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一种二硫化钼/铅钛合金纳米多层薄膜及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种位于基体表面的二硫化钼/铅钛合金纳米多层薄膜，自基体表面起，依次包括Ti过渡层、Ti与二硫化钼的梯度过渡层、二硫化钼和铅钛合金交替叠加形成的交替多层，以及二硫化钼表层。该薄膜具有良好的膜基结合强度与硬度，在空间真空环境下具有长寿命、良好的耐湿热氧化和抗原子氧性能，能够满足空间真空特殊环境下服役的装备(例如空间站太阳翼伸展机构等)的高可靠和长寿命服役需求，具有很好的应用价值。
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二维二硫化钼纳米材料的液相剥离方法、二硫化钼分散方法及应用
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种二维二硫化钼(MoS2)纳米材料的液相剥离方法、MoS2分散方法及应用。所述二硫化钼分散剂包括能够通过物理作用与二硫化钼结合而使二硫化钼稳定分散于常规溶剂等分散介质内的聚苯胺类导电高分子。本发明利用成本低廉的聚苯胺类导电高分子作为二硫化钼分散剂，并将该分散剂与二硫化钼在分散介质中简单混合，通过两者之间的物理相互作用，即可通过简单的液相剥离方法获得二硫化钼二维纳米片，其无损于二硫化钼的物理结构和化学性能，操作过程简单，利于大规模实施，且剥离的二硫化钼二维纳米片在半导体、能源、耐磨润滑涂料、复合材料等领域具有广阔的应用前景。
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一种掺氮二硫化钼载铂光催化剂及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种掺氮二硫化钼载铂光催化剂及其制备方法，该方法首先选择钼酸钠和硫代乙酰胺作为原料，采用水热法制备二硫化钼纳米片；然后将二硫化钼纳米片在氨气气氛下热处理，得到掺氮二硫化钼纳米片，最后将掺氮二硫化钼纳米片以光还原法负载贵金属铂，即得掺氮二硫化钼载铂光催化剂。本发明制备的掺氮二硫化钼载铂光催化剂首次实现了以二硫化钼作为光催化剂，进行可见光光催化分解水制氢。本发明制得的掺氮二硫化钼载铂光催化剂具有优良的可见光光催化制氢能力，并且具有良好的稳定性。本发明操作简单，重复性好，扩展了二硫化钼在光催化方面的应用以及电化学方面的应用。
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一种超声辅助化学插层制备二硫化钼纳米片的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种超声辅助化学插层的制备二硫化钼纳米片的方法，属于二硫化钼纳米片制备领域。本发明方法包括如下步骤：将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下，室温下超声反应，得到锂插层的二硫化钼。向反应物中加入超纯水，将二硫化钼块体材料进行化学剥离，得到单层的二硫化钼纳米片，加入无水乙醇清洗，通过超纯水分散，高速离心分离后，得到可在水中分散的单层二硫化钼纳米片材料。本发明提供的二硫化钼纳米片制备方法，相对于传统的通过化学插层制备二硫化钼纳米片的方法，具有反应速度快、反应产率高、剥离效果好、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产的特点。
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水热法制备硫醇修饰的片层二硫化钼的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供一种硫醇修饰的MoS2纳米片层材料的制备方法，具体实施方案如下（1）水溶性钼源前驱体的制备。将一定量的MoO2(ACAC)2溶解在SHCH2COOH水溶液中，并加热至100℃恒温1小时，逐滴加入NaOH溶液调节pH至11.0；（2）表面修饰片层二硫化钼材料的制备。将一定量的Na2S与上述溶液混合，转移至高温反应釜中反应；（3）纯化。将反应得到的溶液透析一段时间后，得到硫醇修饰的二硫化钼片层纳米片层材料。本发明为片层MoS2材料的表面修饰提供了一种简易可行、操作便捷的方法。
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一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法，其包括如下步骤（1）将一定量的含硫混合物和三氧化钼模板分别放置在两个托盘中，然后将两个所述托盘分别放入双温区管式炉的两个温区内；（2）将放置三氧化钼模板的温区升温至200℃‑1500℃，并保温1min‑5h；（3）同时将放置含硫混合物的温区升温至100℃‑900℃，并保温1min‑5h；（4）保温结束后停止加热，待所述双温区管式炉的炉膛降温后则可得到位于二氧化钼纳米片边缘的二硫化钼纳米条带。本发明生产设备更加简单，与现有的物理制备方法相比，不需要昂贵的电子束（离子束）设备，成本低廉；产物二硫化钼纳米条带性质稳定，并且条带的厚度可控。
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二硫化钼/聚苯胺复合材料、制备方法及锂离子电池
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种二硫化钼/聚苯胺复合材料及其制备方法、锂离子电池负极和锂离子电池。该二硫化钼/聚苯胺复合材料制备方法包括制备分散有钼酸盐的聚苯胺、将分散有钼酸盐的聚苯胺与硫源进行水热反应等步骤。本发明二硫化钼/聚苯胺复合材料的制备方法制备的二硫化钼/聚苯胺复合材料结构稳定，导电性能好，其作为锂离子电池负极材料应用于锂离子电池时，赋予器件优异的倍率性能和循环稳定性能，且储锂容量高。
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二硫化钼自润滑复合涂层及覆有该复合涂层的活塞环
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种利用撞击流和光学散射力的光流控芯片及用于分拣微纳颗粒的用途，属于光流控芯片领域。 光流控芯片包括圆柱形光学分离腔，在光学分离腔一侧通过撞击流沟道与撞击流入口连接，另一侧有辅助流入口与样品流入口，辅助流沟道与样品流沟道合并后的沟道的中心线与撞击流沟道的中心线在同一直线上，辅助流沟道与样品流沟道合并后的沟道两侧分别通过鞘层流沟道与鞘层流入口连接，然后与光学分离腔连接；在光学分离腔上还有带准直透镜的光纤槽，和大粒子出口、小粒子出口。本光流控芯片装置光学分拣腔的中心形成一个速度极小值点，以供光学散射力在此对粒子进行分拣。大大提高了光力分拣操作的平均速度，提高了分拣的精度和效率。
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镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法。具体是以金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备金层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积ECR‑PEMOCVD方法，依次进行氢等离子体清洗金层、制备MoxW1‑xS2层、制备AlyGazIn1‑y‑zN缓冲层和制备AlyGazIn1‑y‑zN外延层。可在廉价的多晶甚至非晶金属衬底上制备出高晶体质量的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜。所制备的氮化铝镓铟/二硫化钼膜可直接作为GaN基器件的模板衬底等使用，具有广泛的应用前景。
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一种二硫化钼/钒酸银可见光复合光催化剂及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种二硫化钼/钒酸银可见光复合光催化剂及其制备方法，属于复合材料和环境治理中光催化技术领域。该材料由质量比为1:99～10:90的MoS2和Ag3VO4复合而成；MoS2颗粒均匀的分散在Ag3VO4表面形成异质结结构。本发明将类石墨烯二硫化钼置于水溶液中超声分散，得到类石墨烯二硫化钼的分散液A；将硝酸银固体颗粒加入所得分散液A中，在水浴控温的情况下，遮光搅拌至硝酸银充分溶解,得到分散液B；将已经配好的钒酸钠水溶液逐滴缓慢加入到所得分散液B中，滴加完成后继续遮光搅拌，得到产物。该复合光催化剂在可见光下对亚甲基蓝具有很好的降解效果，且制备过程均在室温下进行，能耗低，成本低廉，合成条件为室温，易实现，有利于大规模制备。
