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一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区和n型缓冲区，第一p型阱区的顶部嵌入n型阴极区和第一p阱欧姆接触区，n型缓冲区的顶部嵌入第二p型阱区和阳极短路点区，第二p型阱区的顶部嵌入第二p阱欧姆接触区；器件单元顶部设置有阴极金属电极和阳极金属电极，n型阴极区的顶部设置有第一场氧化层，n型轻掺杂漂移区的顶部设置有第二场氧化层。本发明提高了器件的纵向耐压，改善了器件的纵向击穿特性，使器件能够适应更高压，更大电流的工作条件，并改善器件的热特性。
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一种高压LDMOS器件
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。
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一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法，该器件一方面采用槽型栅代替常规平面栅，同时将漏极重掺杂区延伸至与漂移区同等深度，使得漂移区超结中P柱与N柱分别接低电位与高电位，PN结在反向电场下更易耗尽；另一方面还将变掺杂思想引入新结构，将漂移区中的P柱区进行阶梯掺杂，掺杂浓度由源极至漏极逐渐降低。本发明的新型阶梯掺杂P柱区的二维类超结LDMOS结构可以消除衬底辅助耗尽效应，平衡漂移区电荷，提高器件击穿电压的同时保持了较好的导通特性；并且，工艺简单，易于制造，可进一步降低生产成本。
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一种具有高K绝缘区的横向功率器件
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种具有高K绝缘区的横向功率器件，它是在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘柱区，所述的高K绝缘区与N型柱区交替排列，绝缘柱区延伸至半导体体区的内部。具有高介电常数的绝缘区具有降场的作用，通过增大绝缘柱区的介电常数能够优化漂移区的表面电场分布及最优漂移区浓度，从而提高器件的耐压特性与导通特性。采用该结构制造的横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT具有击穿电压高，导通电阻低，工艺简单，成本低廉等优点。
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基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。 本实用新型通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压，并使得器件的阻断特性获得显著改善。
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一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区和n型缓冲区，第一p型阱区的顶部嵌入n型阴极区和第一p阱欧姆接触区，n型缓冲区的顶部嵌入第二p型阱区和阳极短路点区，第二p型阱区的顶部嵌入第二p阱欧姆接触区；器件单元顶部设置有阴极金属电极和阳极金属电极，n型阴极区的顶部设置有第一场氧化层，n型轻掺杂漂移区的顶部设置有第二场氧化层。本发明提高了器件的纵向耐压，改善了器件的纵向击穿特性，使器件能够适应更高压，更大电流的工作条件，并改善器件的热特性。
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一种高压LDMOS器件
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。
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一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法，该器件一方面采用槽型栅代替常规平面栅，同时将漏极重掺杂区延伸至与漂移区同等深度，使得漂移区超结中P柱与N柱分别接低电位与高电位，PN结在反向电场下更易耗尽；另一方面还将变掺杂思想引入新结构，将漂移区中的P柱区进行阶梯掺杂，掺杂浓度由源极至漏极逐渐降低。本发明的新型阶梯掺杂P柱区的二维类超结LDMOS结构可以消除衬底辅助耗尽效应，平衡漂移区电荷，提高器件击穿电压的同时保持了较好的导通特性；并且，工艺简单，易于制造，可进一步降低生产成本。
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一种具有高K绝缘区的横向功率器件
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种具有高K绝缘区的横向功率器件，它是在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘柱区，所述的高K绝缘区与N型柱区交替排列，绝缘柱区延伸至半导体体区的内部。具有高介电常数的绝缘区具有降场的作用，通过增大绝缘柱区的介电常数能够优化漂移区的表面电场分布及最优漂移区浓度，从而提高器件的耐压特性与导通特性。采用该结构制造的横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT具有击穿电压高，导通电阻低，工艺简单，成本低廉等优点。
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基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。 本实用新型通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压，并使得器件的阻断特性获得显著改善。
