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厚度不受限制的NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及半导体材料技术领域，具体提供一种NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：提供洁净的Ge(001)基底；将Ge(001)基底置于真空中加热处理，获得预用基底；在真空下对预用基底进行Ni的反应蒸镀处理，使Ge(001)表面形成一层层NiGe单晶膜；在室温下，在NiGe单晶膜表面蒸镀一层Ni膜；在惰性气氛下对Ge(001)基底进行退火处理，使Ni膜扩散过NiGe单晶膜，并以NiGe单晶膜为单晶种子层，和Ge(001)基底发生固相反应，获得厚度不受限制的NiGe单晶薄膜。本方法可获得肖特基势垒低、接触电阻小且热稳定性良好的NiGe单晶薄膜，适用于MOSFET领域。
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正交相黑磷单晶的制备技术
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
黑磷是一种新型的二维材料，由于其较宽的可调控直接带隙、高载流子迁移率和优异的各向异性光电性质，在电子学以及光电子学领域展现了巨大的应用潜力，成为“后石墨烯时代”最受瞩目的二维材料之一。目前，黑磷主要由正交相体块单晶通过机械剥离或者液相剥离得到。因而，高质量正交相黑磷体块单晶是获得这种新型二维材料的前提。传统的合成正交相黑磷体块单晶方法包括超高压合成、基于金属汞或铋的催化合成等。这些方法要么依赖于精密且昂贵的仪器（超高压装置），要么依赖于高毒性的金属做催化剂。同时，所获得的正交相黑磷体块单晶产率不高，晶体的品质和尺寸仍有很大的提升空间。我们发展了一种正交晶系黑磷体块单晶的制备方法，摒弃了传统方法对设备的苛刻要求，也无需高毒性的合成原料，所获得的正交相黑磷体块单晶产率高（90%），成本低，晶体质量好，尺寸大（毫米级）。该制备技术契合当今社会提倡的“绿色化学合成”概念，所获得的正交相黑磷体块单晶既能满足目前材料、物理、化学、电子、光电子等广大学术界对这类材料的供应需求，又能推进其商品化和产业化进程。
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高品质大尺寸微波单晶石榴石薄膜材料
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目共包括10项授权专利，其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术，同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等，共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。（1）建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线，最大尺寸达到3英寸，单面薄膜厚度达到1μm－20μm。（2）单晶薄膜具体微波和磁光参数：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。
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一种铌酸钾钠基压电单晶及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供一种铌酸钾钠基压电单晶，以CaCO3、ZrO2、Li2CO3和Bi2O3作为掺杂原料，以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成，化学式为xCaZrO3‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3)，式中x表示体系中摩尔含量，其中0﹤x≤0.005。 其制备方法包括（1）所用原料均置于烘箱中烘干；（2）按化学式称量原料，球磨；（3）将产物烘干，预烧；（4）再以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯烧结获得单晶。 本发明的优点是显著地提高了铌酸钾钠基单晶的压电性能，其压电常数d33最高达到488。
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暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、发明创造简介： 本发明公开了暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法，采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。本发明操作简单，成本低，重复性和一致性好。 二、创新点： 本发明采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。 三、发明的应用价值和市场前景： 本发明所制备的暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线可望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
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“纳米”太阳能电池
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
世界太阳能电池现状：单晶硅太阳电池的效率为25.0%，多晶硅太阳电池的效率为20.4%，单晶体硅薄膜太阳电池的效率为16.7%，非晶硅薄膜太阳电池的效率为10.1%。“纳米”太阳能电池特点：（1）相同面积，“纳米”太阳能电池输出电流是世界现有太阳能电池的两倍以上；（2）输出电流稳定；（3）应用广泛，卫星、太空站、飞船、地面发电站等；（4）缩小了太阳能电池板面积；（5）制造成本低，经济价值高；（6）“纳米”太阳能电池是在单晶、多晶硅中添加了一种“单元介子”，“单元介子”是一种性能优良的太阳能吸收材料，具有梯度能带间隙（导带与价带之间的能级差）多元的半导体材料，可以扩大太阳能吸收光谱范围，进而提高光电转化效率。以它为基础研制的“纳米”太阳能电池光电转换效率比硅薄膜太阳能电池有明显提高，相同面积：“纳米”太阳能电池输出电流是薄膜太阳能电池两倍以上，属于世界的最高水平的光电转化效率！（7）本人自主发明、世界领先。
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正反双面折叠组合式单晶太阳能移动电源
成熟度：通过小试
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
1. 此产品翻盖折叠式机身，外观更时尚、新颖，携带更方便； 2. 采用出口到世界各国的高效率单晶硅太阳能电池芯片，光电转换效率可高达18%，发电面积相对提高3-4倍，发电功率最高可达8W，相对于其它产品在同1小时内可多发12倍左右的电能（市场上多为非晶硅，光电转换效率仅为6%）； 3. 在同等价位此产品中其性能为以往移动电源的升级版，实用性更强，性能更高，市场占有率更大； 4. 项目投资资金少、无大型生产设备、所需人员少、项目研发时间短、产品市场需求大。
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填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，具 体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后，放入单晶 炉或多晶炉中，用于硅晶体生长的初始原料；本发明涉及的该原料硅块的抗压 参数为0.1-50MPa，该原料硅块的纯度为99.99％-99.9999999％。该原料硅块 可以在太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中融熔作为原料硅使用，用 于生产晶体硅棒或硅锭；该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅 片的初始原料用。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能， 不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。
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一种利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
项目简介： 一种利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法，涉及一种一维纳米材料的制备方法。提供一种工艺既简便快捷，又经济环保、反应条件温和的利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法。将0.5～4.0g植物叶干粉加入50mL蒸馏水煮沸，冷却至室温后过滤，滤液用蒸馏水定容至50mL，得浓度为10～80g/L的植物叶提取液；将植物叶提取液与摩尔浓度为0.5～ 8mmol/L的硝酸银溶液混合，置于水浴摇床中振荡反应，得产物单晶银纳米线。
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TDR-GY652型高压单晶炉
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
主要内容：TDR-GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下，采用石墨电阻加热方式，将GaAs、InP等材料合成熔化，已LEC法从熔体中拉制大直径(4"～6")GaAs、InP单晶的专用设备。技术水平：TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备，具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能，具备三段加热能力，可满足生长6"GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平，具有自主的知识产权。主要技术参数:1．熔料量：40kg2．晶体直径：6"3．加热功率120×55×35kW4．最高加热温度1600℃5．主炉室尺寸φ652×1000mm6．冷炉极限真空度1Pa7．充气压力10MPa市场前景:目前，国内市场上还没有具备生长6"GaAs单晶能力的高压单晶生长设备，TDR-GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白，满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。服务方式：出售产品、其它形式的合作面议
找到87项技术成果数据。