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一种二硫化钼/铅钛合金纳米多层薄膜及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种位于基体表面的二硫化钼/铅钛合金纳米多层薄膜，自基体表面起，依次包括Ti过渡层、Ti与二硫化钼的梯度过渡层、二硫化钼和铅钛合金交替叠加形成的交替多层，以及二硫化钼表层。该薄膜具有良好的膜基结合强度与硬度，在空间真空环境下具有长寿命、良好的耐湿热氧化和抗原子氧性能，能够满足空间真空特殊环境下服役的装备(例如空间站太阳翼伸展机构等)的高可靠和长寿命服役需求，具有很好的应用价值。
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二维二硫化钼纳米材料的液相剥离方法、二硫化钼分散方法及应用
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种二维二硫化钼(MoS2)纳米材料的液相剥离方法、MoS2分散方法及应用。所述二硫化钼分散剂包括能够通过物理作用与二硫化钼结合而使二硫化钼稳定分散于常规溶剂等分散介质内的聚苯胺类导电高分子。本发明利用成本低廉的聚苯胺类导电高分子作为二硫化钼分散剂，并将该分散剂与二硫化钼在分散介质中简单混合，通过两者之间的物理相互作用，即可通过简单的液相剥离方法获得二硫化钼二维纳米片，其无损于二硫化钼的物理结构和化学性能，操作过程简单，利于大规模实施，且剥离的二硫化钼二维纳米片在半导体、能源、耐磨润滑涂料、复合材料等领域具有广阔的应用前景。
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一种掺氮二硫化钼载铂光催化剂及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种掺氮二硫化钼载铂光催化剂及其制备方法，该方法首先选择钼酸钠和硫代乙酰胺作为原料，采用水热法制备二硫化钼纳米片；然后将二硫化钼纳米片在氨气气氛下热处理，得到掺氮二硫化钼纳米片，最后将掺氮二硫化钼纳米片以光还原法负载贵金属铂，即得掺氮二硫化钼载铂光催化剂。本发明制备的掺氮二硫化钼载铂光催化剂首次实现了以二硫化钼作为光催化剂，进行可见光光催化分解水制氢。本发明制得的掺氮二硫化钼载铂光催化剂具有优良的可见光光催化制氢能力，并且具有良好的稳定性。本发明操作简单，重复性好，扩展了二硫化钼在光催化方面的应用以及电化学方面的应用。
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一种超声辅助化学插层制备二硫化钼纳米片的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种超声辅助化学插层的制备二硫化钼纳米片的方法，属于二硫化钼纳米片制备领域。本发明方法包括如下步骤：将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下，室温下超声反应，得到锂插层的二硫化钼。向反应物中加入超纯水，将二硫化钼块体材料进行化学剥离，得到单层的二硫化钼纳米片，加入无水乙醇清洗，通过超纯水分散，高速离心分离后，得到可在水中分散的单层二硫化钼纳米片材料。本发明提供的二硫化钼纳米片制备方法，相对于传统的通过化学插层制备二硫化钼纳米片的方法，具有反应速度快、反应产率高、剥离效果好、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产的特点。
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水热法制备硫醇修饰的片层二硫化钼的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供一种硫醇修饰的MoS2纳米片层材料的制备方法，具体实施方案如下（1）水溶性钼源前驱体的制备。将一定量的MoO2(ACAC)2溶解在SHCH2COOH水溶液中，并加热至100℃恒温1小时，逐滴加入NaOH溶液调节pH至11.0；（2）表面修饰片层二硫化钼材料的制备。将一定量的Na2S与上述溶液混合，转移至高温反应釜中反应；（3）纯化。将反应得到的溶液透析一段时间后，得到硫醇修饰的二硫化钼片层纳米片层材料。本发明为片层MoS2材料的表面修饰提供了一种简易可行、操作便捷的方法。
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一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法，其包括如下步骤（1）将一定量的含硫混合物和三氧化钼模板分别放置在两个托盘中，然后将两个所述托盘分别放入双温区管式炉的两个温区内；（2）将放置三氧化钼模板的温区升温至200℃‑1500℃，并保温1min‑5h；（3）同时将放置含硫混合物的温区升温至100℃‑900℃，并保温1min‑5h；（4）保温结束后停止加热，待所述双温区管式炉的炉膛降温后则可得到位于二氧化钼纳米片边缘的二硫化钼纳米条带。本发明生产设备更加简单，与现有的物理制备方法相比，不需要昂贵的电子束（离子束）设备，成本低廉；产物二硫化钼纳米条带性质稳定，并且条带的厚度可控。
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二硫化钼/聚苯胺复合材料、制备方法及锂离子电池
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种二硫化钼/聚苯胺复合材料及其制备方法、锂离子电池负极和锂离子电池。该二硫化钼/聚苯胺复合材料制备方法包括制备分散有钼酸盐的聚苯胺、将分散有钼酸盐的聚苯胺与硫源进行水热反应等步骤。本发明二硫化钼/聚苯胺复合材料的制备方法制备的二硫化钼/聚苯胺复合材料结构稳定，导电性能好，其作为锂离子电池负极材料应用于锂离子电池时，赋予器件优异的倍率性能和循环稳定性能，且储锂容量高。
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二硫化钼自润滑复合涂层及覆有该复合涂层的活塞环
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种利用撞击流和光学散射力的光流控芯片及用于分拣微纳颗粒的用途，属于光流控芯片领域。 光流控芯片包括圆柱形光学分离腔，在光学分离腔一侧通过撞击流沟道与撞击流入口连接，另一侧有辅助流入口与样品流入口，辅助流沟道与样品流沟道合并后的沟道的中心线与撞击流沟道的中心线在同一直线上，辅助流沟道与样品流沟道合并后的沟道两侧分别通过鞘层流沟道与鞘层流入口连接，然后与光学分离腔连接；在光学分离腔上还有带准直透镜的光纤槽，和大粒子出口、小粒子出口。本光流控芯片装置光学分拣腔的中心形成一个速度极小值点，以供光学散射力在此对粒子进行分拣。大大提高了光力分拣操作的平均速度，提高了分拣的精度和效率。
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镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法。具体是以金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备金层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积ECR‑PEMOCVD方法，依次进行氢等离子体清洗金层、制备MoxW1‑xS2层、制备AlyGazIn1‑y‑zN缓冲层和制备AlyGazIn1‑y‑zN外延层。可在廉价的多晶甚至非晶金属衬底上制备出高晶体质量的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜。所制备的氮化铝镓铟/二硫化钼膜可直接作为GaN基器件的模板衬底等使用，具有广泛的应用前景。
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一种二硫化钼/钒酸银可见光复合光催化剂及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种二硫化钼/钒酸银可见光复合光催化剂及其制备方法，属于复合材料和环境治理中光催化技术领域。该材料由质量比为1:99～10:90的MoS2和Ag3VO4复合而成；MoS2颗粒均匀的分散在Ag3VO4表面形成异质结结构。本发明将类石墨烯二硫化钼置于水溶液中超声分散，得到类石墨烯二硫化钼的分散液A；将硝酸银固体颗粒加入所得分散液A中，在水浴控温的情况下，遮光搅拌至硝酸银充分溶解,得到分散液B；将已经配好的钒酸钠水溶液逐滴缓慢加入到所得分散液B中，滴加完成后继续遮光搅拌，得到产物。该复合光催化剂在可见光下对亚甲基蓝具有很好的降解效果，且制备过程均在室温下进行，能耗低，成本低廉，合成条件为室温，易实现，有利于大规模制备。
找到36项技术成果数据。