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一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区和n型缓冲区，第一p型阱区的顶部嵌入n型阴极区和第一p阱欧姆接触区，n型缓冲区的顶部嵌入第二p型阱区和阳极短路点区，第二p型阱区的顶部嵌入第二p阱欧姆接触区；器件单元顶部设置有阴极金属电极和阳极金属电极，n型阴极区的顶部设置有第一场氧化层，n型轻掺杂漂移区的顶部设置有第二场氧化层。本发明提高了器件的纵向耐压，改善了器件的纵向击穿特性，使器件能够适应更高压，更大电流的工作条件，并改善器件的热特性。
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一种高压LDMOS器件
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。
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一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法，该器件一方面采用槽型栅代替常规平面栅，同时将漏极重掺杂区延伸至与漂移区同等深度，使得漂移区超结中P柱与N柱分别接低电位与高电位，PN结在反向电场下更易耗尽；另一方面还将变掺杂思想引入新结构，将漂移区中的P柱区进行阶梯掺杂，掺杂浓度由源极至漏极逐渐降低。本发明的新型阶梯掺杂P柱区的二维类超结LDMOS结构可以消除衬底辅助耗尽效应，平衡漂移区电荷，提高器件击穿电压的同时保持了较好的导通特性；并且，工艺简单，易于制造，可进一步降低生产成本。
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一种具有高K绝缘区的横向功率器件
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种具有高K绝缘区的横向功率器件，它是在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘柱区，所述的高K绝缘区与N型柱区交替排列，绝缘柱区延伸至半导体体区的内部。具有高介电常数的绝缘区具有降场的作用，通过增大绝缘柱区的介电常数能够优化漂移区的表面电场分布及最优漂移区浓度，从而提高器件的耐压特性与导通特性。采用该结构制造的横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT具有击穿电压高，导通电阻低，工艺简单，成本低廉等优点。
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基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。 本实用新型通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压，并使得器件的阻断特性获得显著改善。
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一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区和n型缓冲区，第一p型阱区的顶部嵌入n型阴极区和第一p阱欧姆接触区，n型缓冲区的顶部嵌入第二p型阱区和阳极短路点区，第二p型阱区的顶部嵌入第二p阱欧姆接触区；器件单元顶部设置有阴极金属电极和阳极金属电极，n型阴极区的顶部设置有第一场氧化层，n型轻掺杂漂移区的顶部设置有第二场氧化层。本发明提高了器件的纵向耐压，改善了器件的纵向击穿特性，使器件能够适应更高压，更大电流的工作条件，并改善器件的热特性。
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一种高压LDMOS器件
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。
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一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法，该器件一方面采用槽型栅代替常规平面栅，同时将漏极重掺杂区延伸至与漂移区同等深度，使得漂移区超结中P柱与N柱分别接低电位与高电位，PN结在反向电场下更易耗尽；另一方面还将变掺杂思想引入新结构，将漂移区中的P柱区进行阶梯掺杂，掺杂浓度由源极至漏极逐渐降低。本发明的新型阶梯掺杂P柱区的二维类超结LDMOS结构可以消除衬底辅助耗尽效应，平衡漂移区电荷，提高器件击穿电压的同时保持了较好的导通特性；并且，工艺简单，易于制造，可进一步降低生产成本。
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一种具有高K绝缘区的横向功率器件
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技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种具有高K绝缘区的横向功率器件，它是在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘柱区，所述的高K绝缘区与N型柱区交替排列，绝缘柱区延伸至半导体体区的内部。具有高介电常数的绝缘区具有降场的作用，通过增大绝缘柱区的介电常数能够优化漂移区的表面电场分布及最优漂移区浓度，从而提高器件的耐压特性与导通特性。采用该结构制造的横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT具有击穿电压高，导通电阻低，工艺简单，成本低廉等优点。
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基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件
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技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。 本实用新型通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压，并使得器件的阻断特性获得显著改善。