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厚度不受限制的NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及半导体材料技术领域，具体提供一种NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：提供洁净的Ge(001)基底；将Ge(001)基底置于真空中加热处理，获得预用基底；在真空下对预用基底进行Ni的反应蒸镀处理，使Ge(001)表面形成一层层NiGe单晶膜；在室温下，在NiGe单晶膜表面蒸镀一层Ni膜；在惰性气氛下对Ge(001)基底进行退火处理，使Ni膜扩散过NiGe单晶膜，并以NiGe单晶膜为单晶种子层，和Ge(001)基底发生固相反应，获得厚度不受限制的NiGe单晶薄膜。本方法可获得肖特基势垒低、接触电阻小且热稳定性良好的NiGe单晶薄膜，适用于MOSFET领域。
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正交相黑磷单晶的制备技术
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
黑磷是一种新型的二维材料，由于其较宽的可调控直接带隙、高载流子迁移率和优异的各向异性光电性质，在电子学以及光电子学领域展现了巨大的应用潜力，成为“后石墨烯时代”最受瞩目的二维材料之一。目前，黑磷主要由正交相体块单晶通过机械剥离或者液相剥离得到。因而，高质量正交相黑磷体块单晶是获得这种新型二维材料的前提。传统的合成正交相黑磷体块单晶方法包括超高压合成、基于金属汞或铋的催化合成等。这些方法要么依赖于精密且昂贵的仪器（超高压装置），要么依赖于高毒性的金属做催化剂。同时，所获得的正交相黑磷体块单晶产率不高，晶体的品质和尺寸仍有很大的提升空间。我们发展了一种正交晶系黑磷体块单晶的制备方法，摒弃了传统方法对设备的苛刻要求，也无需高毒性的合成原料，所获得的正交相黑磷体块单晶产率高（90%），成本低，晶体质量好，尺寸大（毫米级）。该制备技术契合当今社会提倡的“绿色化学合成”概念，所获得的正交相黑磷体块单晶既能满足目前材料、物理、化学、电子、光电子等广大学术界对这类材料的供应需求，又能推进其商品化和产业化进程。
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高品质大尺寸微波单晶石榴石薄膜材料
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目共包括10项授权专利，其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术，同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等，共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。（1）建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线，最大尺寸达到3英寸，单面薄膜厚度达到1μm－20μm。（2）单晶薄膜具体微波和磁光参数：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。
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一种铌酸钾钠基压电单晶及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供一种铌酸钾钠基压电单晶，以CaCO3、ZrO2、Li2CO3和Bi2O3作为掺杂原料，以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成，化学式为xCaZrO3‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3)，式中x表示体系中摩尔含量，其中0﹤x≤0.005。 其制备方法包括（1）所用原料均置于烘箱中烘干；（2）按化学式称量原料，球磨；（3）将产物烘干，预烧；（4）再以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯烧结获得单晶。 本发明的优点是显著地提高了铌酸钾钠基单晶的压电性能，其压电常数d33最高达到488。
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暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、发明创造简介： 本发明公开了暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法，采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。本发明操作简单，成本低，重复性和一致性好。 二、创新点： 本发明采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。 三、发明的应用价值和市场前景： 本发明所制备的暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线可望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
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“纳米”太阳能电池
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
世界太阳能电池现状：单晶硅太阳电池的效率为25.0%，多晶硅太阳电池的效率为20.4%，单晶体硅薄膜太阳电池的效率为16.7%，非晶硅薄膜太阳电池的效率为10.1%。“纳米”太阳能电池特点：（1）相同面积，“纳米”太阳能电池输出电流是世界现有太阳能电池的两倍以上；（2）输出电流稳定；（3）应用广泛，卫星、太空站、飞船、地面发电站等；（4）缩小了太阳能电池板面积；（5）制造成本低，经济价值高；（6）“纳米”太阳能电池是在单晶、多晶硅中添加了一种“单元介子”，“单元介子”是一种性能优良的太阳能吸收材料，具有梯度能带间隙（导带与价带之间的能级差）多元的半导体材料，可以扩大太阳能吸收光谱范围，进而提高光电转化效率。以它为基础研制的“纳米”太阳能电池光电转换效率比硅薄膜太阳能电池有明显提高，相同面积：“纳米”太阳能电池输出电流是薄膜太阳能电池两倍以上，属于世界的最高水平的光电转化效率！（7）本人自主发明、世界领先。
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正反双面折叠组合式单晶太阳能移动电源
成熟度：通过小试
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
1. 此产品翻盖折叠式机身，外观更时尚、新颖，携带更方便； 2. 采用出口到世界各国的高效率单晶硅太阳能电池芯片，光电转换效率可高达18%，发电面积相对提高3-4倍，发电功率最高可达8W，相对于其它产品在同1小时内可多发12倍左右的电能（市场上多为非晶硅，光电转换效率仅为6%）； 3. 在同等价位此产品中其性能为以往移动电源的升级版，实用性更强，性能更高，市场占有率更大； 4. 项目投资资金少、无大型生产设备、所需人员少、项目研发时间短、产品市场需求大。
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填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，具 体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后，放入单晶 炉或多晶炉中，用于硅晶体生长的初始原料；本发明涉及的该原料硅块的抗压 参数为0.1-50MPa，该原料硅块的纯度为99.99％-99.9999999％。该原料硅块 可以在太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中融熔作为原料硅使用，用 于生产晶体硅棒或硅锭；该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅 片的初始原料用。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能， 不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。
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一种利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
项目简介： 一种利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法，涉及一种一维纳米材料的制备方法。提供一种工艺既简便快捷，又经济环保、反应条件温和的利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法。将0.5～4.0g植物叶干粉加入50mL蒸馏水煮沸，冷却至室温后过滤，滤液用蒸馏水定容至50mL，得浓度为10～80g/L的植物叶提取液；将植物叶提取液与摩尔浓度为0.5～ 8mmol/L的硝酸银溶液混合，置于水浴摇床中振荡反应，得产物单晶银纳米线。
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TDR-GY652型高压单晶炉
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
主要内容：TDR-GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下，采用石墨电阻加热方式，将GaAs、InP等材料合成熔化，已LEC法从熔体中拉制大直径(4"～6")GaAs、InP单晶的专用设备。技术水平：TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备，具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能，具备三段加热能力，可满足生长6"GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平，具有自主的知识产权。主要技术参数:1．熔料量：40kg2．晶体直径：6"3．加热功率120×55×35kW4．最高加热温度1600℃5．主炉室尺寸φ652×1000mm6．冷炉极限真空度1Pa7．充气压力10MPa市场前景:目前，国内市场上还没有具备生长6"GaAs单晶能力的高压单晶生长设备，TDR-GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白，满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。服务方式：出售产品、其它形式的合作面议
找到87项技术成果数据。