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一种二硫化钼/铅钛合金纳米多层薄膜及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种位于基体表面的二硫化钼/铅钛合金纳米多层薄膜，自基体表面起，依次包括Ti过渡层、Ti与二硫化钼的梯度过渡层、二硫化钼和铅钛合金交替叠加形成的交替多层，以及二硫化钼表层。该薄膜具有良好的膜基结合强度与硬度，在空间真空环境下具有长寿命、良好的耐湿热氧化和抗原子氧性能，能够满足空间真空特殊环境下服役的装备(例如空间站太阳翼伸展机构等)的高可靠和长寿命服役需求，具有很好的应用价值。
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二维二硫化钼纳米材料的液相剥离方法、二硫化钼分散方法及应用
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种二维二硫化钼(MoS2)纳米材料的液相剥离方法、MoS2分散方法及应用。所述二硫化钼分散剂包括能够通过物理作用与二硫化钼结合而使二硫化钼稳定分散于常规溶剂等分散介质内的聚苯胺类导电高分子。本发明利用成本低廉的聚苯胺类导电高分子作为二硫化钼分散剂，并将该分散剂与二硫化钼在分散介质中简单混合，通过两者之间的物理相互作用，即可通过简单的液相剥离方法获得二硫化钼二维纳米片，其无损于二硫化钼的物理结构和化学性能，操作过程简单，利于大规模实施，且剥离的二硫化钼二维纳米片在半导体、能源、耐磨润滑涂料、复合材料等领域具有广阔的应用前景。
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一种掺氮二硫化钼载铂光催化剂及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种掺氮二硫化钼载铂光催化剂及其制备方法，该方法首先选择钼酸钠和硫代乙酰胺作为原料，采用水热法制备二硫化钼纳米片；然后将二硫化钼纳米片在氨气气氛下热处理，得到掺氮二硫化钼纳米片，最后将掺氮二硫化钼纳米片以光还原法负载贵金属铂，即得掺氮二硫化钼载铂光催化剂。本发明制备的掺氮二硫化钼载铂光催化剂首次实现了以二硫化钼作为光催化剂，进行可见光光催化分解水制氢。本发明制得的掺氮二硫化钼载铂光催化剂具有优良的可见光光催化制氢能力，并且具有良好的稳定性。本发明操作简单，重复性好，扩展了二硫化钼在光催化方面的应用以及电化学方面的应用。
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一种超声辅助化学插层制备二硫化钼纳米片的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种超声辅助化学插层的制备二硫化钼纳米片的方法，属于二硫化钼纳米片制备领域。本发明方法包括如下步骤：将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下，室温下超声反应，得到锂插层的二硫化钼。向反应物中加入超纯水，将二硫化钼块体材料进行化学剥离，得到单层的二硫化钼纳米片，加入无水乙醇清洗，通过超纯水分散，高速离心分离后，得到可在水中分散的单层二硫化钼纳米片材料。本发明提供的二硫化钼纳米片制备方法，相对于传统的通过化学插层制备二硫化钼纳米片的方法，具有反应速度快、反应产率高、剥离效果好、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产的特点。
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水热法制备硫醇修饰的片层二硫化钼的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供一种硫醇修饰的MoS2纳米片层材料的制备方法，具体实施方案如下（1）水溶性钼源前驱体的制备。将一定量的MoO2(ACAC)2溶解在SHCH2COOH水溶液中，并加热至100℃恒温1小时，逐滴加入NaOH溶液调节pH至11.0；（2）表面修饰片层二硫化钼材料的制备。将一定量的Na2S与上述溶液混合，转移至高温反应釜中反应；（3）纯化。将反应得到的溶液透析一段时间后，得到硫醇修饰的二硫化钼片层纳米片层材料。本发明为片层MoS2材料的表面修饰提供了一种简易可行、操作便捷的方法。
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一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法，其包括如下步骤（1）将一定量的含硫混合物和三氧化钼模板分别放置在两个托盘中，然后将两个所述托盘分别放入双温区管式炉的两个温区内；（2）将放置三氧化钼模板的温区升温至200℃‑1500℃，并保温1min‑5h；（3）同时将放置含硫混合物的温区升温至100℃‑900℃，并保温1min‑5h；（4）保温结束后停止加热，待所述双温区管式炉的炉膛降温后则可得到位于二氧化钼纳米片边缘的二硫化钼纳米条带。本发明生产设备更加简单，与现有的物理制备方法相比，不需要昂贵的电子束（离子束）设备，成本低廉；产物二硫化钼纳米条带性质稳定，并且条带的厚度可控。
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二硫化钼/聚苯胺复合材料、制备方法及锂离子电池
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种二硫化钼/聚苯胺复合材料及其制备方法、锂离子电池负极和锂离子电池。该二硫化钼/聚苯胺复合材料制备方法包括制备分散有钼酸盐的聚苯胺、将分散有钼酸盐的聚苯胺与硫源进行水热反应等步骤。本发明二硫化钼/聚苯胺复合材料的制备方法制备的二硫化钼/聚苯胺复合材料结构稳定，导电性能好，其作为锂离子电池负极材料应用于锂离子电池时，赋予器件优异的倍率性能和循环稳定性能，且储锂容量高。
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二硫化钼自润滑复合涂层及覆有该复合涂层的活塞环
成熟度：正在研发
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应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种利用撞击流和光学散射力的光流控芯片及用于分拣微纳颗粒的用途，属于光流控芯片领域。 光流控芯片包括圆柱形光学分离腔，在光学分离腔一侧通过撞击流沟道与撞击流入口连接，另一侧有辅助流入口与样品流入口，辅助流沟道与样品流沟道合并后的沟道的中心线与撞击流沟道的中心线在同一直线上，辅助流沟道与样品流沟道合并后的沟道两侧分别通过鞘层流沟道与鞘层流入口连接，然后与光学分离腔连接；在光学分离腔上还有带准直透镜的光纤槽，和大粒子出口、小粒子出口。本光流控芯片装置光学分拣腔的中心形成一个速度极小值点，以供光学散射力在此对粒子进行分拣。大大提高了光力分拣操作的平均速度，提高了分拣的精度和效率。
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镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法。具体是以金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备金层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积ECR‑PEMOCVD方法，依次进行氢等离子体清洗金层、制备MoxW1‑xS2层、制备AlyGazIn1‑y‑zN缓冲层和制备AlyGazIn1‑y‑zN外延层。可在廉价的多晶甚至非晶金属衬底上制备出高晶体质量的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜。所制备的氮化铝镓铟/二硫化钼膜可直接作为GaN基器件的模板衬底等使用，具有广泛的应用前景。
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一种二硫化钼/钒酸银可见光复合光催化剂及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种二硫化钼/钒酸银可见光复合光催化剂及其制备方法，属于复合材料和环境治理中光催化技术领域。该材料由质量比为1:99～10:90的MoS2和Ag3VO4复合而成；MoS2颗粒均匀的分散在Ag3VO4表面形成异质结结构。本发明将类石墨烯二硫化钼置于水溶液中超声分散，得到类石墨烯二硫化钼的分散液A；将硝酸银固体颗粒加入所得分散液A中，在水浴控温的情况下，遮光搅拌至硝酸银充分溶解,得到分散液B；将已经配好的钒酸钠水溶液逐滴缓慢加入到所得分散液B中，滴加完成后继续遮光搅拌，得到产物。该复合光催化剂在可见光下对亚甲基蓝具有很好的降解效果，且制备过程均在室温下进行，能耗低，成本低廉，合成条件为室温，易实现，有利于大规模制备。
找到36项技术成果数据。
