概况
根据本月的专利技术动态,汇总了50项专利,这些专利横跨多个不同的技术领域。其中,发明专利47项,实用新型专利3项。总共涉及242位发明人,申请人则来自38个不同主体,包括29家企业实体和9所高校或研究机构。
技术领域分布
光刻工艺与设备 |
13 |
G03F7/16:涂覆基材以进行光刻。 |
新型光刻技术与应用 |
10 |
G03F7/075:彩色光刻胶及其应用。 |
电子器件制造与封装 |
10 |
H01L21/28:半导体器件电极形成。 |
其他相关技术 |
10 |
A61L27:生物活性材料与骨支架。 |
光刻胶材料及制备 |
9 |
G03F7/004:对用于光刻术的材料进行辐射敏感测试。 |
材料科学与3D打印 |
9 |
C08F120/14:可穿透性光固化材料。 |
数据分析与模拟优化 |
6 |
G06F30/27:光刻胶稳定性优化系统。 |

图片来源:技术发展分析报告
申请人排行

申请人排行AI解析内容
根据所掌握的数据,可以归纳整理出以下关于“光刻胶材料”技术领域专利申请人的单位类型、地域分布及研发竞争情况的分析:
一、单位类型分析:
企业类申请人:在排名前10的专利申请人中,有7家为科技型企业或制造企业,包括北京北旭电子材料有限公司、北旭(湖北)电子材料有限公司、上海华力集成电路制造有限公司、浙江创芯集成电路有限公司、明贤电子材料科技(南通)有限公司、江苏雅克科技股份有限公司和江苏先科半导体新材料有限公司。这些企业多集中在电子材料、集成电路制造等产业领域,表明企业在该技术领域的研发活动中具有较强的市场导向和技术转化能力。
科研机构与高校:中国科学院理化技术研究所和西北工业大学作为科研机构和高校代表,也进入了前10名,显示出科研机构在基础研究和前沿技术探索方面仍发挥着重要作用。
国家实验室:合肥国家实验室的出现则说明国家级科研平台也在该技术领域积极参与研发,可能承担了部分战略性、基础性科研任务。
二、地域分布分析:
从地域来看,前10名申请人分布在以下几个地区:
北京市:北京北旭电子材料有限公司、中国科学院理化技术研究所;
湖北省:北旭(湖北)电子材料有限公司;
上海市:上海华力集成电路制造有限公司;
浙江省:浙江创芯集成电路有限公司;
安徽省:合肥国家实验室;
江苏省:明贤电子材料科技(南通)有限公司、江苏雅克科技股份有限公司、江苏先科半导体新材料有限公司;
陕西省:西北工业大学。
可以看出,江苏省以3家企业位居首位,其次是北京(2家)、湖北、上海、浙江、安徽、陕西各1家。这反映出华东地区(尤其是江苏、上海、浙江)在光刻胶材料领域的研发活动较为活跃,具备较强的技术集聚效应。
三、数量分布与竞争格局分析:
所有前10名申请人的专利数量均为2项,占比均为3.33%,呈现出明显的均势竞争格局。
没有单一主体占据绝对优势,说明目前该技术领域的研发尚处于多方参与、分散布局的发展阶段。
各类主体(企业、高校、科研机构)之间的专利数量相近,表明不同类型的创新主体在该领域均有不同程度的技术积累和布局。
四、总结分析:
根据所掌握的数据,可以初步判断,“光刻胶材料”这一技术领域目前呈现多元化竞争态势,企业是主要的研发力量,尤其以华东地区的科技企业为主导;同时,科研机构和高校也在积极介入,推动基础研究与应用开发的结合。整体来看,该领域尚未形成明显的头部垄断格局,仍处于技术积累和市场拓展并行的阶段,未来可能出现更激烈的专利竞争和整合趋势。对于有意进入该领域的机构而言,加强产学研合作、加快专利布局将是提升竞争力的关键路径。
专利地域分布