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厚度不受限制的NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用
成熟度：通过小试
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技术简介
本发明涉及半导体材料技术领域，具体提供一种NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：提供洁净的Ge(001)基底；将Ge(001)基底置于真空中加热处理，获得预用基底；在真空下对预用基底进行Ni的反应蒸镀处理，使Ge(001)表面形成一层层NiGe单晶膜；在室温下，在NiGe单晶膜表面蒸镀一层Ni膜；在惰性气氛下对Ge(001)基底进行退火处理，使Ni膜扩散过NiGe单晶膜，并以NiGe单晶膜为单晶种子层，和Ge(001)基底发生固相反应，获得厚度不受限制的NiGe单晶薄膜。本方法可获得肖特基势垒低、接触电阻小且热稳定性良好的NiGe单晶薄膜，适用于MOSFET领域。
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正交相黑磷单晶的制备技术
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
黑磷是一种新型的二维材料，由于其较宽的可调控直接带隙、高载流子迁移率和优异的各向异性光电性质，在电子学以及光电子学领域展现了巨大的应用潜力，成为“后石墨烯时代”最受瞩目的二维材料之一。目前，黑磷主要由正交相体块单晶通过机械剥离或者液相剥离得到。因而，高质量正交相黑磷体块单晶是获得这种新型二维材料的前提。传统的合成正交相黑磷体块单晶方法包括超高压合成、基于金属汞或铋的催化合成等。这些方法要么依赖于精密且昂贵的仪器（超高压装置），要么依赖于高毒性的金属做催化剂。同时，所获得的正交相黑磷体块单晶产率不高，晶体的品质和尺寸仍有很大的提升空间。我们发展了一种正交晶系黑磷体块单晶的制备方法，摒弃了传统方法对设备的苛刻要求，也无需高毒性的合成原料，所获得的正交相黑磷体块单晶产率高（90%），成本低，晶体质量好，尺寸大（毫米级）。该制备技术契合当今社会提倡的“绿色化学合成”概念，所获得的正交相黑磷体块单晶既能满足目前材料、物理、化学、电子、光电子等广大学术界对这类材料的供应需求，又能推进其商品化和产业化进程。
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高品质大尺寸微波单晶石榴石薄膜材料
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目共包括10项授权专利，其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术，同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等，共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。（1）建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线，最大尺寸达到3英寸，单面薄膜厚度达到1μm－20μm。（2）单晶薄膜具体微波和磁光参数：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。
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一种铌酸钾钠基压电单晶及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供一种铌酸钾钠基压电单晶，以CaCO3、ZrO2、Li2CO3和Bi2O3作为掺杂原料，以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成，化学式为xCaZrO3‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3)，式中x表示体系中摩尔含量，其中0﹤x≤0.005。 其制备方法包括（1）所用原料均置于烘箱中烘干；（2）按化学式称量原料，球磨；（3）将产物烘干，预烧；（4）再以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯烧结获得单晶。 本发明的优点是显著地提高了铌酸钾钠基单晶的压电性能，其压电常数d33最高达到488。
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暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、发明创造简介： 本发明公开了暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法，采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。本发明操作简单，成本低，重复性和一致性好。 二、创新点： 本发明采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。 三、发明的应用价值和市场前景： 本发明所制备的暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线可望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
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“纳米”太阳能电池
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
世界太阳能电池现状：单晶硅太阳电池的效率为25.0%，多晶硅太阳电池的效率为20.4%，单晶体硅薄膜太阳电池的效率为16.7%，非晶硅薄膜太阳电池的效率为10.1%。“纳米”太阳能电池特点：（1）相同面积，“纳米”太阳能电池输出电流是世界现有太阳能电池的两倍以上；（2）输出电流稳定；（3）应用广泛，卫星、太空站、飞船、地面发电站等；（4）缩小了太阳能电池板面积；（5）制造成本低，经济价值高；（6）“纳米”太阳能电池是在单晶、多晶硅中添加了一种“单元介子”，“单元介子”是一种性能优良的太阳能吸收材料，具有梯度能带间隙（导带与价带之间的能级差）多元的半导体材料，可以扩大太阳能吸收光谱范围，进而提高光电转化效率。以它为基础研制的“纳米”太阳能电池光电转换效率比硅薄膜太阳能电池有明显提高，相同面积：“纳米”太阳能电池输出电流是薄膜太阳能电池两倍以上，属于世界的最高水平的光电转化效率！（7）本人自主发明、世界领先。
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正反双面折叠组合式单晶太阳能移动电源
成熟度：通过小试
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
1. 此产品翻盖折叠式机身，外观更时尚、新颖，携带更方便； 2. 采用出口到世界各国的高效率单晶硅太阳能电池芯片，光电转换效率可高达18%，发电面积相对提高3-4倍，发电功率最高可达8W，相对于其它产品在同1小时内可多发12倍左右的电能（市场上多为非晶硅，光电转换效率仅为6%）； 3. 在同等价位此产品中其性能为以往移动电源的升级版，实用性更强，性能更高，市场占有率更大； 4. 项目投资资金少、无大型生产设备、所需人员少、项目研发时间短、产品市场需求大。
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填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，具 体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后，放入单晶 炉或多晶炉中，用于硅晶体生长的初始原料；本发明涉及的该原料硅块的抗压 参数为0.1-50MPa，该原料硅块的纯度为99.99％-99.9999999％。该原料硅块 可以在太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中融熔作为原料硅使用，用 于生产晶体硅棒或硅锭；该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅 片的初始原料用。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能， 不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。
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一种利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
项目简介： 一种利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法，涉及一种一维纳米材料的制备方法。提供一种工艺既简便快捷，又经济环保、反应条件温和的利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法。将0.5～4.0g植物叶干粉加入50mL蒸馏水煮沸，冷却至室温后过滤，滤液用蒸馏水定容至50mL，得浓度为10～80g/L的植物叶提取液；将植物叶提取液与摩尔浓度为0.5～ 8mmol/L的硝酸银溶液混合，置于水浴摇床中振荡反应，得产物单晶银纳米线。
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TDR-GY652型高压单晶炉
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
主要内容：TDR-GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下，采用石墨电阻加热方式，将GaAs、InP等材料合成熔化，已LEC法从熔体中拉制大直径(4"～6")GaAs、InP单晶的专用设备。技术水平：TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备，具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能，具备三段加热能力，可满足生长6"GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平，具有自主的知识产权。主要技术参数:1．熔料量：40kg2．晶体直径：6"3．加热功率120×55×35kW4．最高加热温度1600℃5．主炉室尺寸φ652×1000mm6．冷炉极限真空度1Pa7．充气压力10MPa市场前景:目前，国内市场上还没有具备生长6"GaAs单晶能力的高压单晶生长设备，TDR-GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白，满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。服务方式：出售产品、其它形式的合作面议