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一种二硫化钼/铅钛合金纳米多层薄膜及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种位于基体表面的二硫化钼/铅钛合金纳米多层薄膜，自基体表面起，依次包括Ti过渡层、Ti与二硫化钼的梯度过渡层、二硫化钼和铅钛合金交替叠加形成的交替多层，以及二硫化钼表层。该薄膜具有良好的膜基结合强度与硬度，在空间真空环境下具有长寿命、良好的耐湿热氧化和抗原子氧性能，能够满足空间真空特殊环境下服役的装备(例如空间站太阳翼伸展机构等)的高可靠和长寿命服役需求，具有很好的应用价值。
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二维二硫化钼纳米材料的液相剥离方法、二硫化钼分散方法及应用
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种二维二硫化钼(MoS2)纳米材料的液相剥离方法、MoS2分散方法及应用。所述二硫化钼分散剂包括能够通过物理作用与二硫化钼结合而使二硫化钼稳定分散于常规溶剂等分散介质内的聚苯胺类导电高分子。本发明利用成本低廉的聚苯胺类导电高分子作为二硫化钼分散剂，并将该分散剂与二硫化钼在分散介质中简单混合，通过两者之间的物理相互作用，即可通过简单的液相剥离方法获得二硫化钼二维纳米片，其无损于二硫化钼的物理结构和化学性能，操作过程简单，利于大规模实施，且剥离的二硫化钼二维纳米片在半导体、能源、耐磨润滑涂料、复合材料等领域具有广阔的应用前景。
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一种掺氮二硫化钼载铂光催化剂及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种掺氮二硫化钼载铂光催化剂及其制备方法，该方法首先选择钼酸钠和硫代乙酰胺作为原料，采用水热法制备二硫化钼纳米片；然后将二硫化钼纳米片在氨气气氛下热处理，得到掺氮二硫化钼纳米片，最后将掺氮二硫化钼纳米片以光还原法负载贵金属铂，即得掺氮二硫化钼载铂光催化剂。本发明制备的掺氮二硫化钼载铂光催化剂首次实现了以二硫化钼作为光催化剂，进行可见光光催化分解水制氢。本发明制得的掺氮二硫化钼载铂光催化剂具有优良的可见光光催化制氢能力，并且具有良好的稳定性。本发明操作简单，重复性好，扩展了二硫化钼在光催化方面的应用以及电化学方面的应用。
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一种超声辅助化学插层制备二硫化钼纳米片的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种超声辅助化学插层的制备二硫化钼纳米片的方法，属于二硫化钼纳米片制备领域。本发明方法包括如下步骤：将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下，室温下超声反应，得到锂插层的二硫化钼。向反应物中加入超纯水，将二硫化钼块体材料进行化学剥离，得到单层的二硫化钼纳米片，加入无水乙醇清洗，通过超纯水分散，高速离心分离后，得到可在水中分散的单层二硫化钼纳米片材料。本发明提供的二硫化钼纳米片制备方法，相对于传统的通过化学插层制备二硫化钼纳米片的方法，具有反应速度快、反应产率高、剥离效果好、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产的特点。
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水热法制备硫醇修饰的片层二硫化钼的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供一种硫醇修饰的MoS2纳米片层材料的制备方法，具体实施方案如下（1）水溶性钼源前驱体的制备。将一定量的MoO2(ACAC)2溶解在SHCH2COOH水溶液中，并加热至100℃恒温1小时，逐滴加入NaOH溶液调节pH至11.0；（2）表面修饰片层二硫化钼材料的制备。将一定量的Na2S与上述溶液混合，转移至高温反应釜中反应；（3）纯化。将反应得到的溶液透析一段时间后，得到硫醇修饰的二硫化钼片层纳米片层材料。本发明为片层MoS2材料的表面修饰提供了一种简易可行、操作便捷的方法。
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一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法，其包括如下步骤（1）将一定量的含硫混合物和三氧化钼模板分别放置在两个托盘中，然后将两个所述托盘分别放入双温区管式炉的两个温区内；（2）将放置三氧化钼模板的温区升温至200℃‑1500℃，并保温1min‑5h；（3）同时将放置含硫混合物的温区升温至100℃‑900℃，并保温1min‑5h；（4）保温结束后停止加热，待所述双温区管式炉的炉膛降温后则可得到位于二氧化钼纳米片边缘的二硫化钼纳米条带。本发明生产设备更加简单，与现有的物理制备方法相比，不需要昂贵的电子束（离子束）设备，成本低廉；产物二硫化钼纳米条带性质稳定，并且条带的厚度可控。
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二硫化钼/聚苯胺复合材料、制备方法及锂离子电池
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种二硫化钼/聚苯胺复合材料及其制备方法、锂离子电池负极和锂离子电池。该二硫化钼/聚苯胺复合材料制备方法包括制备分散有钼酸盐的聚苯胺、将分散有钼酸盐的聚苯胺与硫源进行水热反应等步骤。本发明二硫化钼/聚苯胺复合材料的制备方法制备的二硫化钼/聚苯胺复合材料结构稳定，导电性能好，其作为锂离子电池负极材料应用于锂离子电池时，赋予器件优异的倍率性能和循环稳定性能，且储锂容量高。
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二硫化钼自润滑复合涂层及覆有该复合涂层的活塞环
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种利用撞击流和光学散射力的光流控芯片及用于分拣微纳颗粒的用途，属于光流控芯片领域。 光流控芯片包括圆柱形光学分离腔，在光学分离腔一侧通过撞击流沟道与撞击流入口连接，另一侧有辅助流入口与样品流入口，辅助流沟道与样品流沟道合并后的沟道的中心线与撞击流沟道的中心线在同一直线上，辅助流沟道与样品流沟道合并后的沟道两侧分别通过鞘层流沟道与鞘层流入口连接，然后与光学分离腔连接；在光学分离腔上还有带准直透镜的光纤槽，和大粒子出口、小粒子出口。本光流控芯片装置光学分拣腔的中心形成一个速度极小值点，以供光学散射力在此对粒子进行分拣。大大提高了光力分拣操作的平均速度，提高了分拣的精度和效率。
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镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法。具体是以金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备金层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积ECR‑PEMOCVD方法，依次进行氢等离子体清洗金层、制备MoxW1‑xS2层、制备AlyGazIn1‑y‑zN缓冲层和制备AlyGazIn1‑y‑zN外延层。可在廉价的多晶甚至非晶金属衬底上制备出高晶体质量的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜。所制备的氮化铝镓铟/二硫化钼膜可直接作为GaN基器件的模板衬底等使用，具有广泛的应用前景。
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一种二硫化钼/钒酸银可见光复合光催化剂及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种二硫化钼/钒酸银可见光复合光催化剂及其制备方法，属于复合材料和环境治理中光催化技术领域。该材料由质量比为1:99～10:90的MoS2和Ag3VO4复合而成；MoS2颗粒均匀的分散在Ag3VO4表面形成异质结结构。本发明将类石墨烯二硫化钼置于水溶液中超声分散，得到类石墨烯二硫化钼的分散液A；将硝酸银固体颗粒加入所得分散液A中，在水浴控温的情况下，遮光搅拌至硝酸银充分溶解,得到分散液B；将已经配好的钒酸钠水溶液逐滴缓慢加入到所得分散液B中，滴加完成后继续遮光搅拌，得到产物。该复合光催化剂在可见光下对亚甲基蓝具有很好的降解效果，且制备过程均在室温下进行，能耗低，成本低廉，合成条件为室温，易实现，有利于大规模制备。
找到36项技术成果数据。
