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专利基本信息
专利名称 一种冶金法除硼、磷提纯工业硅的方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN102701212B
专利申请日期 2012-05-17 专利类型 发明专利
申请公布号 201210153476X 申请公布日 2012-05-17
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 孙艳辉;陈红雨;刘玉
专利权人 华南师范大学
专利摘要 本发明公开了一种冶金法除硼、磷提纯工业硅的方法,包括以下步骤:1)将工业硅块置于真空环境下加热至硅完全熔化,并保持该温度40-80min以精炼硅块;2)在步骤1)的真空环境中导入含氧气、水蒸汽的保护气氛以使得保护气氛中的氧气、水蒸汽与硅块中的杂质充分反应,保护气氛的导入流量为50-100ml/min;此步中,工业硅块依然处于熔化状态;3)将上步的环境降温至工业硅块处于固态得到硅锭,切除该硅锭的渣相层即可。本工艺流程可以纯化各种型号的工业硅,且无需对样品进行粉碎球磨,只需简单的破碎,对样品尺寸要求较宽;本工艺无需任何酸洗步骤,避免了大量强腐蚀性酸的使用,简化了工艺,降低了成本;本工艺可以将磷、砷、锑、钙等杂质去除到满足太阳能级多晶硅要求;硼杂质降低至1.5-0.3ppmw,满足太阳能级多晶硅标准。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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