Ar、H2等离子化对衬底进行轰击清洗，然后在20～30℃通入SiH4、NH3、H2混合气体，等离子化后在衬底上淀积a‑SiNx薄膜，通入O2氧化a‑SiNx薄膜形成a‑SiNxOy薄膜，在较低的温度下利用大氢稀释方法制备薄膜，降低了薄膜中的非辐射复合缺陷，从而降低其加压后的漏电流，提高其发光的功率效率，使其与同类薄膜电致发光器件相比发光效率有数量级的增强。
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一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法，属于磁性材料制备技术领域。本发明中采用了磁控溅射和高温氮化两步法来制备Fe3N多晶薄膜，所以在工艺比较简单可靠的前提下制备出厚度超过100纳米的Fe3N多晶薄膜，有利于Fe3N多晶薄膜的性能表征以及大批量生产。
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一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公布了一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法，包括透镜、量子阱GaN、P‑GaN、N‑GaN、EL电极、GaN基LED光源、静电MEMS微执行器、Si衬底。所述的基于GaN的LED光源是生长在Si衬底上，所述的透镜完全粘附在GaN基LED光源的正上方，所述的静电MEMS微执行器，包括由固定齿梳和可动齿梳构成的齿梳状结构，其中固定齿梳连接在Si衬底上，可动齿梳与GaN基LED光源固定在一起，LED光源在可动齿梳的正上方。通过施加电压，Si基GaN‑LED在梳齿驱动器的作用下，在Si衬底平面做横向移动。当GaN基LED平行移动到透镜的光轴方向时，经过GaN基LED的准直光束将以与Si衬底平面成一定比例的角度偏转。该装置可用于定向照明，自由空间光通信以及机器人光学传感器等领域。
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绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数提取方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数的提取方法。首先，在某一适当区间内测得不同衬底电压下的击穿电压，根据测试结果绘制击穿电压随衬底电压变化曲线图，提取曲线峰值对应的最优衬底电压Vsub。对于SOI横向功率二极管，根据公式和若已知顶层硅浓度、顶层硅厚度和埋氧层厚度中的任意两项，即可提取第三项。对于体硅横向功率二极管，根据公式和若已知外延层浓度、外延层厚度和衬底浓度中的任意两项，即可提取第三项。本发明为SOI和体硅横向功率二极管结构参数的提取提供了一种简单、非破坏性和高精度的方法。
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一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器，包含平面型和“三明治”型两种结构。平面型紫外光传感器包括衬底、金属纳米线层、氧化锌纳米材料层；“三明治”结构包含顶电极层。制备时首先在柔性、透明的衬底上通过喷涂沉积一层金属纳米线导电薄膜为基底，然后用溶胶‑凝胶法在掩膜板覆盖的金属纳米线/衬底上生长一层氧化锌的晶种，再采用低温水热法在金属纳米线上生长氧化锌纳米材料层作为活性层，引出电极引线制得器件。本发明提出的紫外传感器的透光度大于50％，在0.5V操作电压下具有良好的灵敏度，而且具有工艺简单，成本低廉，易于大规模制备等特点。
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一种制备氧化钒薄膜的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种制备氧化钒薄膜的方法，包括①衬底表面清洗。②溅射钒膜：充入氩气至安放衬底的真空室，分别采用平行粒子束、聚焦粒子束清洗衬底和靶材；溅射镀制钒膜，直至镀膜结束。③氧化扩散和后退火：在氩气气氛下加热退火炉，升温后充入氧气，氧气和氩气的流量比为1∶10～10∶1；氧化钒膜，制备氧化钒薄膜；钒膜氧化充分后，关闭氧气阀，氧化钒膜在纯氩气中退火；退火结束后，关闭退火炉，在氩气环境内冷却至室温。该方法克服了反应离子溅射镀膜方法存在的内在缺陷，避免了粒子束对氧化钒膜结构的损伤，增强薄膜的致密性和与衬底的粘附性；不需要在溅射镀膜过程中严格控制反应气体流量，降低了方法难度，增加了方法的可重复性，能制备出具有不同化学配比、可满足多种需求的氧化钒薄膜。
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五氧化二钒光电探测器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种五氧化二钒光电探测器及其制备方法。光电探测器由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成，其中，五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列；方法是先使用水热法得到VO2(A)纳米线，再将VO2(A)纳米线和水混合后超声，得到VO2(A)纳米线分散液，之后，先将VO2(A)纳米线分散液滴加入氯仿中，待VO2(A)纳米线于氯仿表面自组装成定向有序排列的致密阵列后，使用衬底将其捞起，得到其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底，再将其退火后，于定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的两端安装电极，制得目的产物。它的暗电流和光电流以及两者间的差值均较大，极易于广泛地应用于光电探测领域。