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一种二硫化钼/铅钛合金纳米多层薄膜及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种位于基体表面的二硫化钼/铅钛合金纳米多层薄膜，自基体表面起，依次包括Ti过渡层、Ti与二硫化钼的梯度过渡层、二硫化钼和铅钛合金交替叠加形成的交替多层，以及二硫化钼表层。该薄膜具有良好的膜基结合强度与硬度，在空间真空环境下具有长寿命、良好的耐湿热氧化和抗原子氧性能，能够满足空间真空特殊环境下服役的装备(例如空间站太阳翼伸展机构等)的高可靠和长寿命服役需求，具有很好的应用价值。
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二维二硫化钼纳米材料的液相剥离方法、二硫化钼分散方法及应用
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种二维二硫化钼(MoS2)纳米材料的液相剥离方法、MoS2分散方法及应用。所述二硫化钼分散剂包括能够通过物理作用与二硫化钼结合而使二硫化钼稳定分散于常规溶剂等分散介质内的聚苯胺类导电高分子。本发明利用成本低廉的聚苯胺类导电高分子作为二硫化钼分散剂，并将该分散剂与二硫化钼在分散介质中简单混合，通过两者之间的物理相互作用，即可通过简单的液相剥离方法获得二硫化钼二维纳米片，其无损于二硫化钼的物理结构和化学性能，操作过程简单，利于大规模实施，且剥离的二硫化钼二维纳米片在半导体、能源、耐磨润滑涂料、复合材料等领域具有广阔的应用前景。
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一种掺氮二硫化钼载铂光催化剂及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种掺氮二硫化钼载铂光催化剂及其制备方法，该方法首先选择钼酸钠和硫代乙酰胺作为原料，采用水热法制备二硫化钼纳米片；然后将二硫化钼纳米片在氨气气氛下热处理，得到掺氮二硫化钼纳米片，最后将掺氮二硫化钼纳米片以光还原法负载贵金属铂，即得掺氮二硫化钼载铂光催化剂。本发明制备的掺氮二硫化钼载铂光催化剂首次实现了以二硫化钼作为光催化剂，进行可见光光催化分解水制氢。本发明制得的掺氮二硫化钼载铂光催化剂具有优良的可见光光催化制氢能力，并且具有良好的稳定性。本发明操作简单，重复性好，扩展了二硫化钼在光催化方面的应用以及电化学方面的应用。
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一种超声辅助化学插层制备二硫化钼纳米片的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种超声辅助化学插层的制备二硫化钼纳米片的方法，属于二硫化钼纳米片制备领域。本发明方法包括如下步骤：将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下，室温下超声反应，得到锂插层的二硫化钼。向反应物中加入超纯水，将二硫化钼块体材料进行化学剥离，得到单层的二硫化钼纳米片，加入无水乙醇清洗，通过超纯水分散，高速离心分离后，得到可在水中分散的单层二硫化钼纳米片材料。本发明提供的二硫化钼纳米片制备方法，相对于传统的通过化学插层制备二硫化钼纳米片的方法，具有反应速度快、反应产率高、剥离效果好、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产的特点。
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水热法制备硫醇修饰的片层二硫化钼的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供一种硫醇修饰的MoS2纳米片层材料的制备方法，具体实施方案如下（1）水溶性钼源前驱体的制备。将一定量的MoO2(ACAC)2溶解在SHCH2COOH水溶液中，并加热至100℃恒温1小时，逐滴加入NaOH溶液调节pH至11.0；（2）表面修饰片层二硫化钼材料的制备。将一定量的Na2S与上述溶液混合，转移至高温反应釜中反应；（3）纯化。将反应得到的溶液透析一段时间后，得到硫醇修饰的二硫化钼片层纳米片层材料。本发明为片层MoS2材料的表面修饰提供了一种简易可行、操作便捷的方法。
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一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法，其包括如下步骤（1）将一定量的含硫混合物和三氧化钼模板分别放置在两个托盘中，然后将两个所述托盘分别放入双温区管式炉的两个温区内；（2）将放置三氧化钼模板的温区升温至200℃‑1500℃，并保温1min‑5h；（3）同时将放置含硫混合物的温区升温至100℃‑900℃，并保温1min‑5h；（4）保温结束后停止加热，待所述双温区管式炉的炉膛降温后则可得到位于二氧化钼纳米片边缘的二硫化钼纳米条带。本发明生产设备更加简单，与现有的物理制备方法相比，不需要昂贵的电子束（离子束）设备，成本低廉；产物二硫化钼纳米条带性质稳定，并且条带的厚度可控。
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二硫化钼/聚苯胺复合材料、制备方法及锂离子电池
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种二硫化钼/聚苯胺复合材料及其制备方法、锂离子电池负极和锂离子电池。该二硫化钼/聚苯胺复合材料制备方法包括制备分散有钼酸盐的聚苯胺、将分散有钼酸盐的聚苯胺与硫源进行水热反应等步骤。本发明二硫化钼/聚苯胺复合材料的制备方法制备的二硫化钼/聚苯胺复合材料结构稳定，导电性能好，其作为锂离子电池负极材料应用于锂离子电池时，赋予器件优异的倍率性能和循环稳定性能，且储锂容量高。
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二硫化钼自润滑复合涂层及覆有该复合涂层的活塞环
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种利用撞击流和光学散射力的光流控芯片及用于分拣微纳颗粒的用途，属于光流控芯片领域。 光流控芯片包括圆柱形光学分离腔，在光学分离腔一侧通过撞击流沟道与撞击流入口连接，另一侧有辅助流入口与样品流入口，辅助流沟道与样品流沟道合并后的沟道的中心线与撞击流沟道的中心线在同一直线上，辅助流沟道与样品流沟道合并后的沟道两侧分别通过鞘层流沟道与鞘层流入口连接，然后与光学分离腔连接；在光学分离腔上还有带准直透镜的光纤槽，和大粒子出口、小粒子出口。本光流控芯片装置光学分拣腔的中心形成一个速度极小值点，以供光学散射力在此对粒子进行分拣。大大提高了光力分拣操作的平均速度，提高了分拣的精度和效率。
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镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法。具体是以金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备金层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积ECR‑PEMOCVD方法，依次进行氢等离子体清洗金层、制备MoxW1‑xS2层、制备AlyGazIn1‑y‑zN缓冲层和制备AlyGazIn1‑y‑zN外延层。可在廉价的多晶甚至非晶金属衬底上制备出高晶体质量的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜。所制备的氮化铝镓铟/二硫化钼膜可直接作为GaN基器件的模板衬底等使用，具有广泛的应用前景。
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一种二硫化钼/钒酸银可见光复合光催化剂及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种二硫化钼/钒酸银可见光复合光催化剂及其制备方法，属于复合材料和环境治理中光催化技术领域。该材料由质量比为1:99～10:90的MoS2和Ag3VO4复合而成；MoS2颗粒均匀的分散在Ag3VO4表面形成异质结结构。本发明将类石墨烯二硫化钼置于水溶液中超声分散，得到类石墨烯二硫化钼的分散液A；将硝酸银固体颗粒加入所得分散液A中，在水浴控温的情况下，遮光搅拌至硝酸银充分溶解,得到分散液B；将已经配好的钒酸钠水溶液逐滴缓慢加入到所得分散液B中，滴加完成后继续遮光搅拌，得到产物。该复合光催化剂在可见光下对亚甲基蓝具有很好的降解效果，且制备过程均在室温下进行，能耗低，成本低廉，合成条件为室温，易实现，有利于大规模制备。
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一种二硫化钼/铅钛合金纳米多层薄膜及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种位于基体表面的二硫化钼/铅钛合金纳米多层薄膜，自基体表面起，依次包括Ti过渡层、Ti与二硫化钼的梯度过渡层、二硫化钼和铅钛合金交替叠加形成的交替多层，以及二硫化钼表层。该薄膜具有良好的膜基结合强度与硬度，在空间真空环境下具有长寿命、良好的耐湿热氧化和抗原子氧性能，能够满足空间真空特殊环境下服役的装备(例如空间站太阳翼伸展机构等)的高可靠和长寿命服役需求，具有很好的应用价值。