找到87项技术成果数据。
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厚度不受限制的NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及半导体材料技术领域，具体提供一种NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：提供洁净的Ge(001)基底；将Ge(001)基底置于真空中加热处理，获得预用基底；在真空下对预用基底进行Ni的反应蒸镀处理，使Ge(001)表面形成一层层NiGe单晶膜；在室温下，在NiGe单晶膜表面蒸镀一层Ni膜；在惰性气氛下对Ge(001)基底进行退火处理，使Ni膜扩散过NiGe单晶膜，并以NiGe单晶膜为单晶种子层，和Ge(001)基底发生固相反应，获得厚度不受限制的NiGe单晶薄膜。本方法可获得肖特基势垒低、接触电阻小且热稳定性良好的NiGe单晶薄膜，适用于MOSFET领域。
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正交相黑磷单晶的制备技术
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
黑磷是一种新型的二维材料，由于其较宽的可调控直接带隙、高载流子迁移率和优异的各向异性光电性质，在电子学以及光电子学领域展现了巨大的应用潜力，成为“后石墨烯时代”最受瞩目的二维材料之一。目前，黑磷主要由正交相体块单晶通过机械剥离或者液相剥离得到。因而，高质量正交相黑磷体块单晶是获得这种新型二维材料的前提。传统的合成正交相黑磷体块单晶方法包括超高压合成、基于金属汞或铋的催化合成等。这些方法要么依赖于精密且昂贵的仪器（超高压装置），要么依赖于高毒性的金属做催化剂。同时，所获得的正交相黑磷体块单晶产率不高，晶体的品质和尺寸仍有很大的提升空间。我们发展了一种正交晶系黑磷体块单晶的制备方法，摒弃了传统方法对设备的苛刻要求，也无需高毒性的合成原料，所获得的正交相黑磷体块单晶产率高（90%），成本低，晶体质量好，尺寸大（毫米级）。该制备技术契合当今社会提倡的“绿色化学合成”概念，所获得的正交相黑磷体块单晶既能满足目前材料、物理、化学、电子、光电子等广大学术界对这类材料的供应需求，又能推进其商品化和产业化进程。
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高品质大尺寸微波单晶石榴石薄膜材料
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目共包括10项授权专利，其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术，同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等，共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。（1）建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线，最大尺寸达到3英寸，单面薄膜厚度达到1μm－20μm。（2）单晶薄膜具体微波和磁光参数：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。
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一种铌酸钾钠基压电单晶及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供一种铌酸钾钠基压电单晶，以CaCO3、ZrO2、Li2CO3和Bi2O3作为掺杂原料，以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成，化学式为xCaZrO3‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3)，式中x表示体系中摩尔含量，其中0﹤x≤0.005。 其制备方法包括（1）所用原料均置于烘箱中烘干；（2）按化学式称量原料，球磨；（3）将产物烘干，预烧；（4）再以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯烧结获得单晶。 本发明的优点是显著地提高了铌酸钾钠基单晶的压电性能，其压电常数d33最高达到488。
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暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、发明创造简介： 本发明公开了暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法，采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。本发明操作简单，成本低，重复性和一致性好。 二、创新点： 本发明采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。 三、发明的应用价值和市场前景： 本发明所制备的暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线可望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
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“纳米”太阳能电池
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
世界太阳能电池现状：单晶硅太阳电池的效率为25.0%，多晶硅太阳电池的效率为20.4%，单晶体硅薄膜太阳电池的效率为16.7%，非晶硅薄膜太阳电池的效率为10.1%。“纳米”太阳能电池特点：（1）相同面积，“纳米”太阳能电池输出电流是世界现有太阳能电池的两倍以上；（2）输出电流稳定；（3）应用广泛，卫星、太空站、飞船、地面发电站等；（4）缩小了太阳能电池板面积；（5）制造成本低，经济价值高；（6）“纳米”太阳能电池是在单晶、多晶硅中添加了一种“单元介子”，“单元介子”是一种性能优良的太阳能吸收材料，具有梯度能带间隙（导带与价带之间的能级差）多元的半导体材料，可以扩大太阳能吸收光谱范围，进而提高光电转化效率。以它为基础研制的“纳米”太阳能电池光电转换效率比硅薄膜太阳能电池有明显提高，相同面积：“纳米”太阳能电池输出电流是薄膜太阳能电池两倍以上，属于世界的最高水平的光电转化效率！（7）本人自主发明、世界领先。
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正反双面折叠组合式单晶太阳能移动电源
成熟度：通过小试
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
1. 此产品翻盖折叠式机身，外观更时尚、新颖，携带更方便； 2. 采用出口到世界各国的高效率单晶硅太阳能电池芯片，光电转换效率可高达18%，发电面积相对提高3-4倍，发电功率最高可达8W，相对于其它产品在同1小时内可多发12倍左右的电能（市场上多为非晶硅，光电转换效率仅为6%）； 3. 在同等价位此产品中其性能为以往移动电源的升级版，实用性更强，性能更高，市场占有率更大； 4. 项目投资资金少、无大型生产设备、所需人员少、项目研发时间短、产品市场需求大。
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填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，具 体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后，放入单晶 炉或多晶炉中，用于硅晶体生长的初始原料；本发明涉及的该原料硅块的抗压 参数为0.1-50MPa，该原料硅块的纯度为99.99％-99.9999999％。该原料硅块 可以在太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中融熔作为原料硅使用，用 于生产晶体硅棒或硅锭；该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅 片的初始原料用。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能， 不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。
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一种利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
项目简介： 一种利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法，涉及一种一维纳米材料的制备方法。提供一种工艺既简便快捷，又经济环保、反应条件温和的利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法。将0.5～4.0g植物叶干粉加入50mL蒸馏水煮沸，冷却至室温后过滤，滤液用蒸馏水定容至50mL，得浓度为10～80g/L的植物叶提取液；将植物叶提取液与摩尔浓度为0.5～ 8mmol/L的硝酸银溶液混合，置于水浴摇床中振荡反应，得产物单晶银纳米线。
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TDR-GY652型高压单晶炉
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
主要内容：TDR-GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下，采用石墨电阻加热方式，将GaAs、InP等材料合成熔化，已LEC法从熔体中拉制大直径(4"～6")GaAs、InP单晶的专用设备。技术水平：TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备，具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能，具备三段加热能力，可满足生长6"GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平，具有自主的知识产权。主要技术参数:1．熔料量：40kg2．晶体直径：6"3．加热功率120×55×35kW4．最高加热温度1600℃5．主炉室尺寸φ652×1000mm6．冷炉极限真空度1Pa7．充气压力10MPa市场前景:目前，国内市场上还没有具备生长6"GaAs单晶能力的高压单晶生长设备，TDR-GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白，满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。服务方式：出售产品、其它形式的合作面议
