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专利基本信息
专利名称 一种铌酸锂薄膜表面制作光学微纳图形的方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN110850688B
专利申请日期 2019-11-28 专利类型 发明专利
申请公布号 2019111927413 申请公布日 2019-11-28
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 曾嵘;庄池杰;马昕雨;沈瞿欢;王华磊;吴长春
专利权人 清华大学;天通瑞宏科技有限公司
专利摘要 本发明涉及一种铌酸锂薄膜表面制作光学微纳图形的方法,属于微纳加工技术领域,包括:制作电子束曝光所需版图;对铌酸锂衬底进行清洗、烘干;在铌酸锂衬底上溅射金属导电层;在铌酸锂衬底上旋涂电子束胶;将铌酸锂衬底进行第一次电子束曝光制作标记;显影和定影;在铌酸锂衬底上磁控溅射金属制作金属标记;去胶剥离金属掩蔽的图形,制成带有金属突起标记的铌酸锂片;在铌酸锂片上旋涂电子束胶;将铌酸锂片进行第二次电子束曝光制作图形;显影和定影;进行图形转移,形成微纳结构。通过本发明所述方法,可在不导电的铌酸锂材料上制作侧壁陡直的图形,且可制作尺寸900nm以下的微纳图形,所制作的光波导折射率对比度大,可减小光器件尺寸,提高光器件性能。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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