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二维二硫化钼纳米材料的液相剥离方法、二硫化钼分散方法及应用
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技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种二维二硫化钼(MoS2)纳米材料的液相剥离方法、MoS2分散方法及应用。所述二硫化钼分散剂包括能够通过物理作用与二硫化钼结合而使二硫化钼稳定分散于常规溶剂等分散介质内的聚苯胺类导电高分子。本发明利用成本低廉的聚苯胺类导电高分子作为二硫化钼分散剂，并将该分散剂与二硫化钼在分散介质中简单混合，通过两者之间的物理相互作用，即可通过简单的液相剥离方法获得二硫化钼二维纳米片，其无损于二硫化钼的物理结构和化学性能，操作过程简单，利于大规模实施，且剥离的二硫化钼二维纳米片在半导体、能源、耐磨润滑涂料、复合材料等领域具有广阔的应用前景。
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一种掺氮二硫化钼载铂光催化剂及其制备方法
成熟度：正在研发
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应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种掺氮二硫化钼载铂光催化剂及其制备方法，该方法首先选择钼酸钠和硫代乙酰胺作为原料，采用水热法制备二硫化钼纳米片；然后将二硫化钼纳米片在氨气气氛下热处理，得到掺氮二硫化钼纳米片，最后将掺氮二硫化钼纳米片以光还原法负载贵金属铂，即得掺氮二硫化钼载铂光催化剂。本发明制备的掺氮二硫化钼载铂光催化剂首次实现了以二硫化钼作为光催化剂，进行可见光光催化分解水制氢。本发明制得的掺氮二硫化钼载铂光催化剂具有优良的可见光光催化制氢能力，并且具有良好的稳定性。本发明操作简单，重复性好，扩展了二硫化钼在光催化方面的应用以及电化学方面的应用。
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一种超声辅助化学插层制备二硫化钼纳米片的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种超声辅助化学插层的制备二硫化钼纳米片的方法，属于二硫化钼纳米片制备领域。本发明方法包括如下步骤：将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下，室温下超声反应，得到锂插层的二硫化钼。向反应物中加入超纯水，将二硫化钼块体材料进行化学剥离，得到单层的二硫化钼纳米片，加入无水乙醇清洗，通过超纯水分散，高速离心分离后，得到可在水中分散的单层二硫化钼纳米片材料。本发明提供的二硫化钼纳米片制备方法，相对于传统的通过化学插层制备二硫化钼纳米片的方法，具有反应速度快、反应产率高、剥离效果好、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产的特点。
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水热法制备硫醇修饰的片层二硫化钼的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供一种硫醇修饰的MoS2纳米片层材料的制备方法，具体实施方案如下（1）水溶性钼源前驱体的制备。将一定量的MoO2(ACAC)2溶解在SHCH2COOH水溶液中，并加热至100℃恒温1小时，逐滴加入NaOH溶液调节pH至11.0；（2）表面修饰片层二硫化钼材料的制备。将一定量的Na2S与上述溶液混合，转移至高温反应釜中反应；（3）纯化。将反应得到的溶液透析一段时间后，得到硫醇修饰的二硫化钼片层纳米片层材料。本发明为片层MoS2材料的表面修饰提供了一种简易可行、操作便捷的方法。
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一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法
成熟度：正在研发
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应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法，其包括如下步骤（1）将一定量的含硫混合物和三氧化钼模板分别放置在两个托盘中，然后将两个所述托盘分别放入双温区管式炉的两个温区内；（2）将放置三氧化钼模板的温区升温至200℃‑1500℃，并保温1min‑5h；（3）同时将放置含硫混合物的温区升温至100℃‑900℃，并保温1min‑5h；（4）保温结束后停止加热，待所述双温区管式炉的炉膛降温后则可得到位于二氧化钼纳米片边缘的二硫化钼纳米条带。本发明生产设备更加简单，与现有的物理制备方法相比，不需要昂贵的电子束（离子束）设备，成本低廉；产物二硫化钼纳米条带性质稳定，并且条带的厚度可控。
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二硫化钼/聚苯胺复合材料、制备方法及锂离子电池
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种二硫化钼/聚苯胺复合材料及其制备方法、锂离子电池负极和锂离子电池。该二硫化钼/聚苯胺复合材料制备方法包括制备分散有钼酸盐的聚苯胺、将分散有钼酸盐的聚苯胺与硫源进行水热反应等步骤。本发明二硫化钼/聚苯胺复合材料的制备方法制备的二硫化钼/聚苯胺复合材料结构稳定，导电性能好，其作为锂离子电池负极材料应用于锂离子电池时，赋予器件优异的倍率性能和循环稳定性能，且储锂容量高。
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二硫化钼自润滑复合涂层及覆有该复合涂层的活塞环
成熟度：正在研发
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应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种利用撞击流和光学散射力的光流控芯片及用于分拣微纳颗粒的用途，属于光流控芯片领域。 光流控芯片包括圆柱形光学分离腔，在光学分离腔一侧通过撞击流沟道与撞击流入口连接，另一侧有辅助流入口与样品流入口，辅助流沟道与样品流沟道合并后的沟道的中心线与撞击流沟道的中心线在同一直线上，辅助流沟道与样品流沟道合并后的沟道两侧分别通过鞘层流沟道与鞘层流入口连接，然后与光学分离腔连接；在光学分离腔上还有带准直透镜的光纤槽，和大粒子出口、小粒子出口。本光流控芯片装置光学分拣腔的中心形成一个速度极小值点，以供光学散射力在此对粒子进行分拣。大大提高了光力分拣操作的平均速度，提高了分拣的精度和效率。
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镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法。具体是以金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备金层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积ECR‑PEMOCVD方法，依次进行氢等离子体清洗金层、制备MoxW1‑xS2层、制备AlyGazIn1‑y‑zN缓冲层和制备AlyGazIn1‑y‑zN外延层。可在廉价的多晶甚至非晶金属衬底上制备出高晶体质量的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜。所制备的氮化铝镓铟/二硫化钼膜可直接作为GaN基器件的模板衬底等使用，具有广泛的应用前景。
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一种二硫化钼/钒酸银可见光复合光催化剂及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种二硫化钼/钒酸银可见光复合光催化剂及其制备方法，属于复合材料和环境治理中光催化技术领域。该材料由质量比为1:99～10:90的MoS2和Ag3VO4复合而成；MoS2颗粒均匀的分散在Ag3VO4表面形成异质结结构。本发明将类石墨烯二硫化钼置于水溶液中超声分散，得到类石墨烯二硫化钼的分散液A；将硝酸银固体颗粒加入所得分散液A中，在水浴控温的情况下，遮光搅拌至硝酸银充分溶解,得到分散液B；将已经配好的钒酸钠水溶液逐滴缓慢加入到所得分散液B中，滴加完成后继续遮光搅拌，得到产物。该复合光催化剂在可见光下对亚甲基蓝具有很好的降解效果，且制备过程均在室温下进行，能耗低，成本低廉，合成条件为室温，易实现，有利于大规模制备。
