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专利基本信息
专利名称 一种避免误读的阻变存储器及其制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN104810477B
专利申请日期 2015-05-07 专利类型 发明专利
申请公布号 2015102286351 申请公布日 2015-05-07
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 闫小兵;陈英方;赵建辉
专利权人 河北大学
专利摘要 本发明提供了一种避免误读的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器的结构是在Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜层上依次形成有阻变介质层和Ag电极膜层;所述阻变介质层包括依次所形成的第一层铁酸铋膜层、第二层铁酸铋掺银膜层及第三层铁酸铋膜层。本发明所提供的阻变存储器,呈现出较为稳定的阻值变化,高、低阻态阻值分布非常集中,且高电阻值和低电阻值之间相差较大,因此不容易造成高、低阻值混淆,在数据读取时候不容易造成误读。该阻变存储器具有显著的开关效应,非常有利于存储器的读出。再有,该阻变存储器在高阻态和低阻态下的抗疲劳特性均比较优异。
专利价值评估分析
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