找到87项技术成果数据。
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厚度不受限制的NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及半导体材料技术领域，具体提供一种NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：提供洁净的Ge(001)基底；将Ge(001)基底置于真空中加热处理，获得预用基底；在真空下对预用基底进行Ni的反应蒸镀处理，使Ge(001)表面形成一层层NiGe单晶膜；在室温下，在NiGe单晶膜表面蒸镀一层Ni膜；在惰性气氛下对Ge(001)基底进行退火处理，使Ni膜扩散过NiGe单晶膜，并以NiGe单晶膜为单晶种子层，和Ge(001)基底发生固相反应，获得厚度不受限制的NiGe单晶薄膜。本方法可获得肖特基势垒低、接触电阻小且热稳定性良好的NiGe单晶薄膜，适用于MOSFET领域。
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正交相黑磷单晶的制备技术
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
黑磷是一种新型的二维材料，由于其较宽的可调控直接带隙、高载流子迁移率和优异的各向异性光电性质，在电子学以及光电子学领域展现了巨大的应用潜力，成为“后石墨烯时代”最受瞩目的二维材料之一。目前，黑磷主要由正交相体块单晶通过机械剥离或者液相剥离得到。因而，高质量正交相黑磷体块单晶是获得这种新型二维材料的前提。传统的合成正交相黑磷体块单晶方法包括超高压合成、基于金属汞或铋的催化合成等。这些方法要么依赖于精密且昂贵的仪器（超高压装置），要么依赖于高毒性的金属做催化剂。同时，所获得的正交相黑磷体块单晶产率不高，晶体的品质和尺寸仍有很大的提升空间。我们发展了一种正交晶系黑磷体块单晶的制备方法，摒弃了传统方法对设备的苛刻要求，也无需高毒性的合成原料，所获得的正交相黑磷体块单晶产率高（90%），成本低，晶体质量好，尺寸大（毫米级）。该制备技术契合当今社会提倡的“绿色化学合成”概念，所获得的正交相黑磷体块单晶既能满足目前材料、物理、化学、电子、光电子等广大学术界对这类材料的供应需求，又能推进其商品化和产业化进程。
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高品质大尺寸微波单晶石榴石薄膜材料
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目共包括10项授权专利，其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术，同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等，共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。（1）建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线，最大尺寸达到3英寸，单面薄膜厚度达到1μm－20μm。（2）单晶薄膜具体微波和磁光参数：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。
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一种铌酸钾钠基压电单晶及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供一种铌酸钾钠基压电单晶，以CaCO3、ZrO2、Li2CO3和Bi2O3作为掺杂原料，以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成，化学式为xCaZrO3‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3)，式中x表示体系中摩尔含量，其中0﹤x≤0.005。 其制备方法包括（1）所用原料均置于烘箱中烘干；（2）按化学式称量原料，球磨；（3）将产物烘干，预烧；（4）再以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯烧结获得单晶。 本发明的优点是显著地提高了铌酸钾钠基单晶的压电性能，其压电常数d33最高达到488。
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暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、发明创造简介： 本发明公开了暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法，采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。本发明操作简单，成本低，重复性和一致性好。 二、创新点： 本发明采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。 三、发明的应用价值和市场前景： 本发明所制备的暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线可望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
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“纳米”太阳能电池
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
世界太阳能电池现状：单晶硅太阳电池的效率为25.0%，多晶硅太阳电池的效率为20.4%，单晶体硅薄膜太阳电池的效率为16.7%，非晶硅薄膜太阳电池的效率为10.1%。“纳米”太阳能电池特点：（1）相同面积，“纳米”太阳能电池输出电流是世界现有太阳能电池的两倍以上；（2）输出电流稳定；（3）应用广泛，卫星、太空站、飞船、地面发电站等；（4）缩小了太阳能电池板面积；（5）制造成本低，经济价值高；（6）“纳米”太阳能电池是在单晶、多晶硅中添加了一种“单元介子”，“单元介子”是一种性能优良的太阳能吸收材料，具有梯度能带间隙（导带与价带之间的能级差）多元的半导体材料，可以扩大太阳能吸收光谱范围，进而提高光电转化效率。以它为基础研制的“纳米”太阳能电池光电转换效率比硅薄膜太阳能电池有明显提高，相同面积：“纳米”太阳能电池输出电流是薄膜太阳能电池两倍以上，属于世界的最高水平的光电转化效率！（7）本人自主发明、世界领先。
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正反双面折叠组合式单晶太阳能移动电源
成熟度：通过小试
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
1. 此产品翻盖折叠式机身，外观更时尚、新颖，携带更方便； 2. 采用出口到世界各国的高效率单晶硅太阳能电池芯片，光电转换效率可高达18%，发电面积相对提高3-4倍，发电功率最高可达8W，相对于其它产品在同1小时内可多发12倍左右的电能（市场上多为非晶硅，光电转换效率仅为6%）； 3. 在同等价位此产品中其性能为以往移动电源的升级版，实用性更强，性能更高，市场占有率更大； 4. 项目投资资金少、无大型生产设备、所需人员少、项目研发时间短、产品市场需求大。
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填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，具 体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后，放入单晶 炉或多晶炉中，用于硅晶体生长的初始原料；本发明涉及的该原料硅块的抗压 参数为0.1-50MPa，该原料硅块的纯度为99.99％-99.9999999％。该原料硅块 可以在太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中融熔作为原料硅使用，用 于生产晶体硅棒或硅锭；该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅 片的初始原料用。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能， 不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。
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一种利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
项目简介： 一种利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法，涉及一种一维纳米材料的制备方法。提供一种工艺既简便快捷，又经济环保、反应条件温和的利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法。将0.5～4.0g植物叶干粉加入50mL蒸馏水煮沸，冷却至室温后过滤，滤液用蒸馏水定容至50mL，得浓度为10～80g/L的植物叶提取液；将植物叶提取液与摩尔浓度为0.5～ 8mmol/L的硝酸银溶液混合，置于水浴摇床中振荡反应，得产物单晶银纳米线。
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TDR-GY652型高压单晶炉
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
主要内容：TDR-GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下，采用石墨电阻加热方式，将GaAs、InP等材料合成熔化，已LEC法从熔体中拉制大直径(4"～6")GaAs、InP单晶的专用设备。技术水平：TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备，具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能，具备三段加热能力，可满足生长6"GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平，具有自主的知识产权。主要技术参数:1．熔料量：40kg2．晶体直径：6"3．加热功率120×55×35kW4．最高加热温度1600℃5．主炉室尺寸φ652×1000mm6．冷炉极限真空度1Pa7．充气压力10MPa市场前景:目前，国内市场上还没有具备生长6"GaAs单晶能力的高压单晶生长设备，TDR-GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白，满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。服务方式：出售产品、其它形式的合作面议