找到36项技术成果数据。
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一种二硫化钼/铅钛合金纳米多层薄膜及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种位于基体表面的二硫化钼/铅钛合金纳米多层薄膜，自基体表面起，依次包括Ti过渡层、Ti与二硫化钼的梯度过渡层、二硫化钼和铅钛合金交替叠加形成的交替多层，以及二硫化钼表层。该薄膜具有良好的膜基结合强度与硬度，在空间真空环境下具有长寿命、良好的耐湿热氧化和抗原子氧性能，能够满足空间真空特殊环境下服役的装备(例如空间站太阳翼伸展机构等)的高可靠和长寿命服役需求，具有很好的应用价值。
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二维二硫化钼纳米材料的液相剥离方法、二硫化钼分散方法及应用
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种二维二硫化钼(MoS2)纳米材料的液相剥离方法、MoS2分散方法及应用。所述二硫化钼分散剂包括能够通过物理作用与二硫化钼结合而使二硫化钼稳定分散于常规溶剂等分散介质内的聚苯胺类导电高分子。本发明利用成本低廉的聚苯胺类导电高分子作为二硫化钼分散剂，并将该分散剂与二硫化钼在分散介质中简单混合，通过两者之间的物理相互作用，即可通过简单的液相剥离方法获得二硫化钼二维纳米片，其无损于二硫化钼的物理结构和化学性能，操作过程简单，利于大规模实施，且剥离的二硫化钼二维纳米片在半导体、能源、耐磨润滑涂料、复合材料等领域具有广阔的应用前景。
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一种掺氮二硫化钼载铂光催化剂及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种掺氮二硫化钼载铂光催化剂及其制备方法，该方法首先选择钼酸钠和硫代乙酰胺作为原料，采用水热法制备二硫化钼纳米片；然后将二硫化钼纳米片在氨气气氛下热处理，得到掺氮二硫化钼纳米片，最后将掺氮二硫化钼纳米片以光还原法负载贵金属铂，即得掺氮二硫化钼载铂光催化剂。本发明制备的掺氮二硫化钼载铂光催化剂首次实现了以二硫化钼作为光催化剂，进行可见光光催化分解水制氢。本发明制得的掺氮二硫化钼载铂光催化剂具有优良的可见光光催化制氢能力，并且具有良好的稳定性。本发明操作简单，重复性好，扩展了二硫化钼在光催化方面的应用以及电化学方面的应用。
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一种超声辅助化学插层制备二硫化钼纳米片的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种超声辅助化学插层的制备二硫化钼纳米片的方法，属于二硫化钼纳米片制备领域。本发明方法包括如下步骤：将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下，室温下超声反应，得到锂插层的二硫化钼。向反应物中加入超纯水，将二硫化钼块体材料进行化学剥离，得到单层的二硫化钼纳米片，加入无水乙醇清洗，通过超纯水分散，高速离心分离后，得到可在水中分散的单层二硫化钼纳米片材料。本发明提供的二硫化钼纳米片制备方法，相对于传统的通过化学插层制备二硫化钼纳米片的方法，具有反应速度快、反应产率高、剥离效果好、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产的特点。
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水热法制备硫醇修饰的片层二硫化钼的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供一种硫醇修饰的MoS2纳米片层材料的制备方法，具体实施方案如下（1）水溶性钼源前驱体的制备。将一定量的MoO2(ACAC)2溶解在SHCH2COOH水溶液中，并加热至100℃恒温1小时，逐滴加入NaOH溶液调节pH至11.0；（2）表面修饰片层二硫化钼材料的制备。将一定量的Na2S与上述溶液混合，转移至高温反应釜中反应；（3）纯化。将反应得到的溶液透析一段时间后，得到硫醇修饰的二硫化钼片层纳米片层材料。本发明为片层MoS2材料的表面修饰提供了一种简易可行、操作便捷的方法。
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一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法，其包括如下步骤（1）将一定量的含硫混合物和三氧化钼模板分别放置在两个托盘中，然后将两个所述托盘分别放入双温区管式炉的两个温区内；（2）将放置三氧化钼模板的温区升温至200℃‑1500℃，并保温1min‑5h；（3）同时将放置含硫混合物的温区升温至100℃‑900℃，并保温1min‑5h；（4）保温结束后停止加热，待所述双温区管式炉的炉膛降温后则可得到位于二氧化钼纳米片边缘的二硫化钼纳米条带。本发明生产设备更加简单，与现有的物理制备方法相比，不需要昂贵的电子束（离子束）设备，成本低廉；产物二硫化钼纳米条带性质稳定，并且条带的厚度可控。
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二硫化钼/聚苯胺复合材料、制备方法及锂离子电池
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种二硫化钼/聚苯胺复合材料及其制备方法、锂离子电池负极和锂离子电池。该二硫化钼/聚苯胺复合材料制备方法包括制备分散有钼酸盐的聚苯胺、将分散有钼酸盐的聚苯胺与硫源进行水热反应等步骤。本发明二硫化钼/聚苯胺复合材料的制备方法制备的二硫化钼/聚苯胺复合材料结构稳定，导电性能好，其作为锂离子电池负极材料应用于锂离子电池时，赋予器件优异的倍率性能和循环稳定性能，且储锂容量高。
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二硫化钼自润滑复合涂层及覆有该复合涂层的活塞环
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种利用撞击流和光学散射力的光流控芯片及用于分拣微纳颗粒的用途，属于光流控芯片领域。 光流控芯片包括圆柱形光学分离腔，在光学分离腔一侧通过撞击流沟道与撞击流入口连接，另一侧有辅助流入口与样品流入口，辅助流沟道与样品流沟道合并后的沟道的中心线与撞击流沟道的中心线在同一直线上，辅助流沟道与样品流沟道合并后的沟道两侧分别通过鞘层流沟道与鞘层流入口连接，然后与光学分离腔连接；在光学分离腔上还有带准直透镜的光纤槽，和大粒子出口、小粒子出口。本光流控芯片装置光学分拣腔的中心形成一个速度极小值点，以供光学散射力在此对粒子进行分拣。大大提高了光力分拣操作的平均速度，提高了分拣的精度和效率。
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镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法。具体是以金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备金层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积ECR‑PEMOCVD方法，依次进行氢等离子体清洗金层、制备MoxW1‑xS2层、制备AlyGazIn1‑y‑zN缓冲层和制备AlyGazIn1‑y‑zN外延层。可在廉价的多晶甚至非晶金属衬底上制备出高晶体质量的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜。所制备的氮化铝镓铟/二硫化钼膜可直接作为GaN基器件的模板衬底等使用，具有广泛的应用前景。
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一种二硫化钼/钒酸银可见光复合光催化剂及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种二硫化钼/钒酸银可见光复合光催化剂及其制备方法，属于复合材料和环境治理中光催化技术领域。该材料由质量比为1:99～10:90的MoS2和Ag3VO4复合而成；MoS2颗粒均匀的分散在Ag3VO4表面形成异质结结构。本发明将类石墨烯二硫化钼置于水溶液中超声分散，得到类石墨烯二硫化钼的分散液A；将硝酸银固体颗粒加入所得分散液A中，在水浴控温的情况下，遮光搅拌至硝酸银充分溶解,得到分散液B；将已经配好的钒酸钠水溶液逐滴缓慢加入到所得分散液B中，滴加完成后继续遮光搅拌，得到产物。该复合光催化剂在可见光下对亚甲基蓝具有很好的降解效果，且制备过程均在室温下进行，能耗低，成本低廉，合成条件为室温，易实现，有利于大规模制备。
