专利基本信息
| 专利名称 | 一种硅基太阳能电池及其单晶硅片钝化方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN105244411B |
| 专利申请日期 | 2015-08-27 | 专利类型 | 发明专利 |
| 申请公布号 | 2015105366076 | 申请公布日 | 2015-08-27 |
| 授权公告号 | - | 授权公告日 | - |
| 发明人 | 刘生忠;刘斌 | ||
| 专利权人 | 陕西师范大学 | ||
| 专利摘要 | 本发明提供一种硅基太阳能电池及其单晶硅片钝化方法,包括如下步骤,1)单晶硅片的清洗:对单晶硅进行清洗去除其表面的氧化层和金属离子以及有机物;2)单晶硅片脱水:将清洗干净的单晶硅片进行干燥脱水;3)氢化非晶硅锗的沉积:将干燥的单晶硅片放入等离子增强化学气相沉积系统中预热,在180℃‑220℃的沉积温度和10W‑20W的等离子体激发功率下,在硅烷、锗烷和氢气气氛中对单晶硅片双面进行氢化非晶硅锗的沉积后,完成对单晶硅片的钝化。本发明所述的钝化方法,在180℃‑220℃的环境中可以实现整个钝化过程,降低了热损伤。整个钝化过程中等离子激发功率10W‑20W,降低了等离子体的损伤。少子寿命高,钝化效果好。 | ||
专利价值评估分析
专利价值评估分析
样例
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