找到87项技术成果数据。
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厚度不受限制的NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及半导体材料技术领域，具体提供一种NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：提供洁净的Ge(001)基底；将Ge(001)基底置于真空中加热处理，获得预用基底；在真空下对预用基底进行Ni的反应蒸镀处理，使Ge(001)表面形成一层层NiGe单晶膜；在室温下，在NiGe单晶膜表面蒸镀一层Ni膜；在惰性气氛下对Ge(001)基底进行退火处理，使Ni膜扩散过NiGe单晶膜，并以NiGe单晶膜为单晶种子层，和Ge(001)基底发生固相反应，获得厚度不受限制的NiGe单晶薄膜。本方法可获得肖特基势垒低、接触电阻小且热稳定性良好的NiGe单晶薄膜，适用于MOSFET领域。
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正交相黑磷单晶的制备技术
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
黑磷是一种新型的二维材料，由于其较宽的可调控直接带隙、高载流子迁移率和优异的各向异性光电性质，在电子学以及光电子学领域展现了巨大的应用潜力，成为“后石墨烯时代”最受瞩目的二维材料之一。目前，黑磷主要由正交相体块单晶通过机械剥离或者液相剥离得到。因而，高质量正交相黑磷体块单晶是获得这种新型二维材料的前提。传统的合成正交相黑磷体块单晶方法包括超高压合成、基于金属汞或铋的催化合成等。这些方法要么依赖于精密且昂贵的仪器（超高压装置），要么依赖于高毒性的金属做催化剂。同时，所获得的正交相黑磷体块单晶产率不高，晶体的品质和尺寸仍有很大的提升空间。我们发展了一种正交晶系黑磷体块单晶的制备方法，摒弃了传统方法对设备的苛刻要求，也无需高毒性的合成原料，所获得的正交相黑磷体块单晶产率高（90%），成本低，晶体质量好，尺寸大（毫米级）。该制备技术契合当今社会提倡的“绿色化学合成”概念，所获得的正交相黑磷体块单晶既能满足目前材料、物理、化学、电子、光电子等广大学术界对这类材料的供应需求，又能推进其商品化和产业化进程。
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高品质大尺寸微波单晶石榴石薄膜材料
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目共包括10项授权专利，其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术，同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等，共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。（1）建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线，最大尺寸达到3英寸，单面薄膜厚度达到1μm－20μm。（2）单晶薄膜具体微波和磁光参数：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。
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一种铌酸钾钠基压电单晶及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供一种铌酸钾钠基压电单晶，以CaCO3、ZrO2、Li2CO3和Bi2O3作为掺杂原料，以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成，化学式为xCaZrO3‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3)，式中x表示体系中摩尔含量，其中0﹤x≤0.005。 其制备方法包括（1）所用原料均置于烘箱中烘干；（2）按化学式称量原料，球磨；（3）将产物烘干，预烧；（4）再以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯烧结获得单晶。 本发明的优点是显著地提高了铌酸钾钠基单晶的压电性能，其压电常数d33最高达到488。
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暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、发明创造简介： 本发明公开了暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法，采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。本发明操作简单，成本低，重复性和一致性好。 二、创新点： 本发明采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。 三、发明的应用价值和市场前景： 本发明所制备的暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线可望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
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“纳米”太阳能电池
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
世界太阳能电池现状：单晶硅太阳电池的效率为25.0%，多晶硅太阳电池的效率为20.4%，单晶体硅薄膜太阳电池的效率为16.7%，非晶硅薄膜太阳电池的效率为10.1%。“纳米”太阳能电池特点：（1）相同面积，“纳米”太阳能电池输出电流是世界现有太阳能电池的两倍以上；（2）输出电流稳定；（3）应用广泛，卫星、太空站、飞船、地面发电站等；（4）缩小了太阳能电池板面积；（5）制造成本低，经济价值高；（6）“纳米”太阳能电池是在单晶、多晶硅中添加了一种“单元介子”，“单元介子”是一种性能优良的太阳能吸收材料，具有梯度能带间隙（导带与价带之间的能级差）多元的半导体材料，可以扩大太阳能吸收光谱范围，进而提高光电转化效率。以它为基础研制的“纳米”太阳能电池光电转换效率比硅薄膜太阳能电池有明显提高，相同面积：“纳米”太阳能电池输出电流是薄膜太阳能电池两倍以上，属于世界的最高水平的光电转化效率！（7）本人自主发明、世界领先。
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正反双面折叠组合式单晶太阳能移动电源
成熟度：通过小试
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
1. 此产品翻盖折叠式机身，外观更时尚、新颖，携带更方便； 2. 采用出口到世界各国的高效率单晶硅太阳能电池芯片，光电转换效率可高达18%，发电面积相对提高3-4倍，发电功率最高可达8W，相对于其它产品在同1小时内可多发12倍左右的电能（市场上多为非晶硅，光电转换效率仅为6%）； 3. 在同等价位此产品中其性能为以往移动电源的升级版，实用性更强，性能更高，市场占有率更大； 4. 项目投资资金少、无大型生产设备、所需人员少、项目研发时间短、产品市场需求大。
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填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，具 体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后，放入单晶 炉或多晶炉中，用于硅晶体生长的初始原料；本发明涉及的该原料硅块的抗压 参数为0.1-50MPa，该原料硅块的纯度为99.99％-99.9999999％。该原料硅块 可以在太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中融熔作为原料硅使用，用 于生产晶体硅棒或硅锭；该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅 片的初始原料用。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能， 不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。
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一种利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
项目简介： 一种利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法，涉及一种一维纳米材料的制备方法。提供一种工艺既简便快捷，又经济环保、反应条件温和的利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法。将0.5～4.0g植物叶干粉加入50mL蒸馏水煮沸，冷却至室温后过滤，滤液用蒸馏水定容至50mL，得浓度为10～80g/L的植物叶提取液；将植物叶提取液与摩尔浓度为0.5～ 8mmol/L的硝酸银溶液混合，置于水浴摇床中振荡反应，得产物单晶银纳米线。
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TDR-GY652型高压单晶炉
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
主要内容：TDR-GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下，采用石墨电阻加热方式，将GaAs、InP等材料合成熔化，已LEC法从熔体中拉制大直径(4"～6")GaAs、InP单晶的专用设备。技术水平：TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备，具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能，具备三段加热能力，可满足生长6"GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平，具有自主的知识产权。主要技术参数:1．熔料量：40kg2．晶体直径：6"3．加热功率120×55×35kW4．最高加热温度1600℃5．主炉室尺寸φ652×1000mm6．冷炉极限真空度1Pa7．充气压力10MPa市场前景:目前，国内市场上还没有具备生长6"GaAs单晶能力的高压单晶生长设备，TDR-GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白，满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。服务方式：出售产品、其它形式的合作面议
