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专利基本信息
专利名称 一种二次电子倍增膜涂覆在内壁的电磁波发生器
专利状态 - 专利号（申请号） CN111383875B
专利申请日期 2020-04-07 专利类型 发明专利
申请公布号 2020102640633 申请公布日 2020-04-07
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 王战亮;柳建龙;程宏昌;宫玉彬;段兆云;巩华荣
专利权人 电子科技大学
专利摘要 本发明公开了一种二次电子倍增膜涂覆在内壁的电磁波发生器,在现有技术的基础上,在慢波结构或谐振腔内壁涂覆或溅射二次电子倍增膜,其二次电子发射系数δ一般远大于3,同时,电磁波发生器无聚焦磁场系统。这样电子由阴极发射出来后,受到电磁波的作用产生速度和密度调制,由于无聚焦磁场,所以密度不同的电子束会发生散射,当散射的电子打到内壁上时,由于内壁二次电子倍增,所以即可产生更多的电子,增大电子束电流。由于密度大的位置产生更多,密度小的位置产生更少二次电子,所以电子束电流增幅变大,即电磁波增幅也变大,在输出端口能够获得更高功率的电磁波。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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