专利基本信息
| 专利名称 | 悬空p‑n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN105742383B |
| 专利申请日期 | 2016-02-25 | 专利类型 | 发明专利 |
| 申请公布号 | 2016101032475 | 申请公布日 | 2016-02-25 |
| 授权公告号 | - | 授权公告日 | - |
| 发明人 | 王永进;高绪敏;朱桂遐;许银;袁威;蔡伟;袁炜 | ||
| 专利权人 | 南京邮电大学 | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种悬空p‑n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备方法,该集成系统包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的多个p‑n结量子阱器件,所述p‑n结量子阱器件之间设置有隔离槽,两相邻的p‑n量子阱器件通过光波导相连。本发明系统可实现平面光子信息传输以及空间多通道信号探测等多种功能,实现双通道的可见光平面光子信息传输和对空间光信号感知的倍增探测,同时能够分别独立感知空间光信号,实现三通道光信号的探测接收。 | ||
专利价值评估分析
专利价值评估分析
样例
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