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一种二硫化钼/铅钛合金纳米多层薄膜及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种位于基体表面的二硫化钼/铅钛合金纳米多层薄膜，自基体表面起，依次包括Ti过渡层、Ti与二硫化钼的梯度过渡层、二硫化钼和铅钛合金交替叠加形成的交替多层，以及二硫化钼表层。该薄膜具有良好的膜基结合强度与硬度，在空间真空环境下具有长寿命、良好的耐湿热氧化和抗原子氧性能，能够满足空间真空特殊环境下服役的装备(例如空间站太阳翼伸展机构等)的高可靠和长寿命服役需求，具有很好的应用价值。
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二维二硫化钼纳米材料的液相剥离方法、二硫化钼分散方法及应用
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种二维二硫化钼(MoS2)纳米材料的液相剥离方法、MoS2分散方法及应用。所述二硫化钼分散剂包括能够通过物理作用与二硫化钼结合而使二硫化钼稳定分散于常规溶剂等分散介质内的聚苯胺类导电高分子。本发明利用成本低廉的聚苯胺类导电高分子作为二硫化钼分散剂，并将该分散剂与二硫化钼在分散介质中简单混合，通过两者之间的物理相互作用，即可通过简单的液相剥离方法获得二硫化钼二维纳米片，其无损于二硫化钼的物理结构和化学性能，操作过程简单，利于大规模实施，且剥离的二硫化钼二维纳米片在半导体、能源、耐磨润滑涂料、复合材料等领域具有广阔的应用前景。
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一种掺氮二硫化钼载铂光催化剂及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种掺氮二硫化钼载铂光催化剂及其制备方法，该方法首先选择钼酸钠和硫代乙酰胺作为原料，采用水热法制备二硫化钼纳米片；然后将二硫化钼纳米片在氨气气氛下热处理，得到掺氮二硫化钼纳米片，最后将掺氮二硫化钼纳米片以光还原法负载贵金属铂，即得掺氮二硫化钼载铂光催化剂。本发明制备的掺氮二硫化钼载铂光催化剂首次实现了以二硫化钼作为光催化剂，进行可见光光催化分解水制氢。本发明制得的掺氮二硫化钼载铂光催化剂具有优良的可见光光催化制氢能力，并且具有良好的稳定性。本发明操作简单，重复性好，扩展了二硫化钼在光催化方面的应用以及电化学方面的应用。
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一种超声辅助化学插层制备二硫化钼纳米片的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种超声辅助化学插层的制备二硫化钼纳米片的方法，属于二硫化钼纳米片制备领域。本发明方法包括如下步骤：将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下，室温下超声反应，得到锂插层的二硫化钼。向反应物中加入超纯水，将二硫化钼块体材料进行化学剥离，得到单层的二硫化钼纳米片，加入无水乙醇清洗，通过超纯水分散，高速离心分离后，得到可在水中分散的单层二硫化钼纳米片材料。本发明提供的二硫化钼纳米片制备方法，相对于传统的通过化学插层制备二硫化钼纳米片的方法，具有反应速度快、反应产率高、剥离效果好、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产的特点。
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水热法制备硫醇修饰的片层二硫化钼的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供一种硫醇修饰的MoS2纳米片层材料的制备方法，具体实施方案如下（1）水溶性钼源前驱体的制备。将一定量的MoO2(ACAC)2溶解在SHCH2COOH水溶液中，并加热至100℃恒温1小时，逐滴加入NaOH溶液调节pH至11.0；（2）表面修饰片层二硫化钼材料的制备。将一定量的Na2S与上述溶液混合，转移至高温反应釜中反应；（3）纯化。将反应得到的溶液透析一段时间后，得到硫醇修饰的二硫化钼片层纳米片层材料。本发明为片层MoS2材料的表面修饰提供了一种简易可行、操作便捷的方法。
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一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法，其包括如下步骤（1）将一定量的含硫混合物和三氧化钼模板分别放置在两个托盘中，然后将两个所述托盘分别放入双温区管式炉的两个温区内；（2）将放置三氧化钼模板的温区升温至200℃‑1500℃，并保温1min‑5h；（3）同时将放置含硫混合物的温区升温至100℃‑900℃，并保温1min‑5h；（4）保温结束后停止加热，待所述双温区管式炉的炉膛降温后则可得到位于二氧化钼纳米片边缘的二硫化钼纳米条带。本发明生产设备更加简单，与现有的物理制备方法相比，不需要昂贵的电子束（离子束）设备，成本低廉；产物二硫化钼纳米条带性质稳定，并且条带的厚度可控。
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二硫化钼/聚苯胺复合材料、制备方法及锂离子电池
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种二硫化钼/聚苯胺复合材料及其制备方法、锂离子电池负极和锂离子电池。该二硫化钼/聚苯胺复合材料制备方法包括制备分散有钼酸盐的聚苯胺、将分散有钼酸盐的聚苯胺与硫源进行水热反应等步骤。本发明二硫化钼/聚苯胺复合材料的制备方法制备的二硫化钼/聚苯胺复合材料结构稳定，导电性能好，其作为锂离子电池负极材料应用于锂离子电池时，赋予器件优异的倍率性能和循环稳定性能，且储锂容量高。
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二硫化钼自润滑复合涂层及覆有该复合涂层的活塞环
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种利用撞击流和光学散射力的光流控芯片及用于分拣微纳颗粒的用途，属于光流控芯片领域。 光流控芯片包括圆柱形光学分离腔，在光学分离腔一侧通过撞击流沟道与撞击流入口连接，另一侧有辅助流入口与样品流入口，辅助流沟道与样品流沟道合并后的沟道的中心线与撞击流沟道的中心线在同一直线上，辅助流沟道与样品流沟道合并后的沟道两侧分别通过鞘层流沟道与鞘层流入口连接，然后与光学分离腔连接；在光学分离腔上还有带准直透镜的光纤槽，和大粒子出口、小粒子出口。本光流控芯片装置光学分拣腔的中心形成一个速度极小值点，以供光学散射力在此对粒子进行分拣。大大提高了光力分拣操作的平均速度，提高了分拣的精度和效率。
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镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法。具体是以金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备金层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积ECR‑PEMOCVD方法，依次进行氢等离子体清洗金层、制备MoxW1‑xS2层、制备AlyGazIn1‑y‑zN缓冲层和制备AlyGazIn1‑y‑zN外延层。可在廉价的多晶甚至非晶金属衬底上制备出高晶体质量的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜。所制备的氮化铝镓铟/二硫化钼膜可直接作为GaN基器件的模板衬底等使用，具有广泛的应用前景。
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一种二硫化钼/钒酸银可见光复合光催化剂及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种二硫化钼/钒酸银可见光复合光催化剂及其制备方法，属于复合材料和环境治理中光催化技术领域。该材料由质量比为1:99～10:90的MoS2和Ag3VO4复合而成；MoS2颗粒均匀的分散在Ag3VO4表面形成异质结结构。本发明将类石墨烯二硫化钼置于水溶液中超声分散，得到类石墨烯二硫化钼的分散液A；将硝酸银固体颗粒加入所得分散液A中，在水浴控温的情况下，遮光搅拌至硝酸银充分溶解,得到分散液B；将已经配好的钒酸钠水溶液逐滴缓慢加入到所得分散液B中，滴加完成后继续遮光搅拌，得到产物。该复合光催化剂在可见光下对亚甲基蓝具有很好的降解效果，且制备过程均在室温下进行，能耗低，成本低廉，合成条件为室温，易实现，有利于大规模制备。