专利地域分布AI解析内容
根据所掌握的数据,可以分析得出以下关于光刻胶材料领域各地区技术创新能力和活跃程度及竞争情况的总结:
江苏以10项专利、20%的占比位居全国第一,显示出较强的创新能力与技术积累。这表明江苏在该领域的研发投入较大,可能是国内光刻胶材料技术研发的核心区域之一。
上海紧随其后,拥有9项专利,占比18%,体现出作为经济和科技中心的技术优势。上海在高端材料研发方面具有良好的产业基础和人才储备,具备较强的竞争潜力。
北京与山东并列第三,各有5项专利,分别占10%。北京依托高校和科研机构密集的优势,在前沿技术研发方面具有一定实力;而山东则可能通过本地企业或产学研合作推动了相关技术的发展。
浙江与广东各拥有4项专利,占比均为8%。这两个省份作为制造业大省,在新材料产业化方面具有明显优势,说明其不仅关注技术研究,也注重将研究成果转化为实际应用。
陕西有3项专利,占比6%,显示其在光刻胶材料领域也有一定的技术布局,可能与其军工、半导体等重点产业发展有关。
四川、辽宁、吉林等地专利数量较少,分别为2项、1项、1项,合计仅占8%。这些地区的创新活跃度相对较低,可能受限于产业基础、资金投入或技术资源等因素,目前在该领域的竞争力较弱。
总体来看,**长三角地区(江苏、上海、浙江)**是光刻胶材料领域技术创新最为活跃的区域,占据了近46%的专利份额,显示出明显的集群效应和协同创新能力。**京津冀鲁地区(北京、山东)**也构成了另一个重要的技术集聚区。相比之下,中西部和东北地区虽然有一定参与,但整体仍处于起步阶段。
从竞争格局来看,江苏和上海处于领先地位,未来有望进一步巩固其技术优势;北京、山东、浙江、广东等地区具备较强发展潜力,可能成为后续市场竞争的重要参与者;其余地区则需加大政策扶持和技术投入,以提升在该领域的核心竞争力。
法律状态分布

法律状态分布AI解析内容
根据所掌握的数据,可以判断光刻胶材料领域的专利活跃程度较高。具体来看,该领域中处于“公开”状态的专利数量最多,占比达到61.36%,表明当前有大量的新申请专利正在披露,技术创新和研发活动较为频繁。此外,“实质审查的生效”状态的专利占比15.91%,说明部分专利已进入深入审查阶段,未来可能有较多的授权专利产生。
尽管“授权”状态的专利仅占22.73%,但结合其他两个状态的比例来看,该技术领域仍处于快速发展阶段,企业和研究机构在该领域的技术布局仍在持续加强。因此,光刻胶材料领域的整体专利活跃度较高,具有较强的技术创新动力和发展潜力。
创新点与技术突破
创新点:
光刻胶材料优化 |
通过新型材料组合提升光刻胶的分辨率和稳定性,适用于多种波长光刻工艺。 |
一种基于有机-无机杂化树脂的高分辨率光刻胶材料及制备方法 |
光刻胶涂覆技术 |
提出变速动态RRC涂覆方法,提高晶圆表面光刻胶均匀性和平整度。 |
一种晶圆上变速动态RRC光阻涂覆的方法 |
柔性电子器件制造 |
采用转印空穴传输层技术,提升钙钛矿发光器件的性能与可靠性。 |
一种利用转印空穴传输层制备钙钛矿发光器件的方法 |
3D打印光敏材料 |
研发可穿透性光固化光敏树脂材料,增强3D打印复杂结构的能力。 |
一种可穿透性光固化光敏树脂材料及其制备方法 |
光刻污染控制 |
提供光刻污染物处理方案,有效延长光刻设备使用寿命并提高良率。 |
光刻污染物的处理方法、设备及光刻机 |
紫外导电浆料 |
研制紫外光固化导电浆料,加快电子器件制造过程中的连接层成型速度。 |
一种紫外光固化导电浆料及其制备方法 |
生物医用材料 |
