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专利基本信息
专利名称 一种具有反衬金字塔凹坑阵列的可折叠、可卷曲自支撑银导电膜的制备方法
专利状态 专利权维持 专利号(申请号) 2016102790348
专利申请日期 2016-04-29 专利类型 发明专利
申请公布号 201610279034 申请公布日 2016-04-29
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 中山大学
专利摘要 本发明公开了一种具有反衬金字塔凹坑阵列的可折叠、可卷曲自支撑银导电膜的制备方法,包括以下步骤:(1)取银盐、六亚甲基四胺、氨水在容器中搅拌均匀得到混合液;(2)将混合液倒入水热反应釜中,再将具有金字塔绒面结构的硅片基底呈斜倚状放入到反应釜中,密闭后放入恒温箱中,反应后冷却至室温;(3)取出反应容器中的样品,清洗、烘干后,将银导电膜从硅片基底层揭下后即可分离获得。本发明方法省去导电材料的合成与浆料的制备环节,相对于传统工艺更为简单;本发明获得的银导电膜具有优异的机械性能和导电性能;本发明获得的银导电膜是一种无基底的自支撑银导电膜,可以适用于高温或极度潮湿的场合。
专利价值评估分析
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