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专利基本信息
专利名称 NiS2-MoS2/PVEIB/PPy/GO材料及基于其的HER电催化修饰电极
专利状态 - 专利号（申请号） CN110373685B
专利申请日期 2019-07-30 专利类型 发明专利
申请公布号 2019106929495 申请公布日 2019-07-30
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 茆卉;郭玺;傅源琳;宋溪明
专利权人 辽宁大学
专利摘要 本发明涉及NiS2‑MoS2/PVEIB/PPy/GO材料及基于其的HER电催化修饰电极。包括将二硫化镍和二硫化钼负载于聚1‑乙烯基‑3‑乙基咪唑溴盐/聚吡咯/氧化石墨烯上,制备NiS2‑MoS2/PVEIB/PPy/GO。将NiS2‑MoS2/PVEIB/PPy/GO附着在玻碳电极上制备NiS2‑MoS2/PVEIB/PPy/GO修饰电极。在酸性条件下,以NiS2‑MoS2为活性中心,PVEIB/PPy/GO为基底的复合纳米材料可以促进HER的电子传输,因此提高了水分解的反应速率,并显示出较低的过电位,使这种纳米材料修饰电极在水分解产氢方面表现出了较高的电化学活性及良好的稳定性。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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