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银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法。薄膜由衬底上依次覆有膜厚为80～120nm的银纳米线膜和100～1000nm的M相二氧化钒纳米颗粒膜组成，其中，构成银纳米线膜的银纳米线的线直径为40～100nm、线长为50～100μm，构成M相二氧化钒纳米颗粒膜的M相二氧化钒纳米颗粒的粒径为20～100nm；方法为先将浓度为0.3～1.5wt％的银纳米线异丙醇溶液旋涂或刮涂于衬底上，干燥后再将浓度为2～5wt％的M相二氧化钒纳米颗粒水或乙醇溶液旋涂或刮涂至其上覆有银纳米线膜的衬底的银纳米线膜上，制得目的产物。它的相变电压低，制备工艺便捷、成本低，可广泛地用于节能窗、气敏传感器、光电开关、热敏电阻、红外遥感接收器和非制冷焦平面辐射探测器等领域。
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一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①清洗衬底，吹干后备用；②利用化学气相沉积系统、弧光放电系统、激光烧蚀沉积系统反应器当中的一种，通过金属催化剂诱导，在清洁衬底的表面直接反应生长网状、或交错互联的碳纳米管膜；③把生长有碳纳米管膜的衬底放入抽为真空的反应器中，利用反应器生长一层氧化钒膜，所生长的氧化钒膜分散在碳纳米管的表面、以及管与管的间隙当中，退火，形成氧化钒-碳纳米管复合膜结构；④冷却至室温后，从反应器中取出；⑤根据需要，依次重复碳纳米管生长、氧化钒沉积、和退火步骤，形成氧化钒-碳纳米管多层复合膜结构。
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一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法，在异质外延衬底上生长第一铱金属层，以第一铱金属层为依托在第一铱金属层上生长第一金刚石层；保证生长的第一金刚石层与第一铱金属层不受晶格失配影响，在第一金刚石层上生长图形化的第二铱金属层，在图形化的第二铱金属层上生长第二金刚石层，第二金刚石层与第二铱金属层和第一金刚石层接触生长，此时第二金刚石层处于自由生长状态，没有晶格失配的影响，得到生长有两层金刚石层和两层铱金属层的异质外延衬底，将第二金刚石层与第一金刚石层和第二铱金属层分离即可得到单晶金刚石，以异质外延衬底为依托，进行单晶金刚石的生长，可以降低金刚石器件制作成本，有利于发挥出金刚石优异特性。
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一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，首先将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内，分别将Ar、H2等离子化对衬底进行轰击清洗，然后在20～30℃通入SiH4、NH3、H2混合气体，等离子化后在衬底上淀积a‑SiNx薄膜，通入O2氧化a‑SiNx薄膜形成a‑SiNxOy薄膜，在较低的温度下利用大氢稀释方法制备薄膜，降低了薄膜中的非辐射复合缺陷，从而降低其加压后的漏电流，提高其发光的功率效率，使其与同类薄膜电致发光器件相比发光效率有数量级的增强。
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一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法，属于磁性材料制备技术领域。本发明中采用了磁控溅射和高温氮化两步法来制备Fe3N多晶薄膜，所以在工艺比较简单可靠的前提下制备出厚度超过100纳米的Fe3N多晶薄膜，有利于Fe3N多晶薄膜的性能表征以及大批量生产。
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一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公布了一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法，包括透镜、量子阱GaN、P‑GaN、N‑GaN、EL电极、GaN基LED光源、静电MEMS微执行器、Si衬底。所述的基于GaN的LED光源是生长在Si衬底上，所述的透镜完全粘附在GaN基LED光源的正上方，所述的静电MEMS微执行器，包括由固定齿梳和可动齿梳构成的齿梳状结构，其中固定齿梳连接在Si衬底上，可动齿梳与GaN基LED光源固定在一起，LED光源在可动齿梳的正上方。通过施加电压，Si基GaN‑LED在梳齿驱动器的作用下，在Si衬底平面做横向移动。当GaN基LED平行移动到透镜的光轴方向时，经过GaN基LED的准直光束将以与Si衬底平面成一定比例的角度偏转。该装置可用于定向照明，自由空间光通信以及机器人光学传感器等领域。
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绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数提取方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数的提取方法。首先，在某一适当区间内测得不同衬底电压下的击穿电压，根据测试结果绘制击穿电压随衬底电压变化曲线图，提取曲线峰值对应的最优衬底电压Vsub。对于SOI横向功率二极管，根据公式和若已知顶层硅浓度、顶层硅厚度和埋氧层厚度中的任意两项，即可提取第三项。对于体硅横向功率二极管，根据公式和若已知外延层浓度、外延层厚度和衬底浓度中的任意两项，即可提取第三项。本发明为SOI和体硅横向功率二极管结构参数的提取提供了一种简单、非破坏性和高精度的方法。
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一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器，包含平面型和“三明治”型两种结构。平面型紫外光传感器包括衬底、金属纳米线层、氧化锌纳米材料层；“三明治”结构包含顶电极层。制备时首先在柔性、透明的衬底上通过喷涂沉积一层金属纳米线导电薄膜为基底，然后用溶胶‑凝胶法在掩膜板覆盖的金属纳米线/衬底上生长一层氧化锌的晶种，再采用低温水热法在金属纳米线上生长氧化锌纳米材料层作为活性层，引出电极引线制得器件。本发明提出的紫外传感器的透光度大于50％，在0.5V操作电压下具有良好的灵敏度，而且具有工艺简单，成本低廉，易于大规模制备等特点。