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成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区和n型缓冲区，第一p型阱区的顶部嵌入n型阴极区和第一p阱欧姆接触区，n型缓冲区的顶部嵌入第二p型阱区和阳极短路点区，第二p型阱区的顶部嵌入第二p阱欧姆接触区；器件单元顶部设置有阴极金属电极和阳极金属电极，n型阴极区的顶部设置有第一场氧化层，n型轻掺杂漂移区的顶部设置有第二场氧化层。本发明提高了器件的纵向耐压，改善了器件的纵向击穿特性，使器件能够适应更高压，更大电流的工作条件，并改善器件的热特性。
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技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。
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一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
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本发明公开了一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法，该器件一方面采用槽型栅代替常规平面栅，同时将漏极重掺杂区延伸至与漂移区同等深度，使得漂移区超结中P柱与N柱分别接低电位与高电位，PN结在反向电场下更易耗尽；另一方面还将变掺杂思想引入新结构，将漂移区中的P柱区进行阶梯掺杂，掺杂浓度由源极至漏极逐渐降低。本发明的新型阶梯掺杂P柱区的二维类超结LDMOS结构可以消除衬底辅助耗尽效应，平衡漂移区电荷，提高器件击穿电压的同时保持了较好的导通特性；并且，工艺简单，易于制造，可进一步降低生产成本。
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技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种具有高K绝缘区的横向功率器件，它是在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘柱区，所述的高K绝缘区与N型柱区交替排列，绝缘柱区延伸至半导体体区的内部。具有高介电常数的绝缘区具有降场的作用，通过增大绝缘柱区的介电常数能够优化漂移区的表面电场分布及最优漂移区浓度，从而提高器件的耐压特性与导通特性。采用该结构制造的横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT具有击穿电压高，导通电阻低，工艺简单，成本低廉等优点。
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成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。 本实用新型通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压，并使得器件的阻断特性获得显著改善。
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应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区和n型缓冲区，第一p型阱区的顶部嵌入n型阴极区和第一p阱欧姆接触区，n型缓冲区的顶部嵌入第二p型阱区和阳极短路点区，第二p型阱区的顶部嵌入第二p阱欧姆接触区；器件单元顶部设置有阴极金属电极和阳极金属电极，n型阴极区的顶部设置有第一场氧化层，n型轻掺杂漂移区的顶部设置有第二场氧化层。本发明提高了器件的纵向耐压，改善了器件的纵向击穿特性，使器件能够适应更高压，更大电流的工作条件，并改善器件的热特性。
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应用行业：制造业
技术简介
本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。
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一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法，该器件一方面采用槽型栅代替常规平面栅，同时将漏极重掺杂区延伸至与漂移区同等深度，使得漂移区超结中P柱与N柱分别接低电位与高电位，PN结在反向电场下更易耗尽；另一方面还将变掺杂思想引入新结构，将漂移区中的P柱区进行阶梯掺杂，掺杂浓度由源极至漏极逐渐降低。本发明的新型阶梯掺杂P柱区的二维类超结LDMOS结构可以消除衬底辅助耗尽效应，平衡漂移区电荷，提高器件击穿电压的同时保持了较好的导通特性；并且，工艺简单，易于制造，可进一步降低生产成本。
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一种具有高K绝缘区的横向功率器件
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技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种具有高K绝缘区的横向功率器件，它是在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘柱区，所述的高K绝缘区与N型柱区交替排列，绝缘柱区延伸至半导体体区的内部。具有高介电常数的绝缘区具有降场的作用，通过增大绝缘柱区的介电常数能够优化漂移区的表面电场分布及最优漂移区浓度，从而提高器件的耐压特性与导通特性。采用该结构制造的横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT具有击穿电压高，导通电阻低，工艺简单，成本低廉等优点。
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本实用新型公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。 本实用新型通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压，并使得器件的阻断特性获得显著改善。
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成熟度：正在研发
