专利基本信息
| 专利名称 | 基于苯偶姻提高电容器介质薄膜的直流击穿场强方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN109659135B |
| 专利申请日期 | 2018-11-29 | 专利类型 | 发明专利 |
| 申请公布号 | 201811445277X | 申请公布日 | 2018-11-29 |
| 授权公告号 | - | 授权公告日 | - |
| 发明人 | 杜伯学;许然然;李进;侯兆豪;韩晨磊;王明洋 | ||
| 专利权人 | 天津大学 | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了基于苯偶姻提高电容器介质薄膜的直流击穿场强方法,包括以下步骤:1.将干燥的聚丙烯颗粒与苯偶姻按照99.5:0.5的质量比在密炼机中充分混合,得到聚丙烯复合材料。同时,设置对照组,即不添加苯偶姻的聚丙烯材料。2.用平板硫化机将聚丙烯复合材料压制成边长90×90mm,厚度为80μm的试样。3.将试样真空干燥24小时,使试样中杂质充分排除。4.使用球板电极对试样进行直流击穿试验。5.使对照组的聚丙烯材料试样重复步骤2‑4。实验证明,该方法能有效提高聚丙烯薄膜的击穿场强。 | ||
专利价值评估分析
专利价值评估分析
样例
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