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专利基本信息
专利名称 一种光控神经突触仿生电子器件及其制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN109037388B
专利申请日期 2018-07-11 专利类型 发明专利
申请公布号 2018107587626 申请公布日 2018-07-11
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 王燕;韩素婷;周晔;陈锦锐;王展鹏
专利权人 深圳大学
专利摘要 本发明公开一种光控神经突触仿生电子器件及其制备方法,其中,所述器件包括作为栅极的硅基底,从下至上依次设置在所述硅基底上的氧化物层、量子点层、聚合物层、半导体层以及金属薄膜顶电极,所述量子点层的材料为CsPbCl3、CsPbBr3和CsPbI3中的一种或多种。由于CsPbX3量子点具有光响应性,通过简单的调节光照波长来改变电子器件中的光生电流数值,进而可模拟人脑中兴奋性突触后电流增强效应,结合反向电场刺激可实现对抑制性突触后电流减弱效应。因此,本发明基于CsPbX3量子点的神经突触仿生电子器件具有易调控、低功耗、高稳定性等性能优点。
专利价值评估分析
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