开发具有光热治疗功能的PLA纳米CuS复合涂层骨支架,拓展医疗应用领域。 |
一种具有光热治疗功能的PLA纳米CuS复合涂层的羟基磷灰石/58S生物活性玻璃复合陶瓷骨支架的制备方法 |
HEMT器件制造 |
实现一次光刻完成HEMT栅极、源极和漏极的制作,简化制造流程。 |
一次光刻制作HEMT的栅极、源极和漏极的方法 |
牙科3D打印材料 |
推出用于牙套制造的杂化改性光敏树脂,提升齿科打印件的强度和精度。 |
一种杂化改性光敏树脂及其制备方法和3D打印光敏树脂及其牙套 |
柔性光电探测器 |
基于Ta-2PtSe-7合金制备10.6μm柔性光电探测器,拓展红外探测应用场景。 |
一种基于新型Ta-2PtSe-7合金的10.6μm柔性光电探测器的制备 |
技术突破:
深孔匀胶技术 |
改进深孔结构中的光刻胶涂覆工艺,显著提升硅深孔内胶层的平整度。 |
一种提高深孔硅匀胶平整度的方法 |
非化学放大光刻胶 |
开发适用于多波长光刻的香豆素类非化学放大型光刻胶,拓宽应用范围。 |
一类适用于多种波长光刻的香豆素类非化学放大型光刻胶及其制备方法和应用 |
MEMS微结构加工 |
实现深孔内金属图形化的精确控制,提升MEMS器件的制造精度。 |
一种MEMS刻蚀深孔内金属图形化的方法 |
碳化硅陶瓷打印 |
开发高精度可光固化打印碳化硅陶瓷浆料,推动高性能陶瓷制品制造。 |
高精度可光固化打印碳化硅陶瓷浆料及制备方法、制备碳化硅陶瓷制品的方法 |
多重曝光兼容光刻胶 |
设计适配多重曝光的宽工艺窗口光刻胶,提升光刻精度和工艺灵活性。 |
一种适配多重曝光的宽工艺窗口光刻胶及其制备方法和应用 |
光学补偿技术 |
提出补偿曝光机光学透镜眩光的方法,改善光刻成像质量。 |
补偿曝光机光学透镜眩光的方法 |
湿法光刻胶添加剂 |
引入193nm湿法光刻胶专用添加剂,提升光刻分辨率和工艺适应性。 |
一种193nm湿法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用 |
光刻胶剥离液 |
开发低腐蚀碱性光刻胶剥离液,减少对基材损伤并提高清洗效率。 |
一种低腐蚀的碱性光刻胶剥离液及其制备方法与应用 |
微透镜阵列制造 |
提出微透镜球面阵列的高效制备方法,满足光学系统微型化需求。 |
制备微透镜球面阵列的方法及系统 |
环保型光刻胶 |
开发无挥发性溶剂的光刻胶配方,降低环境污染和健康风险。 |
一种无挥发性溶剂的光刻胶及其制备方法 |
应用前景
以下是基于应用前景的简要分析及排行:
1 |
一种晶圆上变速动态RRC光阻涂覆的方法 |
该方法可提升晶圆光阻涂覆均匀性与效率,适用于高密度集成电路制造,有助于提高芯片良率和性能。 |
2 |
光固化组合物及光刻胶 |
适用于多种光刻工艺,特别是在高分辨率光刻中具有广泛应用前景,可用于先进半导体和显示器件的制造。 |
3 |
一种利用转印空穴传输层制备钙钛矿发光器件的方法 |
提升钙钛矿发光器件的性能与稳定性,适用于下一代高效柔性OLED显示技术的发展。 |
4 |
一种优化光刻胶稳定性的制备方法、系统及光刻胶 |
增强光刻胶在复杂环境下的稳定性,适用于高端光刻工艺,提升光刻精度和产品一致性。 |
5 |
一种MEMS刻蚀深孔内金属图形化的方法 |
解决MEMS器件中深孔金属图形化难题,适用于惯性传感器、压力传感器等微型器件的制造。 |
6 |
基于四核的有机锡配合物及其在光刻中的应用 |
提供新型光刻材料,适用于高分辨率光刻工艺,有望提升光刻胶的感光性能和图案清晰度。 |
7 |