找到87项技术成果数据。
找技术>-
厚度不受限制的NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及半导体材料技术领域，具体提供一种NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：提供洁净的Ge(001)基底；将Ge(001)基底置于真空中加热处理，获得预用基底；在真空下对预用基底进行Ni的反应蒸镀处理，使Ge(001)表面形成一层层NiGe单晶膜；在室温下，在NiGe单晶膜表面蒸镀一层Ni膜；在惰性气氛下对Ge(001)基底进行退火处理，使Ni膜扩散过NiGe单晶膜，并以NiGe单晶膜为单晶种子层，和Ge(001)基底发生固相反应，获得厚度不受限制的NiGe单晶薄膜。本方法可获得肖特基势垒低、接触电阻小且热稳定性良好的NiGe单晶薄膜，适用于MOSFET领域。
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正交相黑磷单晶的制备技术
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
黑磷是一种新型的二维材料，由于其较宽的可调控直接带隙、高载流子迁移率和优异的各向异性光电性质，在电子学以及光电子学领域展现了巨大的应用潜力，成为“后石墨烯时代”最受瞩目的二维材料之一。目前，黑磷主要由正交相体块单晶通过机械剥离或者液相剥离得到。因而，高质量正交相黑磷体块单晶是获得这种新型二维材料的前提。传统的合成正交相黑磷体块单晶方法包括超高压合成、基于金属汞或铋的催化合成等。这些方法要么依赖于精密且昂贵的仪器（超高压装置），要么依赖于高毒性的金属做催化剂。同时，所获得的正交相黑磷体块单晶产率不高，晶体的品质和尺寸仍有很大的提升空间。我们发展了一种正交晶系黑磷体块单晶的制备方法，摒弃了传统方法对设备的苛刻要求，也无需高毒性的合成原料，所获得的正交相黑磷体块单晶产率高（90%），成本低，晶体质量好，尺寸大（毫米级）。该制备技术契合当今社会提倡的“绿色化学合成”概念，所获得的正交相黑磷体块单晶既能满足目前材料、物理、化学、电子、光电子等广大学术界对这类材料的供应需求，又能推进其商品化和产业化进程。
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高品质大尺寸微波单晶石榴石薄膜材料
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目共包括10项授权专利，其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术，同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等，共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。（1）建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线，最大尺寸达到3英寸，单面薄膜厚度达到1μm－20μm。（2）单晶薄膜具体微波和磁光参数：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。
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一种铌酸钾钠基压电单晶及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供一种铌酸钾钠基压电单晶，以CaCO3、ZrO2、Li2CO3和Bi2O3作为掺杂原料，以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成，化学式为xCaZrO3‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3)，式中x表示体系中摩尔含量，其中0﹤x≤0.005。 其制备方法包括（1）所用原料均置于烘箱中烘干；（2）按化学式称量原料，球磨；（3）将产物烘干，预烧；（4）再以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯烧结获得单晶。 本发明的优点是显著地提高了铌酸钾钠基单晶的压电性能，其压电常数d33最高达到488。
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暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、发明创造简介： 本发明公开了暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法，采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。本发明操作简单，成本低，重复性和一致性好。 二、创新点： 本发明采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。 三、发明的应用价值和市场前景： 本发明所制备的暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线可望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
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“纳米”太阳能电池
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
世界太阳能电池现状：单晶硅太阳电池的效率为25.0%，多晶硅太阳电池的效率为20.4%，单晶体硅薄膜太阳电池的效率为16.7%，非晶硅薄膜太阳电池的效率为10.1%。“纳米”太阳能电池特点：（1）相同面积，“纳米”太阳能电池输出电流是世界现有太阳能电池的两倍以上；（2）输出电流稳定；（3）应用广泛，卫星、太空站、飞船、地面发电站等；（4）缩小了太阳能电池板面积；（5）制造成本低，经济价值高；（6）“纳米”太阳能电池是在单晶、多晶硅中添加了一种“单元介子”，“单元介子”是一种性能优良的太阳能吸收材料，具有梯度能带间隙（导带与价带之间的能级差）多元的半导体材料，可以扩大太阳能吸收光谱范围，进而提高光电转化效率。以它为基础研制的“纳米”太阳能电池光电转换效率比硅薄膜太阳能电池有明显提高，相同面积：“纳米”太阳能电池输出电流是薄膜太阳能电池两倍以上，属于世界的最高水平的光电转化效率！（7）本人自主发明、世界领先。
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正反双面折叠组合式单晶太阳能移动电源
成熟度：通过小试
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
1. 此产品翻盖折叠式机身，外观更时尚、新颖，携带更方便； 2. 采用出口到世界各国的高效率单晶硅太阳能电池芯片，光电转换效率可高达18%，发电面积相对提高3-4倍，发电功率最高可达8W，相对于其它产品在同1小时内可多发12倍左右的电能（市场上多为非晶硅，光电转换效率仅为6%）； 3. 在同等价位此产品中其性能为以往移动电源的升级版，实用性更强，性能更高，市场占有率更大； 4. 项目投资资金少、无大型生产设备、所需人员少、项目研发时间短、产品市场需求大。
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填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，具 体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后，放入单晶 炉或多晶炉中，用于硅晶体生长的初始原料；本发明涉及的该原料硅块的抗压 参数为0.1-50MPa，该原料硅块的纯度为99.99％-99.9999999％。该原料硅块 可以在太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中融熔作为原料硅使用，用 于生产晶体硅棒或硅锭；该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅 片的初始原料用。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能， 不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。
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一种利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
项目简介： 一种利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法，涉及一种一维纳米材料的制备方法。提供一种工艺既简便快捷，又经济环保、反应条件温和的利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法。将0.5～4.0g植物叶干粉加入50mL蒸馏水煮沸，冷却至室温后过滤，滤液用蒸馏水定容至50mL，得浓度为10～80g/L的植物叶提取液；将植物叶提取液与摩尔浓度为0.5～ 8mmol/L的硝酸银溶液混合，置于水浴摇床中振荡反应，得产物单晶银纳米线。
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TDR-GY652型高压单晶炉
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
主要内容：TDR-GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下，采用石墨电阻加热方式，将GaAs、InP等材料合成熔化，已LEC法从熔体中拉制大直径(4"～6")GaAs、InP单晶的专用设备。技术水平：TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备，具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能，具备三段加热能力，可满足生长6"GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平，具有自主的知识产权。主要技术参数:1．熔料量：40kg2．晶体直径：6"3．加热功率120×55×35kW4．最高加热温度1600℃5．主炉室尺寸φ652×1000mm6．冷炉极限真空度1Pa7．充气压力10MPa市场前景:目前，国内市场上还没有具备生长6"GaAs单晶能力的高压单晶生长设备，TDR-GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白，满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。服务方式：出售产品、其它形式的合作面议
