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专利基本信息
专利名称 无焙烧靶制备铊系高温超导薄膜的方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN106544636B
专利申请日期 2016-11-14 专利类型 发明专利
申请公布号 2016109991367 申请公布日 2016-11-14
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 季鲁;徐腾达;赵新杰;何明;张旭
专利权人 南开大学
专利摘要 无焙烧靶制备铊系高温超导薄膜的方法。本发明方法包括:在衬底基片上淀积Tl‑Ba‑Ca‑Cu‑O非晶先驱薄膜;在流动的氧气气氛中,将非晶先驱薄膜放入密闭的人造蓝宝石坩埚中进行高温热处理,使Tl‑Ba‑Ca‑Cu‑O非晶先驱薄膜转变为Tl2Ba2CaCu2O8(Tl‑2212)高温超导薄膜。本发明采用了表面光滑的蓝宝石坩埚,使得贴合更加紧密,密闭性变强,非晶先驱薄膜中的铊元素含量即可提供结晶所需要的成分。这样不需要含铊源的焙烧靶,减少了不确定因素,使得制作出来的超导薄膜质量稳定。本发明制作的Tl‑2212超导薄膜,可用于制作微波无源器件,也可用于制作其他超导器件和进行科学研究等。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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