一种高分辨率的显示面板用光刻胶制备方法及系统 |
满足高分辨率显示面板制造需求,适用于AMOLED和Mini/Micro LED等新兴显示技术。 |
8 |
检测验证光学辅助栅光学成像的方法 |
提升光刻成像质量评估能力,适用于先进光刻设备的工艺控制与优化。 |
9 |
一种杂化改性光敏树脂及其制备方法和3D打印光敏树脂及其牙套 |
拓展3D打印在齿科领域的应用,提升牙科定制产品的精度与适配性。 |
10 |
高精度可光固化打印碳化硅陶瓷浆料及制备方法、制备碳化硅陶瓷制品的方法 |
推动高性能陶瓷在航空航天、电子封装等高温高强场景的应用。 |
11 |
预埋牺牲层的半导体器件及其制造方法 |
提升器件结构设计灵活性,适用于三维集成和先进封装技术。 |
12 |
一种柔性温度传感器制造方法 |
促进柔性电子在穿戴设备、智能医疗等领域的应用发展。 |
13 |
光刻胶涂覆设备 |
提升光刻工艺基础设备性能,适用于各类半导体和显示制造产线。 |
14 |
一种空气桥微结构芯片的光刻掩模方法 |
支持高频通信器件和MEMS器件的精细化制造,适用于5G通信和物联网设备。 |
15 |
一种工业大数据治理方法及系统 |
提升制造业数据管理与分析能力,适用于智能制造和工业4.0转型。 |
16 |
补偿曝光机光学透镜眩光的方法 |
改善光刻成像质量,适用于193nm ArF等高端光刻设备的工艺优化。 |
17 |
一类适用于多种波长光刻的香豆素类非化学放大型光刻胶及其制备方法和应用 |
拓宽光刻胶适用范围,适用于多波长光刻系统和低成本制造工艺。 |
18 |
一种提高深孔硅匀胶平整度的方法 |
提升深孔结构光刻质量,适用于MEMS、TSV等三维结构制造。 |
19 |
分栅存储器及其形成方法 |
优化存储器结构,适用于高密度非易失性存储器的发展。 |
20 |
一种低腐蚀的碱性光刻胶剥离液及其制备方法与应用 |
降低工艺对基材损伤,适用于精细金属线路和柔性基板制造。 |
21 |
一种可穿透性光固化光敏树脂材料及其制备方法 |
提升3D打印材料性能,适用于复杂结构的快速成型制造。 |
22 |
光刻胶组合物及其制备方法、应用 |
丰富光刻材料选择,适用于不同工艺节点的光刻需求。 |
23 |
制备微透镜球面阵列的方法及系统 |
提升光学元件制造精度,适用于摄像头模组、AR/VR等光学系统。 |
24 |
一种碲烯光电探测器阵列的制备方法及其应用 |
推动新型二维材料在红外探测、成像等领域的应用。 |
25 |
一种提高硅基OLED中银电极精度的方法 |
提升OLED器件性能,适用于高亮度、高对比度显示产品。 |
26 |
一种适配多重曝光的宽工艺窗口光刻胶及其制备方法和应用 |
支持多重曝光工艺,适用于7nm以下先进制程的光刻需求。 |
27 |
一种紫外光固化导电浆料及其制备方法 |
提升电子器件制造效率,适用于柔性电路和透明导电膜的印刷。 |
28 |
光刻污染物的处理方法、设备及光刻机 |
保障光刻工艺洁净度,适用于EUV等高端光刻设备的维护与运行。 |
29 |
一种193nm湿法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用 |
提升湿法光刻性能,适用于ArF浸没式光刻工艺。 |
30 |
一次光刻制作HEMT的栅极、源极和漏极的方法 |
简化HEMT器件制造流程,适用于高频功率器件的量产。 |
31 |
芯片粘接方法 |
提升封装可靠性,适用于先进封装和异构集成技术。 |
32 |
一种基于三层混合掩模的三重光刻以实现仿沙垄气动减阻分形微纳结构的制造方法 |
