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专利基本信息
专利名称 一种高电子迁移率晶体管外延结构
专利状态 - 专利号（申请号） CN208142186U
专利申请日期 2018-03-29 专利类型 实用新型专利
申请公布号 2018204367494 申请公布日 2018-03-29
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 江风益;刘军林;张建立;全知觉;莫春兰;王小兰;吴小明;徐龙权;丁杰
专利权人 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
专利摘要 本实用新型提供了一种高电子迁移率晶体管外延结构,包括硅衬底,在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层,所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层,所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的,所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。本实用新型在缓冲层和GaN高阻层之间引入一层位错锐减结构,即利用AlN与GaN之间的晶格常数差异形成的应力,在AlN应力层上直接生长GaN三维层,然后通过采用侧向外延技术在GaN三维层上形成GaN合并层,这样就无需二次外延,结构简单且实用性高,同时可以大幅地降低HEMT材料中的位错密度,提高晶体质量,从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压等特性。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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