您所在的位置: 首页 > 专利技术 > 正文
专利基本信息
专利名称 一种适用于GaN材料外延产业化的托舟
专利状态 - 专利号(申请号) CN102797034B
专利申请日期 2012-08-27 专利类型 发明专利
申请公布号 2012103091198 申请公布日 2012-08-27
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 赵红军;刘鹏;毕绿燕;袁志鹏;张俊业;张国义;童玉珍;孙永健
专利权人 东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
专利摘要 本发明公开一种适用于GaN材料外延产业化的托舟,解决氮化镓半导体材料外延过程中副产物生成过快,导致系统维护频率高的难题。本发明包含有托舟,托舟四周设计有高低不同凸起的侧壁,反应物被喷洒在侧壁内侧,托舟底部设有数层可拆开的分层结构,托舟底部的衬底层上设有复数用于放置衬底的衬底槽,在托舟各层设置位于流道隔壁中的流道,托舟设计有数个尾气出口,尾气出口连接对应的尾气管道。本发明实现了控制副产物生成位置,使副产物生长在托舟内部,以清理托舟方式来降低系统清理频率,有利于实现生长氮化镓材料的产业化。
专利价值评估分析
相关推荐
Baidu
map