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专利基本信息
专利名称 一种基于单量子点产生双光子辐射的方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN106290287B
专利申请日期 2016-09-23 专利类型 发明专利
申请公布号 2016108459429 申请公布日 2016-09-23
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 张国峰;李斌;李治杰;陈瑞云;秦成兵;高岩;肖连团;贾锁堂
专利权人 山西大学
专利摘要 本发明属于量子信息领域,具体为一种基于单量子点产生双光子辐射的方法。双光子的产生对于量子密钥分发、量子纠缠与量子测量等量子信息领域具有重要的意义。本发明给出一种基于单量子点产生双光子辐射的方法:首先将近红外单量子点制备在蒸镀有氧化铟锡薄膜的玻片上;然后将氧化铟锡纳米粒子覆盖在单量子点上;通过在氧化铟锡纳米粒子上旋涂聚苯乙烯聚合物薄膜,有效地隔离量子点受外界环境的影响;对该样品进行激光共聚焦单量子点产生双光子荧光辐射。本发明采用氧化铟锡纳米粒子有效地抑制量子点双激子的非辐射俄歇复合来实现单量子点的双光子辐射。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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