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应用行业：制造业
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摘要：本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区和n型缓冲区，第一p型阱区的顶部嵌入n型阴极区和第一p阱欧姆接触区，n型缓冲区的顶部嵌入第二p型阱区和阳极短路点区，第二p型阱区的顶部嵌入第二p阱欧姆接触区；器件单元顶部设置有阴极金属电极和阳极金属电极，n型阴极区的顶部设置有第一场氧化层，n型轻掺杂漂移区的顶部设置有第二场氧化层。本发明提高了器件的纵向耐压，改善了器件的纵向击穿特性，使器件能够适应更高压，更大电流的工作条件，并改善器件的热特性。
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技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。
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应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法，该器件一方面采用槽型栅代替常规平面栅，同时将漏极重掺杂区延伸至与漂移区同等深度，使得漂移区超结中P柱与N柱分别接低电位与高电位，PN结在反向电场下更易耗尽；另一方面还将变掺杂思想引入新结构，将漂移区中的P柱区进行阶梯掺杂，掺杂浓度由源极至漏极逐渐降低。本发明的新型阶梯掺杂P柱区的二维类超结LDMOS结构可以消除衬底辅助耗尽效应，平衡漂移区电荷，提高器件击穿电压的同时保持了较好的导通特性；并且，工艺简单，易于制造，可进一步降低生产成本。
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一种具有高K绝缘区的横向功率器件
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种具有高K绝缘区的横向功率器件，它是在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘柱区，所述的高K绝缘区与N型柱区交替排列，绝缘柱区延伸至半导体体区的内部。具有高介电常数的绝缘区具有降场的作用，通过增大绝缘柱区的介电常数能够优化漂移区的表面电场分布及最优漂移区浓度，从而提高器件的耐压特性与导通特性。采用该结构制造的横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT具有击穿电压高，导通电阻低，工艺简单，成本低廉等优点。
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基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。 本实用新型通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压，并使得器件的阻断特性获得显著改善。
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一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区和n型缓冲区，第一p型阱区的顶部嵌入n型阴极区和第一p阱欧姆接触区，n型缓冲区的顶部嵌入第二p型阱区和阳极短路点区，第二p型阱区的顶部嵌入第二p阱欧姆接触区；器件单元顶部设置有阴极金属电极和阳极金属电极，n型阴极区的顶部设置有第一场氧化层，n型轻掺杂漂移区的顶部设置有第二场氧化层。本发明提高了器件的纵向耐压，改善了器件的纵向击穿特性，使器件能够适应更高压，更大电流的工作条件，并改善器件的热特性。
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一种高压LDMOS器件
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。
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一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法，该器件一方面采用槽型栅代替常规平面栅，同时将漏极重掺杂区延伸至与漂移区同等深度，使得漂移区超结中P柱与N柱分别接低电位与高电位，PN结在反向电场下更易耗尽；另一方面还将变掺杂思想引入新结构，将漂移区中的P柱区进行阶梯掺杂，掺杂浓度由源极至漏极逐渐降低。本发明的新型阶梯掺杂P柱区的二维类超结LDMOS结构可以消除衬底辅助耗尽效应，平衡漂移区电荷，提高器件击穿电压的同时保持了较好的导通特性；并且，工艺简单，易于制造，可进一步降低生产成本。
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一种具有高K绝缘区的横向功率器件
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种具有高K绝缘区的横向功率器件，它是在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘柱区，所述的高K绝缘区与N型柱区交替排列，绝缘柱区延伸至半导体体区的内部。具有高介电常数的绝缘区具有降场的作用，通过增大绝缘柱区的介电常数能够优化漂移区的表面电场分布及最优漂移区浓度，从而提高器件的耐压特性与导通特性。采用该结构制造的横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT具有击穿电压高，导通电阻低，工艺简单，成本低廉等优点。
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基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
本实用新型公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。 本实用新型通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压，并使得器件的阻断特性获得显著改善。