拓展光刻在仿生结构制造中的应用,适用于航空、流体动力学等领域。 |
33 |
一种基于光刻胶单体的彩色光刻胶及彩色滤光片 |
提升显示色彩表现力,适用于LCD和CMOS图像传感器制造。 |
34 |
一种具有光热治疗功能的PLA纳米CuS复合涂层的羟基磷灰石/58S生物活性玻璃复合陶瓷骨支架的制备方法 |
推动生物医用材料发展,适用于骨组织工程和癌症治疗结合应用。 |
35 |
一种湿法刻蚀氧化硅终点检测方法 |
提升刻蚀工艺控制精度,适用于先进制程中的关键工艺监控。 |
36 |
一种超薄光敏树脂涂层 |
拓展光敏材料在光学薄膜、柔性电子等领域的应用。 |
37 |
OPC修正方法 |
提升光刻图形保真度,适用于先进光刻工艺的模型优化。 |
38 |
一种利用分子模拟快速筛选光刻胶的方法 |
加速新材料研发进程,适用于光刻胶材料的智能化开发。 |
39 |
模拟光刻胶形貌的方法、设备和介质 |
提升光刻仿真精度,适用于光刻工艺前期预测与优化。 |
40 |
一种热稳定性好的红色光刻胶组成物 |
满足彩色显示制造需求,适用于高色域显示器件的生产。 |
41 |
一种PCHE换热器板片的电解加工装置及加工方法 |
提升换热器制造效率,适用于紧凑型高效换热系统。 |
42 |
一种LED指纹识别设备、制造方法及装置 |
推动光学指纹识别技术发展,适用于智能手机和安防设备。 |
43 |
定向排列高精度孔径及高深径比微孔道TGV玻璃基板及其制备方法 |
拓展玻璃基板在高频封装和光学器件中的应用。 |
44 |
一种光固化3D打印和后处理一体机 |
提升3D打印效率与自动化水平,适用于快速原型制造和小批量生产。 |
45 |
一种基于新型Ta-2PtSe-7合金的10.6μm柔性光电探测器的制备 |
推动红外探测技术发展,适用于遥感、夜视等军事和民用领域。 |
46 |
一种无挥发性溶剂的光刻胶及其制备方法 |
减少环境污染,适用于绿色制造和环保法规要求。 |
47 |
一种降低翘曲的LED晶圆键合方法 |
提升LED器件可靠性,适用于高亮度照明和显示背光应用。 |
48 |
一种基于有机-无机杂化树脂的高分辨率光刻胶材料及制备方法 |
提升光刻胶综合性能,适用于高分辨率光刻工艺。 |
49 |
高压半导体器件结构的制备方法 |
提升功率器件耐压性能,适用于新能源汽车和电力电子领域。 |
50 |
一种厚膜光刻胶组合物,其制备方法及应用 |
满足特殊工艺需求,适用于厚膜电路和功率器件制造。 |
上述专利主要涉及光刻、光敏材料、半导体制造、3D打印、传感器及MEMS等前沿技术领域,具有广泛的应用前景。其中,多项发明专利聚焦于光刻胶材料的优化与新型制备方法,适用于高分辨率显示面板、多重曝光工艺、柔性电子器件等领域,推动微电子和光电子产业的技术升级。部分专利针对3D打印材料和设备进行创新,拓展了陶瓷、树脂等材料在精密制造中的应用。此外,关于传感器、LED器件、生物陶瓷支架等的制造方法也展示了在医疗、显示、工业检测等领域的多样化应用潜力。整体来看,这些专利具备较高的技术创新性和产业化潜力,有望在相关高科技产业链中发挥重要作用。
持续研发与改进建议
以下是基于应用前景的简要分析及排行:
1 |
一种晶圆上变速动态RRC光阻涂覆的方法 |
可进一步研究基于人工智能算法的动态涂覆参数优化系统,以提升涂覆均匀性和适应不同晶圆结构的需求。 |
2 |
光固化组合物及光刻胶 |
探索新型环保型光引发剂和可降解单体,以降低对环境的影响并提高材料的可持续性。 |
