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专利基本信息
专利名称 一种提高靶材使用率的磁控溅射圆形平面靶枪的磁靶
专利状态 - 专利号(申请号) CN110106487B
专利申请日期 2019-05-28 专利类型 发明专利
申请公布号 2019104526127 申请公布日 2019-05-28
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 付学成
专利权人 上海交通大学
专利摘要 本发明提供了一种提高靶材使用率的磁控溅射圆形平面靶枪的磁靶,所述磁靶包括靶材和磁铁;所述磁铁包括圆柱形磁铁和梅花形环状磁铁;所述圆柱形磁铁位于梅花形环状磁铁的中心;所述圆柱形磁铁与梅花形环状磁铁同圆心且磁铁高度相同。相比传统的圆形平面磁控靶枪的磁靶,本发明可以在磁控溅射过程中,增加靶材刻蚀槽的宽度,从而提高靶材的使用率。
专利价值评估分析
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