找到87项技术成果数据。
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厚度不受限制的NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及半导体材料技术领域，具体提供一种NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：提供洁净的Ge(001)基底；将Ge(001)基底置于真空中加热处理，获得预用基底；在真空下对预用基底进行Ni的反应蒸镀处理，使Ge(001)表面形成一层层NiGe单晶膜；在室温下，在NiGe单晶膜表面蒸镀一层Ni膜；在惰性气氛下对Ge(001)基底进行退火处理，使Ni膜扩散过NiGe单晶膜，并以NiGe单晶膜为单晶种子层，和Ge(001)基底发生固相反应，获得厚度不受限制的NiGe单晶薄膜。本方法可获得肖特基势垒低、接触电阻小且热稳定性良好的NiGe单晶薄膜，适用于MOSFET领域。
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正交相黑磷单晶的制备技术
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
黑磷是一种新型的二维材料，由于其较宽的可调控直接带隙、高载流子迁移率和优异的各向异性光电性质，在电子学以及光电子学领域展现了巨大的应用潜力，成为“后石墨烯时代”最受瞩目的二维材料之一。目前，黑磷主要由正交相体块单晶通过机械剥离或者液相剥离得到。因而，高质量正交相黑磷体块单晶是获得这种新型二维材料的前提。传统的合成正交相黑磷体块单晶方法包括超高压合成、基于金属汞或铋的催化合成等。这些方法要么依赖于精密且昂贵的仪器（超高压装置），要么依赖于高毒性的金属做催化剂。同时，所获得的正交相黑磷体块单晶产率不高，晶体的品质和尺寸仍有很大的提升空间。我们发展了一种正交晶系黑磷体块单晶的制备方法，摒弃了传统方法对设备的苛刻要求，也无需高毒性的合成原料，所获得的正交相黑磷体块单晶产率高（90%），成本低，晶体质量好，尺寸大（毫米级）。该制备技术契合当今社会提倡的“绿色化学合成”概念，所获得的正交相黑磷体块单晶既能满足目前材料、物理、化学、电子、光电子等广大学术界对这类材料的供应需求，又能推进其商品化和产业化进程。
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高品质大尺寸微波单晶石榴石薄膜材料
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目共包括10项授权专利，其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术，同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等，共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。（1）建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线，最大尺寸达到3英寸，单面薄膜厚度达到1μm－20μm。（2）单晶薄膜具体微波和磁光参数：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。
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一种铌酸钾钠基压电单晶及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供一种铌酸钾钠基压电单晶，以CaCO3、ZrO2、Li2CO3和Bi2O3作为掺杂原料，以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成，化学式为xCaZrO3‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3)，式中x表示体系中摩尔含量，其中0﹤x≤0.005。 其制备方法包括（1）所用原料均置于烘箱中烘干；（2）按化学式称量原料，球磨；（3）将产物烘干，预烧；（4）再以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯烧结获得单晶。 本发明的优点是显著地提高了铌酸钾钠基单晶的压电性能，其压电常数d33最高达到488。
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暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
一、发明创造简介： 本发明公开了暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法，采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。本发明操作简单，成本低，重复性和一致性好。 二、创新点： 本发明采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。 三、发明的应用价值和市场前景： 本发明所制备的暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线可望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
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“纳米”太阳能电池
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
世界太阳能电池现状：单晶硅太阳电池的效率为25.0%，多晶硅太阳电池的效率为20.4%，单晶体硅薄膜太阳电池的效率为16.7%，非晶硅薄膜太阳电池的效率为10.1%。“纳米”太阳能电池特点：（1）相同面积，“纳米”太阳能电池输出电流是世界现有太阳能电池的两倍以上；（2）输出电流稳定；（3）应用广泛，卫星、太空站、飞船、地面发电站等；（4）缩小了太阳能电池板面积；（5）制造成本低，经济价值高；（6）“纳米”太阳能电池是在单晶、多晶硅中添加了一种“单元介子”，“单元介子”是一种性能优良的太阳能吸收材料，具有梯度能带间隙（导带与价带之间的能级差）多元的半导体材料，可以扩大太阳能吸收光谱范围，进而提高光电转化效率。以它为基础研制的“纳米”太阳能电池光电转换效率比硅薄膜太阳能电池有明显提高，相同面积：“纳米”太阳能电池输出电流是薄膜太阳能电池两倍以上，属于世界的最高水平的光电转化效率！（7）本人自主发明、世界领先。
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正反双面折叠组合式单晶太阳能移动电源
成熟度：通过小试
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
1. 此产品翻盖折叠式机身，外观更时尚、新颖，携带更方便； 2. 采用出口到世界各国的高效率单晶硅太阳能电池芯片，光电转换效率可高达18%，发电面积相对提高3-4倍，发电功率最高可达8W，相对于其它产品在同1小时内可多发12倍左右的电能（市场上多为非晶硅，光电转换效率仅为6%）； 3. 在同等价位此产品中其性能为以往移动电源的升级版，实用性更强，性能更高，市场占有率更大； 4. 项目投资资金少、无大型生产设备、所需人员少、项目研发时间短、产品市场需求大。
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填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，具 体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后，放入单晶 炉或多晶炉中，用于硅晶体生长的初始原料；本发明涉及的该原料硅块的抗压 参数为0.1-50MPa，该原料硅块的纯度为99.99％-99.9999999％。该原料硅块 可以在太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中融熔作为原料硅使用，用 于生产晶体硅棒或硅锭；该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅 片的初始原料用。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能， 不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。
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一种利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
项目简介： 一种利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法，涉及一种一维纳米材料的制备方法。提供一种工艺既简便快捷，又经济环保、反应条件温和的利用植物生物质还原制备单晶银纳米线的方法。将0.5～4.0g植物叶干粉加入50mL蒸馏水煮沸，冷却至室温后过滤，滤液用蒸馏水定容至50mL，得浓度为10～80g/L的植物叶提取液；将植物叶提取液与摩尔浓度为0.5～ 8mmol/L的硝酸银溶液混合，置于水浴摇床中振荡反应，得产物单晶银纳米线。
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TDR-GY652型高压单晶炉
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
主要内容：TDR-GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下，采用石墨电阻加热方式，将GaAs、InP等材料合成熔化，已LEC法从熔体中拉制大直径(4"～6")GaAs、InP单晶的专用设备。技术水平：TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备，具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能，具备三段加热能力，可满足生长6"GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平，具有自主的知识产权。主要技术参数:1．熔料量：40kg2．晶体直径：6"3．加热功率120×55×35kW4．最高加热温度1600℃5．主炉室尺寸φ652×1000mm6．冷炉极限真空度1Pa7．充气压力10MPa市场前景:目前，国内市场上还没有具备生长6"GaAs单晶能力的高压单晶生长设备，TDR-GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白，满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。服务方式：出售产品、其它形式的合作面议