3 |
一种利用转印空穴传输层制备钙钛矿发光器件的方法 |
开发适用于大面积柔性基板的转印工艺,以推动其在柔性显示和照明领域的商业化应用。 |
4 |
一种优化光刻胶稳定性的制备方法、系统及光刻胶 |
结合分子模拟技术进行配方优化设计,缩短实验周期并提升光刻胶长期存储稳定性。 |
5 |
一种MEMS刻蚀深孔内金属图形化的方法 |
引入实时监测反馈机制,提升深孔内金属沉积的精度控制能力,减少缺陷率。 |
6 |
基于四核的有机锡配合物及其在光刻中的应用 |
评估其生物毒性及环境影响,开发低毒或无毒替代材料以满足绿色制造需求。 |
7 |
一种高分辨率的显示面板用光刻胶制备方法及系统 |
集成在线检测模块,实现光刻胶性能的实时监控与调整,提高生产良率。 |
8 |
检测验证光学辅助栅光学成像的方法 |
结合机器学习算法优化图像处理流程,提升成像精度与速度,支持复杂图案识别。 |
9 |
一种杂化改性光敏树脂及其制备方法和3D打印光敏树脂及其牙套 |
开发具有抗菌功能的改性树脂,增强牙科应用中的生物相容性和功能性。 |
10 |
高精度可光固化打印碳化硅陶瓷浆料及制备方法、制备碳化硅陶瓷制品的方法 |
优化浆料流变性能,以适配更多类型的3D打印设备并提升打印效率。 |
根据提供的专利信息,以下是对部分技术的研发与改进建议。建议内容聚焦于现有技术的优化、潜在应用拓展及研发方向创新,避免与列表展示信息重复。
侵权规避建议
在侵权规避方面应注意以下几点:
避免直接复制专利技术方案:对于上述涉及光刻胶材料、涂覆方法、光固化组合物、微结构制造等领域的发明专利,应确保自身产品或工艺在技术特征上与已授权专利权利要求书中的内容存在实质性差异,避免落入其保护范围。
关注核心技术点的替代设计:例如针对“晶圆上变速动态RRC光阻涂覆”、“优化光刻胶稳定性”、“高分辨率显示面板用光刻胶”等专利,应开发具有不同控制逻辑、材料配方或工艺参数的技术路径,以实现功能等效但技术手段不同的效果。
注意设备类专利的结构特征:如第13项“光刻胶涂覆设备”为实用新型专利,通常保护设备的结构特征。在设计相关设备时,应避免采用相同或相似的机械结构和组件布局。
区分材料组成与应用领域:如第6项“基于四核的有机锡配合物及其在光刻中的应用”,第48项“有机-无机杂化树脂的高分辨率光刻胶材料”等,重点在于特定化合物或材料的应用。应避免使用相同的化学成分体系,或改变化合物结构、引入替代元素。
规避特定工艺流程的顺序与条件:如“利用转印空穴传输层制备钙钛矿发光器件”、“一次光刻制作HEMT电极结构”、“多重曝光适配宽工艺窗口光刻胶”等专利,需对工艺步骤顺序、反应条件(温度、时间、浓度等)进行调整,形成新的工艺流程。
重视专利地域性与法律状态:部分专利可能仅在中国申请并有效,若产品出口至其他国家,需确认目标市场是否存在对应专利布局;同时应定期检索专利是否已过期、被无效或维持有效。
加强自主研发与专利预警机制:建议建立技术开发过程中的专利预警机制,结合FTO(自由实施分析)评估,并通过分子模拟、材料筛选等工具辅助创新,降低侵权风险。
注重说明书及附图中披露的技术细节:即使某项专利的权利要求较宽泛,也应避免在说明书中公开的具体实施方案被直接照搬使用,防止因“等同原则”导致侵权认定。
综上,在研发、生产、销售过程中,应围绕上述50项专利所涉及的技术领域,系统开展专利规避设计、技术替代研究和知识产权风险排查工作,确保技术成果的独立性和可商业化性。
报告内容均由 AI+技术转移和科技创新数智化应用工具生成,仅供参考!


